Toshiba починає масове виробництво 24 нм NAND Flash-пам’яті

Нещодавно ми повідомляли про початок поставок 3-бітної NAND Flash-пам’яті виготовленої за 25-нм техпроцесом компаніями Intel та Micron. Проте вже сьогодні, Toshiba Corporation заявила про масове виробництво нових 32 Гб мікросхем із застосуванням 24-нм технологічного процесу з багаторівневою структурою комірок (MLC), кожна з яких здатна зберігати три біти даних (3 bit per cell, 3bpc). Це нововведення дозволить зменшити площу кристалу, знизити вартість виробництва та підвищити об’єм чіпів. Як повідомляться в офіційному прес-релізі, даний техпроцес вже застосовується для виготовлення 64 Гб мікросхем з двома бітами на комірку (2bpc).

Нові 32 Гб чіпи також комплектуватимуться технологією Toggle DDR, яка повинна збільшити швидкість передачі даних. Дані мікросхеми будуть широко використовуватися в мобільних пристроях, лептопах та SSD-накопичувачах і дозволять компанії Toshiba зміцнити свої позиції на даному ринку.

http://www.tcmagazine.com
http://www.toshiba.co.jp
Сергій Буділовський