Комп'ютерні новини
Всі розділи
SK hynix збільшує виробництво передової 1c DRAM
SK hynix активно переводить свої фабрики на новітній техпроцес 1c DRAM.
Завдяки швидким темпам модернізації вже до кінця року частка нової пам'яті у виробництві перевищить третину. Це дозволить випередити головних конкурентів у особі Samsung та Micron, які наразі утримують лідерство за обсягами випуску цього покоління.
Нова технологія забезпечує вищу щільність та покращену енергоефективність. Вона стане основою для випуску оперативної пам'яті наступного покоління, зокрема HBM4E для систем штучного інтелекту, а також LPDDR6 та DDR5.
У майбутньому, через фізичні обмеження класичних мікросхем, планується перехід на вертикальні транзистори та об'ємне компонування 3D DRAM.
