Комп'ютерні новини
Всі розділи
Samsung продемонструвала технологію створення 900‑шарової V‑NAND
Samsung продемонструвала технологію створення 900‑шарової V‑NAND, поєднавши два кристали по 450 шарів за допомогою Cell Multi‑Bonding. Це важливий крок до мети компанії — 1000 шарів до 2030 року.
Samsung застосувала гібридне з’єднання кремнієвих пластин із металевими мікробампами, що утворюють постійний зв’язок між двома чипами. Такий підхід дозволяє подолати обмеження виробництва, коли один кристал уже не може вмістити більше шарів. Для вирішення проблеми викривлення товстих 450‑шарових пластин компанія розробила мікроскопічні тримачі та нові методи корекції накладання.
У самій пам’яті створені нові структури бітлайнів і вордлайнів, які знижують енергоспоживання та утримують розмір кристала в розумних межах. Масове виробництво 900‑шарової V‑NAND ще не стартувало — спершу Samsung планує вивести на ринок 10‑те покоління V‑NAND із понад 400 шарами, а вже потім перейти до складених рішень.
Наразі рекорд у серійному виробництві належить SK hynix із 321‑шаровою 4D NAND, але Samsung прагне стати лідером найближчими роками.
