Комп'ютерні новини
Всі розділи
Samsung представить 400-шарову флешпам'ять 3D NAND у лютому
19 лютого на конференції IEEE International Solid-State Circuits Conference 2025 інженери Samsung анонсують нову 400-шарову 3D NAND пам'ять, якої наразі не має жоден виробник у світі. У документі зазначено, що майбутня пам'ять Samsung матиме понад 400 шарів. Виробництво здійснюватиметься з використанням технології WF-Bonding, яка спрощує випуск багатошарових мікросхем.
На сьогодні найбільша кількість шарів у пам'яті масово виробляється або є у вигляді зразків у компаній SK Hynix (321 шар), Samsung (286), Micron (276), Western Digital та Kioxia (218) і SK Hynix Solidigm (192). Western Digital, Kioxia та YMTC також працюють над створенням 300-шарової пам'яті, яку планують представити наступного року. Основна конкуренція відбувається між SK Hynix та Samsung, які прагнуть досягти межі у 400 шарів і більше.
Новий 400-шаровий чіп Samsung матиме об'єм 1 Тбіт з щільністю 28 Гбіт/мм². Кожна клітинка зберігатиме по три біти даних. Швидкість обміну даними досягатиме 5,6 Гбіт/с, що на 75% більше у порівнянні з актуальними чіпами пам'яті Samsung 9-го покоління (400-шарова пам'ять буде належати до 10-го покоління V-NAND Samsung). Така пам'ять буде підходити для виготовлення SSD з шиною PCIe 5.0 та PCIe 6.0.
Більш щільна пам'ять Samsung може стимулювати виробників випускати SSD об'ємом 256 ТБ або навіть 512 ТБ. Можливо, це станеться через рік або два. Чекаємо на лютневу доповідь і чіткі позиції керівництва Samsung щодо виробництва нової пам'яті.
