SAMSUNG показує перший модуль пам'яті DDR3 на 32 гігабайта

Ще в січні компанія SAMSUNG анонсувала нові 4 гігабітні чіпи пам'яті (50-нм техпроцес), що дозволяють збільшувати об'єми планок пам'яті DDR3 до 32 Гб. Днями компанія зробила анонс про створення першого модуля пам'яті такої ємності. Про дату виходу продукту на ринок поки нічого не відомо, вважається навіть, що це може відбутися в наступному році.

Нові модулі виробляються по 50 нм технічному процесу. Відповідно до інформації SAMSUNG оновлена пам'ять працює при напрузі в 1,35 В і має на 20% більшу продуктивність, ніж звичайні модулі DDR3 з напругою 1,5 В. Зниження споживаної потужності є частиною «зеленої» кампанії SAMSUNG, спрямованої на виробництво більш енерго-ефективної продукції. Крім невеликого зменшення рахунків за використану енергію SAMSUNG також сподівається, що завдяки її новим продуктам знадобляться менші витрати на обладнання, що забезпечує безперебійне живлення, компонентів, а також на системи охолодження.

Нові планки пам'яті з такою великою ємністю націлені на серверний сектор, однак для звичайних робочих станцій і ноутбуків SAMSUNG також приготувала спеціальні рішення у вигляді 8 ГБ модулів на базі нових 4 гігабіних чипів.

http://www.techspot.com
http://www.techpowerup.com 
Андрій Белокриницький