up
ua ru
menu

ru.gecid.com-160x600-01-2020-4.jpg


Новини: > 2020 > 04 > 14

Telegram

rss

Samsung перейде на 3-нм техпроцес у 2022 році з новим поколінням транзисторів

Згідно з останньою інформацією, у 2022 році Intel планує повністю перевести всі свої продукти на техпроцес 7+ нм. У тому ж році Samsung представить 3-нм технологію Gate-All-Around FET (GAAFET), частиною якої є Multi Bridge Channel FET (MBCFET).

Samsung MBCFET

У минулому році Samsung вперше повідомила про їх розробку, а тепер з'явилися додаткові технічні подробиці. MBCFET обіцяє знизити енергоспоживання на 50% і підняти продуктивність на 30% в порівнянні з неназваним 7-нм техпроцесом. Площа одного транзистора зменшиться на 45%. До того ж технологія дозволяє використовувати стекову структуру для розміщення транзисторів і регулювати його ширину під різні сценарії - від створення енергоефективних чіпів до високопродуктивних.

Samsung MBCFET

https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Новина прочитана 1410 раз(ів)

Теги: intel   samsung   


<< попередня новина     наступна новина >>

Підписатися на наші канали
telegram YouTube facebook VK Instagram google plus
Социальные комментарии Cackle

Рекомендовані відео:


Пошук на сайті
Поштова розсилка

top10

vote

Голосування