up
ua ru
menu

getcid_160x600_12_2018.gif


Новини: > 2019 > 02 > 27

Telegram

rss

Samsung розпочала масове виробництво 512-гігабайтних мікросхем eUFS 3.0

На даний момент флагманські смартфони використовують накопичувачі формату embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1. Але компанія Samsung уже приготувала їм заміну у вигляді eUFS 3.0. Для довідки: Samsung представила перші накопичувачі eUFS 2.0 в січні 2015 року. Вони були в 1,4 рази швидше eMMC 5.1. У 2017 році з'явилися чіпи eUFS 2.1, а тепер прийшла черга eUFS 3.0.

Samsung eUFS 3

Першими з'являться 512-гігабайтні мікросхеми eUFS 3.0. У компактному форм-факторі стекової структури розташувалися вісім ядер V-NAND п'ятого покоління об'ємом по 512 Гбіт і високопродуктивний контролер.

Максимальна швидкість послідовної передачі даних у 512-гігабайтних чіпах eUFS 3.0 досягає 2100 МБ/с, а записи - 410 МБ/с. Для порівняння: у мікросхемі eUFS 2.1 аналогічного обсягу ці ж показники становили 860 і 255 МБ/с відповідно. При довільному читанні і запису даних швидкості новинки досягають 63 000 і: 68 000 IOPS (42 000 і 40 000 IOPS у eUFS 2.1).

Samsung eUFS 3

Уже в цьому місяці Samsung випустить 512- і 128-гігабайтні накопичувачі eUFS 3.0. У другій половині 2019 року на ринок надійдуть варіанти об'ємом 1 ТБ і 256 ГБ. Їх вартості не повідомляються.

https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Новина прочитана 1809 раз(ів)

Теги: emmc   eufs   samsung   v-nand   


<< попередня новина     наступна новина >>

Підписатися на наші канали
telegram YouTube facebook VK Instagram google plus
Социальные комментарии Cackle

Рекомендовані відео:


Пошук на сайті
Поштова розсилка

top10

vote

Голосування