Комп'ютерні новини
Всі розділи
Intel і Micron починають поставки 3-бітної флеш-пам’яті NAND по 25-нм техпроцесу
Корпорація Intel і компанія Micron Technology повідомили про початок поставок NAND-пам'яті з багаторівневою структурою комірок, кожна з яких здатна зберігати три біти даних (3 bit per cell, 3bpc). Нові мікросхеми виготовляються відповідно до норм 25-нанометрового техпроцесу, завдяки чому досягається найбільша ємність при найменших розмірах. Поставки зразків мікросхем проводяться деяким виробникам, а серійне виробництво планується почати до кінця поточного року. Розробка орієнтована на USB-накопичувачі, карти пам'яті, смартфони, програвачі та твердотельні накопичувачі.
Нові модулі пам'яті 3bpc, що виготовляються із застосуванням 25-нм техпроцесу, вміщають по 64 Гбіт даних. У порівнянні з продуктами попередніх поколінь вони мають меншу собівартість і збільшену ємність.
Нова технологія розроблена спільним підприємством IM Flash Technologies (IMFT). У модулях NAND 64 Гбіт (8 ГБайт) кожна комірка зберігає по три біти даних проти двох біт у технології попереднього покоління. Це трирівнева комірка (triple-level cell, TLC).
Новий модуль на 20% компактніше у порівнянні з іншими модулями аналогічної ємності, виробленими Intel і Micron на базі технології 25-нм MLC і в цей час є самим мініатюрним чипом ємністю 8 Гбайт у серійному виробництві. Компактність відіграє важливу роль для карт пам'яті. Площа виробу становить 131 мм2, він поміщається у стандартний тонкий корпус з меншою відстанню між виводами (TSOP).
