Комп'ютерні новини
Всі розділи
HotChips 33: Samsung анонсувала модуль оперативної пам'яті DDR5-7200 об'ємом 512 ГБ
На конференції HotChips 33 компанія Samsung похвалилася досягненнями в сфері створення чіпів оперативної пам'яті. Вона представила нові мікросхеми DDR5 висотою 1,0 мм, які використовують 8-стекову структуру TSV (Through Silicon Via). Для порівняння: мікросхеми DDR4 мають максимум 4 шари і загальну висоту 1,2 мм.
Більше шарів у структурі чіпів збільшує їх ємність. У результаті новинки дозволяють створювати модулі оперативної пам'яті об'ємом до 512 ГБ. І у компанії Samsung вже є такі в наявності. Вони працюють на частоті 7200 МГц при стандартній напрузі 1,1 В. Новинки будуть готові до масового виробництва до кінця поточного року. На жаль, вони використовують стандарт RDIMM/LRDIMM і націлені на ринок серверних систем.
Для мейнстрім-ринку Samsung підготувала модулі DDR5 UDIMM об'ємом 64 ГБ. Компанія очікує, що новий стандарт буде домінувати на мейнстрім-ринку не раніше за 2023 рік, тому у виробників пам'яті ще багато часу для експериментів з частотами і обсягом готових модулів.
