Комп'ютерні новини
Всі розділи
Демонстрація оперативної пам’яті стандарту DDR4
На конференції International Solid-State Circuits, компанії Hynix та Samsung продемонстрували перші зразки оперативної пам’яті стандарту DDR4. Мікросхеми від Hynix були створені з використанням 38-нм техпроцесу. Моделі працювали на тактовій частоті 2400 МГц при напрузі живлення 1,2 В.
DDR4-чіпи компанії Samsung виготовлені на базі 30-нм техпроцесу. Тактова частота їх роботи склала 2133 МГц, а напруга живлення – 1,2 В. Таким чином, нові модулі оперативної пам’яті будуть швидші та енергоефективніші за існуючі рішення стандарту DDR3. Їх масове виробництво повинно розпочатися в наступному році. В 2014 новинки повинні з’явитися на ринку. Згідно попередніх прогнозів, до кінця 2014 року їх частка на ринку оперативної пам’яті складе усього 12%. Однак вже в 2015 модулі стандарту DDR4 домінуватимуть з показником 56%, зростаючі в наступних роках, поки на зміну DDR4 не прийдуть модулі наступного покоління.
