Перші в світі 4 ГБ модулі пам’яті Super Talent DDR3-1600 МГц SO-DIMM

Американська компанія Super Talent анонсувала появу перших у світі оптимізованих модулів оперативної пам’яті DDR3 SO-DIMM, об’ємом 4 ГБ. Новинки працюватимуть на тактовій частоті 1600 МГц і отримали конфігурацію 512М х 64. Вони націлені на ринок високопродуктивних ігрових лептопів.

На сьогоднішній день, декілька компаній вже виготовляють 4 ГБ DDR3 SO-DIMM модулі оперативної пам’яті, але з максимальною тактовою частотою 1333 МГц. Збільшення тактової частоти до 1600 МГц дозволить підвищити продуктивність функціонування усієї системи в цілому. Нові 4 ГБ модулі оперативної пам’яті Super Talent DDR3-1600 МГц SO-DIMM надійдуть у продаж за декілька тижнів.

http://www.tcmagazine.com
http://www.supertalent.com
Сергій Буділовський

Оновлена лінійка оперативної пам’яті Transcend JetRam

Компанія Transcend анонсувала розширення лінійки DDR3 оперативної пам’яті JetRam новими 4 ГБ модулями. При їх виготовленні застосовувалися норми 40 нм технологічного процесу, що дозволило збільшити об’єм при одночасному скороченні потужності споживання. Новинки поповнять як десктопний, так і мобільний сегменти ринку.

Кожен модуль перевірено на надійність та оптимізовано для стабільної роботи при номінальній напрузі живлення 1,5 В. Коротка таблиця специфікації оперативної пам’яті Transcend JetRam:

http://www.tcmagazine.com
http://www.transcendusa.com
Сергій Буділовський

Elpida анонсувала 2 Гб DDR3-чіпи оперативної пам’яті за 30 нм техпроцесом

Японська компанія Elpida завершила розробку 2 Гб чіпів оперативної пам’яті стандарту DDR3, при виготовлені яких використовувалися норми 30 нм технологічного процесу. Перехід на новий техпроцес забезпечить збільшення на 45% кількості мікросхем, що виготовляються з однієї пластини, в порівнянні з 40 нм чіпами. Це дозволить ефективніше використовувати сировину і зменшити кінцеву собівартість їх виготовлення. Також новинки володіють зниженим на 15% рівнем споживанням струму в активному режимі і на 10% - в режимі очікування, що сприятиме зниженню їх загальної потужності споживання.

Нові чіпи від компанії Elpida відповідають стандарту організації JEDEC і зможуть бути використані при виготовленні стандартних (1,5 В) модулів оперативної пам’яті DDR3-1866 МГц та низьковольтних (1,35 В) планок DDR3L-1600 МГц.

Масове виробництво 2 Гб DDR3-чіпів оперативної пам’яті за 30 нм технологічним процесом почнеться в грудні поточного року.

http://www.tcmagazine.com
Сергій Буділовський

Silicon Power анонсувала нову лінійку оперативної пам’яті DDR3-1333 МГц

Компанія Silicon Power має намір в найближчому майбутньому почати продаж нової лінійки оперативної пам’яті, яка повністю сумісна з платформами Intel та AMD. До модельного ряду входять одинарні 4 ГБ модулі, двоканальні 8 ГБ (2 х 4 ГБ) та триканальні 12 ГБ (3 х 4 ГБ) набори.

Новинки працюють на тактовій частоті 1333 МГц, використовують топологію Fly-by для ефективнішої організації сигналів даних, адрес, керування та синхронізації, а також підтримують технологію ODT (On-DIE Termination), яка суттєво зменшує небажані відбивання сигналів та збільшує швидкість передачі інформації. Інтегрований код корекції помилок (ECC) підвищує надійність роботи оперативної пам’яті. Кожна планка проходить повний цикл тестування на ефективність та стабільність характеристик. Таблиця специфікації нових модулів пам’яті Silicon Power виглядає наступним чином:

http://www.tcmagazine.com
http://www.silicon-power.com
Сергій Буділовський

Toshiba анонсує найшвидші карти пам’яті формату SDHC та micro-SDHC

Одразу ж після анонсу компанією Panasonic нових флеш-карт формату SDHC, інша японська компанія Toshiba представила свої SDHC та micro-SDHC-карти пам’яті, які відповідають стандарту SD Memory Card версії 3.0, використовують інтерфейс UHS-I та забезпечують найвищі показники швидкості читання/запису. Вже сьогодні відвідувачі берлінської виставки IFA 2010 зможуть на власні очі побачити ці новинки.

Специфікація карт пам’яті Toshiba SDHC

Специфікація карт пам’яті Toshiba micro-SDHC

http://www.tcmagazine.com
http://www.toshiba.co.jp
Сергій Буділовський

A-DATA XPG Gaming DDR3L-1333G – нова серія ігрових модулів пам’яті із зниженим енергоспоживанням

Компанія A-DATA Technology розширила лінійку ігрових модулів оперативної пам’яті XPG Gaming новою серією DDR3L-1333G, до складу якої входять як окрема 2 ГБ планка, так і набори дво- і триканальної пам’яті. Новинки характеризуються зниженим значенням напруги живлення. Як заявляють розробники, зменшення напруги живлення до рівня 1,25 – 1,35 В дозволить скоротити викид CO₂ , зменшити витрати електроенергії та досягти оптимального балансу між продуктивністю та стабільністю системи в цілому.

A-DATA XPG Gaming DDR3L-1333G виготовленні з використанням 6-шарового дизайну друкованої плати та алюмінієвого радіатора, оптимізовані для застосування у 64-бітних версіях операційних систем  та орієнтовані на ринок десктопних комп’ютерів і мультимедійних центрів (HTPC). Специфікація нових модулів пам’яті A-DATA XPG Gaming DDR3L-1333G має наступний вигляд:

http://www.tcmagazine.com
http://benchmarkreviews.com
http://www.adata.com.tw
Сергій Буділовський

Toshiba починає масове виробництво 24 нм NAND Flash-пам’яті

Нещодавно ми повідомляли про початок поставок 3-бітної NAND Flash-пам’яті виготовленої за 25-нм техпроцесом компаніями Intel та Micron. Проте вже сьогодні, Toshiba Corporation заявила про масове виробництво нових 32 Гб мікросхем із застосуванням 24-нм технологічного процесу з багаторівневою структурою комірок (MLC), кожна з яких здатна зберігати три біти даних (3 bit per cell, 3bpc). Це нововведення дозволить зменшити площу кристалу, знизити вартість виробництва та підвищити об’єм чіпів. Як повідомляться в офіційному прес-релізі, даний техпроцес вже застосовується для виготовлення 64 Гб мікросхем з двома бітами на комірку (2bpc).

Нові 32 Гб чіпи також комплектуватимуться технологією Toggle DDR, яка повинна збільшити швидкість передачі даних. Дані мікросхеми будуть широко використовуватися в мобільних пристроях, лептопах та SSD-накопичувачах і дозволять компанії Toshiba зміцнити свої позиції на даному ринку.

http://www.tcmagazine.com
http://www.toshiba.co.jp
Сергій Буділовський

Деталі оперативної пам’яті стандарту DDR4

Оскільки перехід з стандарту DDR2 на DDR3 практично завершився і найбільш потужні виробники оперативної пам’яті до кінця поточного року переведуть основні виробничі можливості на виготовлення DDR-модулів третього покоління, то організація JEDEC анонсувала своє бачення наступної генерації оперативної пам’яті – DDR4.

Нові модулі працюватимуть в діапазоні частот 2133 МГц – 4266 МГц та напруг живлення в районі 1,1 В – 1,2 В, хоча, також озвучується цифра 1,05 В для мобільних пристроїв. Загальна швидкодія пам’яті повинна зрости, незважаючи на подальший ріст таймінгів.

Існують і певні недоліки нового стандарту. На фоні збільшення тактової частоти роботи, контроллер зможе працювати лише з одним модулем, що призводить до необхідності збільшувати щільність мікросхем пам’яті, а отже і впровадження нових техпроцесів: 32-нм та 25-нм. Досягнення такого рівня виробничих можливостей очікується не раніше 2013 року, тому масове виготовлення оперативної пам’яті DDR4 планується лише в 2015 році.

http://www.nordichardware.com
http://pc.watch.impress.co.jp
Сергій Буділовський