Комп'ютерні новини
Накопичувачі
SSD-диск GOODRAM CX100 доступний в обсязі до 960 ГБ
Анонсована поява нового твердотільного накопичувача GOODRAM CX100, який є оновленою версією моделі GOODRAM C100. Новинка позиціонується в якості доступного та продуктивного рішення, яке відмінно підійде для заміни традиційного HDD-диска в десктопному або мобільному комп'ютері.
Модель GOODRAM CX100 створена в 2,5-дюймовому форматі товщиною всього 6,85 мм. У комплекті також постачається 2,5-мм адаптер, який дозволяє встановлювати новинку навіть в 9,5-мм відсіки традиційних ноутбуків. Побудована вона на основі 19-нм TLC NAND-пам'яті компанії Toshiba, а в якості контролера використовується мікросхема Phison PS3110-S10. Доповнює це зв'язування кеш-пам'ять LPDDR3 обсягом до 1 ГБ і зовнішній інтерфейс SATA 6 Гбіт/с.
SSD-диск GOODRAM CX100 доступний в обсязі 120, 240, 480 або 960 ГБ. Максимальні показники швидкості послідовного читання та запису досягають 560 і 540 МБ/с відповідно, а максимальне довільне читання та запис даних обсягом 4 КБ здійснюється при 88 000 і 70 000 IOPS відповідно. Однак усе залежить від конкретної версії.
У продаж новинка надійде з 3-річною гарантією за ціною від $58 до $400. Зведена таблиця технічної специфікації твердотільного накопичувача GOODRAM CX100:
Модель |
GOODRAM CX100 |
|||
Форм-фактор, дюймів |
2,5 |
|||
Зовнішній інтерфейс |
SATA 6 Гбіт/с |
|||
Тип мікросхем пам'яті |
Toshiba A19 TLC NAND |
|||
Контролер |
Phison PS3110-S10 |
|||
Максимальний обсяг кеш-пам'яті LPDDR3, ГБ |
1 |
|||
Варіанти за обсягом, ГБ |
120 |
240 |
480 |
960 |
Базова швидкість послідовного читання / запису даних, МБ/с |
560 / 420 |
560 / 500 |
560 / 540 |
560 / 540 |
Швидкість послідовного читання / запису нестискуваних даних, МБ/с |
490 / 380 |
500 / 475 |
530 / 500 |
510 / 310 |
Довільне читання / запис даних об’ємом 4 КБ, IOPS |
69 000 / 26 900 |
82 000 / 39 000 |
88 000 / 60 000 |
88 000 / 70 000 |
Орієнтовна вартість, $ |
58 |
96 |
187 |
400 |
Технології безпечного зберігання даних |
SmartFlush, GuaranteedFlush, End-to-end data protection, SmartRefresh |
|||
Діапазон робочих температур, °С |
0…+70 |
|||
Максимальна споживана потужність, Вт |
<3,5 |
|||
ECC-корекція, біт / 2 КБ |
120 |
|||
Середній час напрацювання на відмову (MTBF), годин |
2 000 000 |
|||
Розміри, мм |
100,1 х 69,9 х 6,85 |
|||
Маса, г |
50 |
http://www.goodram.com
Сергій Буділовський
Samsung представила нові V-NAND SSD-диски
Завдяки великим перевагам у порівнянні зі звичайними жорсткими дисками, популярність SSD-дисків росте з кожним днем. Усе більше виробників перейшли на виробництво саме цих пристроїв. Серед них варто відзначити відому компанію Samsung, яка днями анонсувала три SSD, побудовані на основі технології 3D V-NAND. За словами виробника, новинки призначені для використання в дата-центрах.
Пристрої PM1633, PM1725 і PM953 мають високу швидкість запису та читання, про що говорять наступні показники. Отже, PM1633 являє собою 2,5-дюймовий SAS SSD зі швидкістю 12 ГБ/с, PM1725 – диск, виконаний у вигляді PCIe-карти ємністю 6,4 ТБ. Важливо відзначити, що цей пристрій здатний здійснювати до 1 млн. операцій вводу та виводу за секунду.
Модель PM1725 пропонує швидкість зчитування інформації на рівні до 5,5 ГБ/с. Швидкість запису становить до 1,8 ГБ/с. Для наочного прикладу виробник повідомляє, що для збереження відеофайлу ємністю 5 ГБ необхідно всього лише три секунди.
http://www.ubergizmo.com
Мартинець Марія
Toshiba PX04P, Toshiba XG3 і Toshiba BG1 - SSD-накопичувачі із протоколом NVMe
Компанія Toshiba презентувала три серії твердотільних накопичувачів, які працюють згідно із протоколом NVMe. Новинки Toshiba PX04P, Toshiba XG3 і Toshiba BG1 були представлені в рамках конференції Flash Memory Summit. За словами виробника, нові пристрої відмінно підійдуть для високопродуктивних ноутбуків, ноутбуків 2-в-1 і планшетів. Новинки забезпечують високу продуктивність і низьку затримку. Повідомляється, що в продаж накопичувачі надійдуть у четвертому кварталі поточного року, якщо точніше з жовтня по грудень.
Варто відзначити, що кожна лінійка призначена для різних сегментів ринку. Так, модель Toshiba PX04P орієнтована на корпоративних клієнтів і представлена у двох модифікаціях: з інтерфейсом PCI Express і U.2 (SFF-8639). Швидкісні характеристики знаходяться на високому рівні: 3100 МБ/с у режимі читання та 2350 МБ/с – для запису. Доступні моделі ємністю 8, 16 і 32 ГБ.
Використовуваний інтерфейс для модифікації Toshiba XG3 представлений варіантом SATA Express, при цьому форматом виступає M.2 2280 і 2,5 дюйма. Максимальний обсяг цього накопичувача рівний 1 ТБ. Також повідомляється про опцію виправлення помилок QSBC і протокол шифрування даних TCG.
Накопичувач Toshiba BG1, призначений для ноутбуків, має формат M.2 2230. Для цього накопичувача максимальний обсяг пам'яті рівний 256 ГБ. Також відомо про підтримку алгоритму шифрування TCG.
http://www.techpowerup.com
Мартинець Марія
Лінійка Kingston Class 10 UHS-I SDHC/SDXC поповнилася моделлю на 512 ГБ
Будучи провідним виробником продуктів пам'яті, компанія Kingston повідомила про розширення лінійки Kingston Class 10 UHS-I SDHC/SDXC моделлю на 512 ГБ. Повідомляється, що новинка відмінно підійде для дзеркальних і HD камер, дозволяючи знімати відео в Full HD 1080p і тривимірне відео, а також швидко передавати файли.
Швидкісні показники представлені наступними значеннями: 90 МБ/с для читання та 45 МБ/с для запису. Завдяки такому рівню швидкості забезпечується повноцінна серійна зйомка, і кількість затримок при знятті відео зводиться до мінімуму. Варто відзначити, що поряд з новинкою, лінійка Kingston Class 10 UHS-I SDHC/SDXC містить у собі варіанти на 16, 32, 64, 128 і 256 ГБ.
Серед інших особливостей необхідно виділити розмір пристрою – 24 х 32 х 2,1 мм, робочу температуру на рівні -25°C – 85°C, а також температуру зберігання -40°C – 85°C.
На додачу виробник надає довічну гарантію, безкоштовну технічну підтримку для новинки, а також вбудований перемикач захисту від запису.
http://www.techpowerup.com
Мартинець Марія
Компактні та елегантні флеш-накопичувачі Team Group C153 і C155
Компанія Team Group вивела на ринок два нові флеш-накопичувачі: Team Group C153 і Team Group C155. Вони використовують абсолютно однакову конструкцію корпусу, створеного із алюмінію та покритого спеціальним шаром фарби, стійкої до корозійних процесів і появи відбитків пальців. Однак відрізняються вони кольоровим виконанням: чорний, сріблястий, синій або рожевий для Team Group C153 і золотистий для Team Group C155.
Головною ж відмінністю цих моделей є тип інтерфейсу: USB 2.0 для Team Group C153 і USB 3.0 для Team Group C155. До того ж перша новинка доступна у варіантах від 8 до 64 ГБ, а друга – від 8 до 128 ГБ. Звичайно, і швидкісні показники в другої флешки повинні бути вищими, однак виробник точних цифр не вказує.
У продаж вони надійдуть із довічною гарантією. Порівняльна таблиця технічної специфікації флеш-накопичувачів Team Group C153 і C155:
Модель |
Team Group C153 |
Team Group C155 |
Інтерфейс |
USB 2.0 |
USB 3.0 |
Обсяг, ГБ |
8 / 16 / 32 / 64 |
8 / 16 / 32 / 64 / 128 |
Колір |
Чорний / сріблястий / синій / рожевий |
Золотистий |
Сумісні ОС |
Windows 8 / 7 / Vista / XP |
|
Розміри, мм |
54,4 х 19,3 х 7,3 |
|
Маса, г |
12 |
|
Гарантія |
Довічна |
http://www.teamgroupinc.com
Сергій Буділовський
Флеш-накопичувач Silicon Power Mobile C80 з підтримкою двох роз’ємів
Компанія Silicon Power представила свій перший USB-накопичувач, оснащений двома роз’ємами. Модель Silicon Power Mobile C80 має у своєму розпорядженні традиційний конектор USB 3.0 Type-A і компактний симетричний USB Type-C. Завдяки цьому планується досягнення сумісності новинки як з десктопними, так і з мобільними пристроями.
Флешка Silicon Power Mobile C80 створена із застосуванням дизайну COB, тому характеризується підвищеним захистом внутрішніх компонентів від вологи, пилу та вібрації. Вона доступна в трьох варіантах обсягу: 16, 32 і 64 ГБ. Корпус новинки створений зі сплаву цинку й оснащений поворотним ковпачком. Він гарантує легкий доступ до обох роз’ємів і дозволяє прикріпити пристрій, наприклад, до зв'язки з ключами.
Додатково компанія Silicon Power розробила мобільний додаток SP File Explorer для Android-пристроїв. Він являє собою зручний менеджер для роботи з файлами. А програмна клавіша «One-touch backup» дозволить миттєво активувати процес резервного копіювання даних з мобільного гаджета на флешку.
Зведена таблиця технічної специфікації флеш-накопичувача Silicon Power Mobile C80:
Модель |
Silicon Power Mobile C80 |
Обсяг, ГБ |
16 / 32 / 64 |
Інтерфейси |
1 x USB 3.0 Type-A |
Діапазон робочих температур, °С |
0…+70 |
Матеріал корпусу |
Сплав цинку |
Колір |
Титановий |
Підтримувані ОС |
Windows 8 / 7 / Vista / XP |
Гарантія |
Довічна |
http://www.silicon-power.com
Сергій Буділовський
Samsung почала масове виробництво 256-гігабітних 3D V-NAND флеш-мікросхем
Компанія Samsung повідомила про запуск у масове виробництво перших в індустрії 256-гігабітних (32-гігабайтних) тривимірних (3D) флеш-мікросхем V-NAND, які використовують 48-шарову структуру та можуть зберігати 3 біти інформації в одній комірці.
Нагадаємо, що в серпні 2014 року компанія Samsung представила друге покоління флеш-мікросхем V-NAND, яке використовує 32-шарову структуру та дозволяє зберігати 3 біти даних в одній комірці. Саме на основі цих мікросхем побудовані 2-терабайтні моделі твердотільних дисків серій Samsung 850 Pro і 850 EVO. Таким чином, представлені мікросхеми V-NAND третього покоління з 48-шаровою структурою та обсягом 256-гігабіт дозволять подвоїти максимальний обсяг при збереженні поточної кількості чіпів на диску або ж у два рази зменшити кількість чіпів для досягнення аналогічного обсягу кінцевого SSD.
До того ж новинки характеризуються 30% зниженням енергоспоживання та 40% підвищенням швидкодії в порівнянні з 32-шаровими чіпами V-NAND другого покоління. Використовуватися ж дані мікросхеми будуть не тільки в користувацьких твердотільних дисках, але й у серверних SSD з інтерфейсом NVMe і SAS.
http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський
Toshiba створила 16-шарову стекову NAND-пам'ять за допомогою технології TSV
Компанія Toshiba повідомила про успішне створення першого у світі 16-шарового чіпа NAND флеш-пам’яті. Для реалізації цього проекту була використана технологія Through Silicon Via (TSV), яка передбачає наявність спеціальних вертикальних електродів. Вони проходять через усю структуру, об’єднуючи всі використовувані ядра флеш-пам'яті в одне ціле.
У результаті такого підходу пропускна здатність (I/O data rate) перевищила 1 Гбіт/с, що вище показника будь-якої існуючої NAND-мікросхеми. При цьому робоча напруга становить 1,2 – 1,8 В (залежно від фізичного розміщення ядер), а зниження споживаної потужності при операціях читання та запису досягає 50%.
Перші прототипи нової стекової пам'яті компанії Toshiba характеризуються загальним обсягом 128 ГБ (8 шарів) і 256 ГБ (16 шарів) при висоті 1,35 і 1,9 мм відповідно. На думку розробників, вони відмінно підходять для використання в різних сферах: від масових користувацьких пристроїв до високопродуктивних SSD-дисків корпоративного класу завдяки низьким затримкам, високій пропускній здатності та відмінній енергоефективності.
http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський
Показати ще