G.SKILL представляє комплекти розігнаної пам’яті DDR5 R-DIMM серії Zeta R5 для процесорів Xeon W

G.SKILL International Enterprise Co., Ltd., провідний світовий бренд високопродуктивної розгінної пам'яті та аксесуарів для ПК, радий представити абсолютно нову серію високопродуктивних комплектів пам'яті DDR5 R-DIMM з розгоном G.SKILL Zeta R5. Вони призначені для використання з новітніми розблокованими процесорами Intel Xeon серій W-2400X і W-3400X на відповідних материнських платах на базі чіпсета Intel W790, які підтримують чотириканальну і восьмиканальну пам'ять. Комплекти пам'яті Zeta R5 DDR5 R-DIMM, що випускаються зі специфікаціями до DDR5-6400 CL32 і у великих комплектах до 256 ГБ (32 Гб x8), ідеально підходять для систем робочих станцій, призначених для створення контенту, 3D-графіки або наукових досліджень, обчислень.

Платформа Intel W790 офіційно вводить підтримку розгону DDR5 R-DIMM, що дозволяє системам робочих станцій досягати більш високих швидкостей пам'яті, ніж R-DIMMs на основі стандартних специфікацій JEDEC. Скориставшись цим новим набором функцій, комплекти пам'яті G.SKILL Zeta R5 серії DDR5 R-DIMM мають профілі Intel XMP 3.0 для легкого розгону, що дозволяє користувачам отримати додаткову пропускну здатність пам'яті та продуктивність, просто увімкнувши XMP в BIOS.

Розширюючи межі продуктивності новітньої платформи Sapphire Rapids, команда дослідників і розробників G.SKILL розробила надшвидкі специфікації пам'яті з використанням 16 ГБ DDR5 R-DIMM до DDR5-6400 CL32-39-39-102 загальною ємністю понад 128 ГБ (16 ГБ x8) конфігурації ємності комплекту. З цим комплектом пам'яті на материнській платі ASUS Pro WS W790E-SAGE SE з 8-канальною пам'яттю та процесором Intel Xeon W9-3495X пропускна здатність пам'яті досягає вражаючих 303 ГБ/с читання, 227 ГБ/с запису та швидкості копіювання 257 ГБ/с у тесті пропускної здатності пам'яті AIDA64, як показано на скріншоті вище.

Для робочих станцій, які вимагають великого обсягу пам'яті, серія G.SKILL Zeta R5 також пропонує конфігурації комплектів 32 ГБ x8, загальною кількістю 256 ГБ, досягаючи швидкості розгону до DDR5-6000 CL30-38-38-96.

G.SKILL є показовим для прискорення R-DIMM з високою пропускною здатністю до DDR5-6800 CL34-45-108 в 8-канальному режимі на материнській платі ASUS Pro WS W790E-SAGE SE і Intel Xeon W9-3495X, які досягли 315 Гбіт/с читання, записують 228 Гбіт/с і копіюють 262 Гб/с в тесті пропускної здатності AIDA64. DDR5-6800 - це не стартова спеціфікація, а демонстратор нової платформи Intel W790.

Список специфікацій пам'яті дивіться в таблиці нижче:

Високопродуктивні пакети пам'яті G.SKILL Zeta R5 серії DDR5 R-DIMM підтримують новітній профіль розгону пам'яті Intel XMP 3.0, полегшуючи розгін пам'яті через BIOS материнської плати, а досягнення рейтингів розгону XMP буде залежати від сумісності і можливостей розблокованих процесорів Intel Xeon W-2400X і W-3400X серій і відповідних материнських плат з чіпсетом Intel W790. Ці набори пам'яті будуть відправлені партнерам G.SKILL з дистрибуції по всьому світу з березня 2023 року.

techpowerup.com
Паровышник Валерий

Team Group оголошує про вихід пам'яті JEDEC DDR5-6400 з драйверами Client Clock

Провідний світовий бренд пам'яті Team Group оголосив про нові прориви в розробці стандарту Memory Team Group ELITE U-DIMM DDR5. Щоб забезпечити сумісність з платформами наступного покоління, Team Group вперше розробила високопродуктивну специфікацію 6400 МГц відповідно до визначень JEDEC, щоб споживачі могли легко насолоджуватися поліпшеною продуктивністю нового покоління DDR5.

Для забезпечення стабільної продуктивності пам'яті DDR5 на частоті 6400 МГц і вище, Team Group представила нові компоненти CKD (Client Clock Driver), призначені для посилення, буферизації і стабільного виведення високочастотних сигналів з центрального процесора в комплекти пам'яті DDR5, ефективно гарантуючи високі частоти, підтримуючи надійну високошвидкісну передачу. Team Group займається дослідженнями і розробками і одночасно працює з виробниками материнських плат для ретельного тестування сумісності, пропонуючи споживачам по всьому світу високоякісні і добре сумісні продукти пам'яті для настільних комп'ютерів і ноутбуків, задовольняючи потреби користувачів в ПК, ноутбуках або інших невеликих системах.

З розвитком нових технологій Team Group прагне застосувати рішення CKD до наборів пам'яті DDR5 для командного групового ігрового бренду T-FORCE і бренду розробників T-CREATE в надії підвищити частоти пам'яті OC до 9 000 МГц або вище, щоб забезпечити надшвидкий ігровий процес для геймерів і надійні, високопродуктивні рішення для обробки інформації для творців контенту.

Teamgroup
Паровишник Валерій

SK hynix представить енергоефективну та високопродуктивну пам’ять на CES 2023

В інтернеті з’явилися перші прес релізи одного з найбільших виробників обчислювальних пристроїв - SK hynix, i ось що з них відомо:

SK hynix Inc. оголосила, що продемонструє низку своїх основних і абсолютно нових продуктів на виставці CES 2023, яка відбудеться в Лас Вегасі з 5 по 8 січня.

Очікується, що продукти, представлені в рамках теми «Зеленого цифрового рішення» в рамках кампанії SK Group «Carbon-Free Future», привернуть увагу клієнтів і експертів у сфері великих технологій завдяки значному покращенню продуктивності та енергоефективності порівняно з попередніми поколіннями, а також зменшенням впливу на навколишнє середовище.

Увага до енергоефективних мікросхем пам’яті зростає, оскільки світові технологічні компанії шукають продукти, які обробляють дані швидше, споживаючи при цьому менше енергії. SK hynix впевнена, що її продукти, які будуть представлені на виставці CES2023, задовольнять такі потреби клієнтів завдяки видатній продуктивності на Ват і потужності в цілому.

Основним продуктом, представленим на виставці, є PS1010 E3.S, eSSD, що складається з кількох 176-шарових 4D NAND, які підтримують п’яте покоління інтерфейсу PCIe.

У SK hynix заявили, що PS1010 э поєднанням провідних технологій компанії, яке стало своєчасним, оскільки ринок серверних чіпів продовжує зростати, незважаючи на поточний спад галузі.

Продукт PS1010 демонструє покращення швидкості читання та запису на 130% та 49% відповідно, порівняно з попереднім поколінням. Його продуктивність на ват також покращилася більш ніж на 75%, допомагаючи клієнтам зменшити витрати на роботу серверів і викиди вуглецю.

«Ми пишаємося тим, що представляємо PS1010, високопродуктивний продукт із власно розробленим контролером і вбудованим програмним забезпеченням, на CES 2023, найбільшій у світі технологічній виставці», — сказав Юнь Чже Йон, керівник відділу планування продуктів NAND. «Цей продукт вирішить проблему наших замовників серверних чіпів, одночасно відкриваючи для нас шлях до більшої конкурентоспроможності в бізнесі NAND».

Інші продукти, які будуть представлені на виставці, це HBM3, продукт пам’яті з найкращими у світі специфікаціями для високопродуктивних обчислень, GDDR6-AiM, що використовує технологію PIM, і пам’ять CXL, здатну гнучко розширювати ємність пам’яті та продуктивність.

HBM (пам’ять високої пропускної здатності): високопродуктивна пам’ять високої якості, яка вертикально з’єднує декілька мікросхем DRAM і значно підвищує швидкість обробки даних у порівнянні з традиційними продуктами DRAM.

PIM (обробка в пам’яті): технологія наступного покоління, яка забезпечує вирішення проблем перевантаження даних для ШІ та великих даних шляхом додавання обчислювальних функцій до напівпровідникової пам’яті.

CXL (Compute Express Link): протокол з’єднання нового покоління на основі PCIe, на якому базуються високопродуктивні обчислювальні системи.

SK hynix також представить технологію занурюваного охолодження* від SK enmove, яка спеціалізується на енергоефективності. Технологія, розроблена для охолодження тепла серверів, що утворюється під час роботи, знаменує собою успішний випадок, коли SK hynix співпрацювала з іншими компаніями SK або зовнішніми діловими партнерами для створення нових цінностей у бізнесі напівпровідників.

* Занурюване охолодження: технологія теплового керування наступного покоління, яка знижує температуру шляхом занурення серверів даних у охолоджуюче масло. Таким чином, загальне споживання електроенергії можна зменшити на 30% порівняно з існуючою технологією, яка використовує повітря для охолодження.

Якщо ж щось підсумувати, то не дуже зрозуміло чому нам має бути не все одно на викиди вуглецю, але енергоефективність багатьох пристроїв буде важливим фактором у нашій країні і зараз, і після перемоги.

Що ж до нових стандартів пам’яті, особисто я налаштований доволі скептично, через швидке зникнення відеокарт з HBM2 пам’яттю, наприклад AMD Radeon серії Vega. І хоча PIM звучить теж круто, але до впровадження стандарту ще доволі далеко. Хоча, нещодавно Samsung стверджували, що змогли інтегрувати PIM у свою пам’ть що дуже суттєво підвищило продуктивність. Залишається тільки чекати.

Videocardz
Кізенко Назарій

Samsung Electronics розробляє першу в галузі 12-нм пам’ять DDR5 DRAM

У 2023 році планується розпочати масове виробництво нової пам’яті Samsung DRAM за 12 нм техроцесом, яка пришвидшить обчислення наступного покоління, центри обробки даних і додатки штучного інтелекту завдяки найкращій у галузі продуктивності та більшій енергоефективності.

Компанія Samsung Electronics Co., Ltd., світовий лідер у сфері передових технологій пам’яті, сьогодні оголосила про розробку своєї 16-Гігабітної (Гбіт) пам’яті DDR5 DRAM, створеної з використанням, першої в галузі технології, 12-нм процесу, а також з перспективою сумісності з продуктами AMD.

«Наша 12-нанометрова оперативна пам’ять стане ключовим фактором до сприяння поширенню пам’яті DDR5 DRAM на всьому ринку. Завдяки винятковій продуктивності та енергоефективності ми очікуємо, що наша нова DRAM стане основою для більш стійких операцій у таких сферах, як обчислення наступного покоління, центрах обробки даних і системах, керованих ШІ».

— сказав Чжун Лі, виконавчий віце-президент із продуктів і технологій DRAM у Samsung Electronics.

Цей технологічний стрибок став можливим завдяки використанню нового High-K матеріалу, який збільшує ємність елемента, і запатентованої технології розробки, яка покращує критичні характеристики схеми. У поєднанні з вдосконаленою багатошаровою ультрафіолетовою (EUV) літографією нова DRAM має найвищу в галузі щільність матриці, що забезпечує 20% збільшення продуктивності пластин.

«Інновації часто вимагають тісної співпраці з галузевими партнерами, щоб розширити межі технологій. Ми раді знову співпрацювати з Samsung, зокрема щодо впровадження продуктів пам’яті DDR5, які оптимізовані та перевірені на платформах «Zen».

— сказав Джо Макрі, старший віце-президент, корпоративний співробітник і клієнт, технічний директор з обчислень і графіки AMD.

Використовуючи найновіший стандарт DDR5, 12-нм DRAM від Samsung допоможе розблокувати швидкість до 7,2 Гбіт/с. Це означає обробку двох UHD-фільмів розміром 30 ГБ лише за одну секунду.

Виняткова швидкість нової DRAM поєднується з більшою енергоефективністю. Споживаючи на 23% менше енергії, ніж попередня DRAM, 12-нм клас DRAM стане ідеальним рішенням для глобальних ІТ-компаній, які прагнуть до більш екологічної діяльності.

У зв’язку з тим, що масове виробництво розпочнеться у 2023 році, Samsung планує розширити модельний ряд DRAM, створеного за цією передовою технологією класу 12 нм, на широкий спектр сегментів ринку, оскільки компанія продовжує співпрацювати з галузевими партнерами для підтримки швидкого розширення наступних поколінь обчислювальних пристроїв.

Videocardz
Кізенко Назарій

Samsung побудувала обчислювальну систиму із 96 графічних процесорів AMD MI100 із новою обчислювальною пам’яттю

Компанія Samsung створила першу в світі великомасштабну обчислювальну систему, використовуючи графічні процесори з вбудованими мікросхемами обробки в пам’яті (PIM). Відповідно до звіту Business Korea, ці модулі пам’яті, які були завантажені на 96 графічних процесорах AMD Instinct MI100, збільшили продуктивність навчання штучного інтеллекту в 2,5 рази.

PIM — це нове покоління комп’ютерної пам’яті, яке може пришвидшити обчислювально-складні робочі процеси, які обробляються такими процесорами, як CPU та GPU. Як випливає з назви, кожен модуль пам’яті здатний самостійно обробляти дані, зменшуючи кількість даних, необхідних для переміщення між пам’яттю та процесором.

Samsung спочатку продемонструвала PIM-модифіковані графічні процесори в жовтні, але лише нещодавно об’єднала 96 PIM-модифікованих графічних процесорів у кластер. Порівняно зі звичайною відеопам’яттю, ці модифіковані мікросхеми MI100 не тільки працюють у 2,5 рази краще, але й зменшують енергоспоживання в 2,67 рази, різко підвищуючи ефективність графічних процесорів під час виконання алгоритмів ШІ.

Samsung вже деякий час розробляє PIM. У 2021 році компанія продемонструвала кілька реалізацій, які включають кілька різних типів пам’яті, включаючи DDR4, LPDDR5X, GDDR6 і HBM2. У форматі LPDDR5 Samsung відзначила підвищення продуктивності в 1,8 рази зі зниженням енергоспоживання на 42,6% і скороченням затримки на 70% під час тестової програми, що включає робоче навантаження Meta AI. Ще більш вражаючим є те, що ці результати були отримані зі стандартної серверної системи без модифікацій материнської плати чи ЦП (все, що змінилося, це заміна на модулі LPDDR5 DIMM з підтримкою PIM).

Samsung не єдина компанія, яка розробляє мікросхеми PIM — SK Hynix випустила власні модулі PIM на початку цього року. Відповідно до попереднього тестування SK Hynix, їх додаток GDDR6-AiM (прискорювач пам’яті) прискорив обробку штучного інтелекту в 16 разів і знизив енергоспоживання на 80%. Це набагато швидше, ніж модифіковані MI100 від Samsung, але ми не знаємо, що SK Hynix використовувала для тестування, тому це не пряме порівняння.

Незважаючи на це, PIM виглядає як потужне рішення для прискорення робочих процесів, прискорених штучним інтелектом. «Як керівник дослідницького центру штучного інтелекту я хочу зробити Samsung напівпровідниковою компанією, яка використовує штучний інтелект краще, ніж будь-яка інша компанія», — сказав Чой Чанг-кю, віце-президент і голова дослідницького центру ШІ Інституту передових технологій Samsung Electronics. розповіла Business Korea.

BusinessKorea, tomshardware
Кізенко Назарій

Kingston FURY представляє геймерський SSD серії Renegade 

Геймерський підрозділ американської компанії  Kingston Technology — Kingston FURY — оголосив про старт продажів твердотільних накопичувачів Kingston FURY Renegade SSD with Heatsink  — другого покоління SSD PCIe 4.0 NVMe форм-фактора M.2, орієнтованих на застосування в ігрових консолях та геймерських ноутбуках й ПК.

Оснащений низькопрофільним графен-алюмінієвим теплорозподільником із додатковим радіатором, новий накопичувач здатен зберігати температурну стабільність й високу продуктивність навіть під час інтенсивної експлуатації.

Як зазначив, представляючи новинку, бізнес-менеджер з твердотільних накопичувачів  Kingston Кіт Шімменті: «Конструкція Kingston FURY Renegade SSD розширює межі технології PCIe Gen4, надаючи користувачам високопродуктивне сховище на додачу до їх новітніх процесорів та графічних контролерів. Нова модель накопичувачів з додатковим радіатором дозволить геймерам та ентузіастам ПК будувати свої системи у відповідності до все більш високих стандартів майбутніх ігрових платформ, що потребують підвищеної продуктивності й температурної стабільності».

Зокрема, за рахунок максимальної доступної пропускної здатності  PCIe 4.0, найновішого контролера PCIe Gen 4 x4 та ефективного відводу тепла при інтенсивних навантаженнях, твердотільні накопичувачі   Kingston FURY Renegade SSD with Heatsink забезпечують швидкості читання/запису аж до  7 300/7 000 МБ/с та здатні обслужити до  1 000 000 операцій введення-виведення на секунду¹, гарантуючи виключну стабільність швидкісних характеристик, незамінну для ігрового процесу.

При цьому, SSD оптимізовані для скорочення часу завантаження ігор та додатків, комфортного стримінгу й відеозапису, а також до загального підвищення швидкості відгуку системи. Висока ємність, до 4  ТБ², дає можливість зберігати велику бібліотеку ігор та мультимедіа безпосередньо на пристрої, лишаючи достатньо місця для найновіших ресурсомістких ігор й оновлень.

З поповненням лінійки новою моделлю, високопродуктивні накопичувачі  Kingston FURY Renegade доступні користувачам як в класичному форм-факторі з низькопрофільним теплорозподільником для компактних пристроїв, так і в версії з додатковим алюмінієвим радіатором для систем, що працюють під тривалим високим навантаженням.

Твердотільні накопичувачі Kingston FURY Renegade представлені в моделях з ємністю 500 ГБ, 1 ТБ, 2 ТБ й 4 ТБ, та забезпечені обмеженою 5-річною гарантією з безкоштовною технічною підтримкою.

Додаткову інформацію можна отримати на сайті kingston.com.

Особливості PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD Kingston FURY Renegade with Heatsink:

• Технологія PCIe 4.0 NVMe: Домінування на граничних швидкостях до 7 300 МБ/с під час читання та до 7 000 МБ/с — під час запису інформації, а також до 1 мільйона IOPS при випадковому обміні даними.

• Висока ємність: Достатній простір для будь-яких нових ігор та їхніх розширень. Висока продуктивність й об’єм до 4 ТБ для зберігання улюблених ігор та мультимедіа.

•  PS5 Ready™: Вбудований алюмінієвий радіатор забезпечує ефективний тепловідвід для охолодження пам’яті й підтримки її максимальної продуктивності при високих навантаженнях. 

Специфікації PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD Kingston FURY Renegade with Heatsink:

https://www.kingston.com
Паровишник Валерій

G.SKILL анонсує модулі пам'яті DDR5-7800 для процесорів Intel® Core™ 13

G.SKILL International Enterprise Co., Ltd., провідний світовий бренд розігнаної пам'яті та компонентів ПК, радий повідомити про нові специфікації DDR5 DRAM з надзвичайно високою продуктивністю DDR5-7800 у сімействі Trident Z5. Розроблені для використання з останнім настільним процесором Intel Core™ 13-го покоління та платформою чіпсета Intel® Z790, ці нові флагманські специфікації відкривають нову еру продуктивності DDR5.

Доводячи продуктивність пам'яті до межі останнього настільного процесора Intel Core™ 13-го покоління та платформи чіпсета Intel® Z790, G.SKILL оголошує про нові специфікації пам'яті DDR5, які забезпечують неймовірну швидкість DDR5-7800 на CL38 з 32 ГБ (2x16 ГБ) пам'яті, під прапором сімейства Trident Z5. На наступному зображенні показаний комплект пам'яті DDR5-7800. Протестовано на настільному процесорі Intel® Core™ i9-13900K і материнській платі ASUS ROG Maximus Z790 Apex:

Для тих, хто з нетерпінням чекає початку роботи з високопродуктивною розгінною пам'яттю на новітній обчислювальній платформі, набір пам'яті G.SKILL DDR5-7600 CL36-46-46-121 32GB (2x16GB) тепер доступний у роздрібних магазинах і був перевірений на сумісність з Intel XMP 3.0. У зображенні нижче ви можете побачити набір пам'яті DDR5-7600, протестований настільним процесором Intel® Core™ i9-13900K і материнською платою ASUS ROG Maximus Z790 Hero.

Для тих, хто шукає комплект з більшим об'ємом 64 Гб (2x32GB), G.SKILL збільшує швидкість розгону пам'яті до вражаючого DDR5-7400. На малюнку нижче показаний 64 ГБ (2x32 ГБ) високої ємності DDR5-7400 набір пам'яті, протестований на настільному процесорі Intel® Core™ i9-13900K і материнській платі ASUS ROG Maximus Z790 Apex:

G.SKILL, яка розробляє ще більш швидкі набори пам'яті для розгону, розсуває межі можливостей розгону за допомогою новітньої десктопної платформи Intel® Core™ 13-го покоління. В якості технічної демонстрації G.SKILL показує досягнення блискавичного над швидкого комплекту пам'яті DDR5-8000 2x16 GB, що працює з низькою затримкою CL38-48-48-125 з настільним комп'ютером на Intel® Core™ i9-13900K і материнською платою  ASUS ROG Maximus Z790 Apex.

Лінійка продукції серії Trident є синонімом розгіну та заслуговує на увагу до своїх характеристик, і ці новинки не є винятком. Ці нові технічні характеристики, призначені для використання з останнім настільним процесором Intel Core™ 13-го покоління і платформою чіпсета Intel® Z790, пропонують варіанти високої ємності або високої частоти в серіях Trident Z5 RGB і Trident Z5. См. Список специфікацій DRAM нижче:

Підтримуючи профілі розгону пам'яті Intel XMP 3.0 для легкого розгону через BIOS материнської плати, ці нові специфікації пам'яті для настільної платформи Intel® Core™ 13-го покоління будуть доступні через партнерів G.SKILL по всьому світу.

https://www.techpowerup.com
Паровишник Валерій

TEAMGROUP представила оперативну пам'ять для оверклокінгу T-FORCE DELTA RGB DDR5 7200MHz

Світовий лідер у галузі виробництва оперативної пам'яті TEAMGROUP виходить на ринок з оперативною пам'яттю під брендом T-FORCE з покращеними технічними характеристиками для оверклокінгу T-FORCE DELTA RGB DDR5 7200MHz. Вона сумісна з CPU Intel 13-го, нового покоління та материнськими платами новітньої 700 серії. Ця нова розробка компанії TEAMGROUP надає геймерам усього світу чудові можливості для отримання небувалих насолод від швидкості та потужності роботи всієї операційної системи.

Завдяки високоякісним IC компонентам і видатним можливостям лабораторії T-FORCE в галузі досліджень і розробок, DELTA RGB DDR5 може пропонувати на вибір двоканальні комбінації 2x16GB з частотами 6800MHz, 7000MHz і 7200MHz. Крім того, T-FORCE DELTA RGB DDR5 оснащена модулем радіаторів, у яких використовуються високоякісний силікон та геометричний алюмінієвий сплав для покращених показників відведення тепла. Програмне забезпечення DELTA RGB DDR5 для керування світловими ефектами отримало сертифікати якості від таких провідних виробників материнських плат, як ASRock, ASUS, Biostar, GIGABYTE та MSI. Все це показує, що DELTA RGB DDR5 здатна ефективно забезпечувати відведення тепла та стабільну роботу загальної операційної системи в режимі оверклокінгу. Геймери також можуть експериментувати з візуальними ефектами, передбаченими в RGB системі.

https://www.techpowerup.com
Паровишник Валерій