Samsung почала масове виробництво 256-гігабітних 3D V-NAND флеш-мікросхем

Компанія Samsung повідомила про запуск у масове виробництво перших в індустрії 256-гігабітних (32-гігабайтних) тривимірних (3D) флеш-мікросхем V-NAND, які використовують 48-шарову структуру та можуть зберігати 3 біти інформації в одній комірці.

Нагадаємо, що в серпні 2014 року компанія Samsung представила друге покоління флеш-мікросхем V-NAND, яке використовує 32-шарову структуру та дозволяє зберігати 3 біти даних в одній комірці. Саме на основі цих мікросхем побудовані 2-терабайтні моделі твердотільних дисків серій Samsung 850 Pro і 850 EVO. Таким чином, представлені мікросхеми V-NAND третього покоління з 48-шаровою структурою та обсягом 256-гігабіт дозволять подвоїти максимальний обсяг при збереженні поточної кількості чіпів на диску або ж у два рази зменшити кількість чіпів для досягнення аналогічного обсягу кінцевого SSD.

До того ж новинки характеризуються 30% зниженням енергоспоживання та 40% підвищенням швидкодії в порівнянні з 32-шаровими чіпами V-NAND другого покоління. Використовуватися ж дані мікросхеми будуть не тільки в користувацьких твердотільних дисках, але й у серверних SSD з інтерфейсом NVMe і SAS.

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Toshiba створила 16-шарову стекову NAND-пам'ять за допомогою технології TSV

Компанія Toshiba повідомила про успішне створення першого у світі 16-шарового чіпа NAND флеш-пам’яті. Для реалізації цього проекту була використана технологія Through Silicon Via (TSV), яка передбачає наявність спеціальних вертикальних електродів. Вони проходять через усю структуру, об’єднуючи всі використовувані ядра флеш-пам'яті в одне ціле.

У результаті такого підходу пропускна здатність (I/O data rate) перевищила 1 Гбіт/с, що вище показника будь-якої існуючої NAND-мікросхеми. При цьому робоча напруга становить 1,2 – 1,8 В (залежно від фізичного розміщення ядер), а зниження споживаної потужності при операціях читання та запису досягає 50%.

Перші прототипи нової стекової пам'яті компанії Toshiba характеризуються загальним обсягом 128 ГБ (8 шарів) і 256 ГБ (16 шарів) при висоті 1,35 і 1,9 мм відповідно. На думку розробників, вони відмінно підходять для використання в різних сферах: від масових користувацьких пристроїв до високопродуктивних SSD-дисків корпоративного класу завдяки низьким затримкам, високій пропускній здатності та відмінній енергоефективності.

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

SSD-накопичувач ADATA Premier SP550 з TLC NAND-пам'яттю

Компанія ADATA представила новий 2,5-дюймовий твердотільний накопичувач – ADATA Premier SP550. Він побудований на зв’язці TLC NAND-пам'яті, контролера Silicon Motion SM2256 та інтерфейсу SATA 6 Гбіт/с, завдяки чому досягається оптимальне поєднання надійності, продуктивності й вартості.

На ринку модель ADATA Premier SP550 буде доступна в чотирьох варіантах об’єму: 120, 240, 480 і 960 ГБ. При цьому максимальна послідовна швидкість читання та запису стискуваних даних досягає 560 і 510 МБ/с відповідно. А максимальна швидкість читання та запису довільних даних заявлена на рівні 75 000 IOPS.

Для підвищення продуктивності в ADATA Premier SP550 використовується технологія SLC caching, а от набір технологій NANDXtend (data shaping, LDPC ECC, RAID engine) сприяє збільшенню стабільності й надійності функціонування.

Докладна таблиця технічної специфікації твердотільного накопичувача ADATA Premier SP550:

http://adata.com
Сергій Буділовський

Toshiba представила 48-шарові BiCS TLC-мікросхеми пам'яті об’ємом 256 Гбіт

Домінуючою технологією на ринку флеш-пам'яті на даний момент є NAND Flash, однак компанія Toshiba з 2007 року активно розвиває й конкуруюче рішення – BiCS Flash (Bit Cost Scalable). Зокрема, днями вона представила нове покоління цих мікросхем, які використовують тривимірну (3D) стекову 48-шарову структуру з можливістю запису 3 біти в одну комірку (triple-level cell, TLC). Завдяки цьому вони можуть похвалитися дуже високою ємністю – 256 Гбіт або 32 ГБ.

У результаті 3D BiCS-структура не тільки перевершила традиційні 2D NAND-мікросхеми в питанні об’єму, але й може похвалитися підвищеною швидкістю запису та поліпшеною надійністю при записі й стиранні даних.

Нові BiCS-мікросхеми компанії Toshiba призначені для використання в користувацьких і промислових SSD-накопичувачах, смартфонах, планшетах і картах пам'яті. Випуск перших зразків даних чіпів почнеться вже у вересні, тому незабаром на ринок надійдуть і перші зразки готових продуктів на їхній основі.

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Захищений зовнішній накопичувач ADATA HD720 обсягом до 2 ТБ

Дуже часто інформація коштує значно дорожче, ніж фізичний носій для її транспортування, тому до    останнього можуть пред'являтися підвищені вимоги в плані захисту даних від руйнівного впливу певних фізичних фактів. Новий зовнішній накопичувач ADATA HD720 напевно сподобається в цьому плані багатьом користувачам.

Справа в тому, що він відповідає стандартам IP68 і MIL-STD-810G 516.6, тобто захищає внутрішню електроніку від пилу, води (занурення на 2 метри протягом 120 хвилин) і падінь з висоти 1,8 м. Для цього конструкція новинки містить у собі внутрішній захисний кожух, зовнішній пластиковий кейс і додаткову силіконову накладку.

Сама ж модель ADATA HD720 доступна в трьох варіантах обсягу (500 ГБ, 1 і 2 ТБ) і оснащена інтерфейсом USB 3.0. На її корпусі можна зручно й надійно закріпити кабель USB 3.0, який використовується для передачі даних і живлення внутрішніх вузлів.

Серед додаткових переваг ADATA HD720 слід виділити:

• наявність сенсора G Shock, який зупиняє операції читання / запису при фіксуванні падіння або удару, що запобігає пошкодження внутрішніх компонентів;
• наявність спеціального індикатора, який сигналізує про найбільш важливі моменти при експлуатації;
• можливість завантаження функціонального додаткового ПЗ (HDDtoGO і OStoGO).

У продаж новинка надійде із 3-річною гарантією. Зведена таблиця технічної специфікації накопичувача ADATA HD720:

http://www.adata.com
Сергій Буділовський

Intel і Micron повідомляють про прорив у питанні зберігання даних

Компанії Intel і Micron презентували спільну технологію 3D XPoint, яку вони скромно назвали технологічним проривом в області постійної пам'яті, порівнявши з винаходом NAND-пам'яті в 1989 році.

Повідомляється, що побудовані на базі 3D XPoint накопичувачі поєднують у собі високий рівень продуктивності (в 1000 разів швидші, аніж NAND), надійності (в 1000 разів) і щільності зберігання (у 100 разів), а також низьке енергоспоживання та доступну вартість.

Технологія 3D XPoint передбачає використання інноваційної хрестоподібної тривимірної архітектури, у якій комірки пам'яті розташовані на перетині ліній бітів і слів, що дозволяє індивідуально звернутися до будь-якої комірки. У результаті можна швидше записувати й зчитувати потрібні дані, що суттєво прискорює обмін інформацією.

Перші пристрої на основі технології 3D XPoint будуть доступні в якості тестових зразків уже до кінця цього року. Компанії Intel і Micron будуть розробляти власні продукти на її основі.

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

SanDisk обіцяє 6- і 8-ТБ SSD-накопичувачі в 2016 році

Схоже, що виробникам традиційних HDD-дисків необхідно активізувати свої зусилля в питанні розробки нових технологій і методів запису даних для істотного підвищення загального обсягу. Справа в тому, що SSD-накопичувачі вже зовсім скоро можуть позбавити HDD-пристрої їх традиційної переваги в плані великого об’єму.

Зокрема, компанія SanDisk повідомила, що в 2016 році вона планує перейти на 15-нм NAND флеш-мікросхеми пам'яті, що дозволить їй збільшити максимальний обсяг SSD з 4 до 6 і 8 ТБ. Ці новинки будуть оснащені інтерфейсом SAS 12 Гбіт/с і націлені на серверні системи. Повідомляється, що нові мікросхеми усе ще використовують MLC-дизайн замість більш прогресивного 3D V-NAND. Тобто 8 ТБ – це далеко не межа для 15-нм техпроцесу.

До того ж аналітики прогнозують, що вже у 2017 році показник вартості зберігання гігабайта інформації на SSD і HDD буде приблизно однаковий, тобто традиційні жорсткі диски втратять і перевагу в ціні. Прогнози щодо щільності запису інформації також не на користь HDD-дисків: перевага SSD у найближчому майбутньому оцінюється в 10-кратному розмірі (16 проти 1,6 ТБ).

http://wccftech.com
Сергій Буділовський

Сховище Buffalo DriveStation Ultra з 10-ма накопичувачами

Будучи провідним виробником зовнішніх систем зберігання та мережевих систем зберігання даних, компанія Buffalo Americas повідомила про наявність нового сховища з прямим підключенням під назвою Buffalo DriveStation Ultra. Новинка розрахована на 10 накопичувачів і, за словами виробника, забезпечить високу швидкість передачі даних великого розміру, включаючи відео формату 4K.    

Пристрій доступний в модифікаціях на 40 і 80 ТБ. Сховище оснащене інтерфейсом Thunderbolt 2 і забезпечує швидкість передачі даних у режимі запису на рівні 1243 МБ/с при використанні конфігурації RAID 0.

До того ж, виробник відзначає підтримку масивів RAID 5 і RAID 6. Важливо відзначити, що новинка оснащена непоганим комплектом портів, серед яких: два Thunderbolt, один eSATA, а також один USB 3.0. Також на сховище поширюється 2-річна гарантія від виробника. Пристрій сумісний з комп'ютерами під керуванням операційних систем OS X і Windows.

Модель обсягом 40 ТБ оцінена в $4800, а пристрій на 80 ТБ – в $10000. Продукти вже надійшли у продаж.  

http://www.techpowerup.com
Мартинець Марія