Комп'ютерні новини
Оперативна пам’ять
Corsair Dominator GTX – новий 8 ГБ комплект DDR3-пам’яті
Компанія Corsair представила новий двоканальний комплект високошвидкісної оперативної пам’яті Dominator GTX стандарту DDR3. До його складу входить два модуля, об’ємом 4 ГБ кожен. Вони функціонують на тактовій частоті 2400 МГц при напрузі живлення 1,65 Вт. Відзначимо, що до складу модулів Corsair Dominator GTX входять лише ті мікросхеми пам’яті, які пройшли чотири стадії відбору і підтвердили високі функціональні можливості, надійність та стабільність своєї роботи.

В якості системи охолодження, рішення Corsair Dominator GTX оснащуються фірмовим радіатором, що володіє підтримкою технології DHX+. Її суть полягає у використанні методів конвекції та провідності для забезпечення ефективного охолодження мікросхем пам’яті та друкованої плати. Додатково комплект поставки включає активну двовентиляторну систему охолодження Corsair AirFlow 2 GTL, яка буде корисною при подальшому збільшенні тактових частот нових модулів.

Таблиця технічної специфікації нового комплекту оперативної пам’яті Corsair Dominator GTX виглядає наступним чином:
|
Модель |
Dominator GTX |
|
Тип |
DDR3 |
|
Загальний об’єм, ГБ |
8 (2 x 4) |
|
Номінальна тактова частота, МГц |
2400 |
|
Таймінги |
9-11-10-30 |
|
Напруга живлення, В |
1,65 |
|
Орієнтовна ціна, $ |
499 |
http://www.tcmagazine.com
http://www.corsair.com
Сергій Буділовський
Kingston HyperX Plug and Play – нова серія оперативної пам’яті для систем на базі процесорів Intel Sandy Bridge
Розширюючи власний модельний ряд високопродуктивної оперативної пам’яті, компанія Kingston представила нову серію HyperX Plug and Play. До її складу увійшли двоканальні набори модулів стандарту DDR3 DIMM та DDR3 SO-DIMM, які орієнтовані на використання в десктопних та мобільних комп’ютерах, зібраних на базі процесорів лінійки Intel Core i5 / Core i7 (Sandy Bridge).
Новинки об’ємом 4 ГБ і 8 ГБ, функціонують на тактовій частоті 1600 МГц / 1866 МГц і підтримують налаштування, сумісні з рекомендаціями організації JEDEC. В якості пасивної системи охолодження модулі серії Kingston HyperX Plug and Play оснащені компактним радіатором, поверхня якого вкрита вентиляційними отворами для покращення циркуляції повітря.

Новинки вже надійшли у продаж з довічною гарантією. Зведена таблиця технічної специфікації модулів оперативної пам’яті серії Kingston HyperX Plug and Play має наступний вигляд:
|
Модель |
KHX1600 |
KHX1600 |
KHX1600 |
KHX1600 |
KHX1866 |
KHX1866 |
|
Тип |
DDR3 DIMM Non-ECC |
DDR3 DIMM Non-ECC |
DDR3 SO-DIMM Non-ECC |
DDR3 SO-DIMM Non-ECC |
DDR3 SO-DIMM Non-ECC |
DDR3 SO-DIMM Non-ECC |
|
Загальний об’єм, ГБ |
8 (2 x 4) |
4 (2 x 2) |
8 (2 x 4) |
4 (2 x 2) |
8 (2 x 4) |
4 (2 x 2) |
|
Тактова частота, МГц |
1600 |
1600 |
1600 |
1600 |
1866 |
1866 |
|
Напруга живлення, В |
1,5 | |||||
|
Таймінги |
9-9-9 |
9-9-9 |
9-9-9 |
9-9-9 |
11-11-11 |
11-11-11 |
|
Гарантія |
довічна | |||||
|
Рекомендована ціна, $ |
122 |
67 |
122 |
67 |
163 |
88 |
http://www.kingston.com
http://www.tcmagazine.com
Сергій Буділовський
Intel та Micron розробили 20-нм NAND флеш-мікросхеми пам’яті
Компанія IM Flash Technologies, яка є спільним підприємством Intel та Micron, оголосила про успішне завершення процесу розробки 8 ГБ (64 Гб) NAND флеш-мікросхем пам’яті з багаторівневою структурою комірок (MLC), при виготовленні яких використовувалися норми 20-нм технологічного процесу. Нагадаємо, що на сьогоднішній день основні представники ринку SSD-накопичувачів лише починають випускати перші рішення на базі 25-нм технології, завершивши перехід від 34-нм мікросхем.

Нові 8 ГБ NAND флеш-чіпи пам’яті володіють площею 118 мм2, що складає на 30-40% менше, ніж у рішень виготовлених з використанням 25-нм техпроцесу. Це дозволяє ефективніше використовувати матеріальні ресурси, підвищити щільність запису інформації та збільшити об’єм SSD-накопичувачів при використанні стандартного форм-фактору.

Що ж стосується рівня продуктивності та довговічності новинок, то за даними показниками вони не поступаються своїм попередникам. Очікується, що у масовий продаж 20-нм 8 ГБ NAND флеш-мікросхеми пам’яті надійдуть у другій половині 2011 року, однак перші SSD-накопичувачі, виготовлені на їх основі, з’являться не раніше 2012.
Також стало відомо, що компанія IM Flash Technologies незабаром представить 16 ГБ NAND флеш-мікросхеми, які також використовують норми 20-нм техпроцесу. При цьому, розміри новинок будуть менші, ніж у поштової марки США.
http://www.tcmagazine.com
http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський
Hynix представила оперативну пам’ять стандарту DDR4
Південнокорейська компанія Hynix Semiconductor з гордістю повідомила про успішне завершення процесу розробки нових 2 Гб чіпів оперативної пам’яті стандарту DDR4 і представила перший власний 2 ГБ модуль DDR4 ECC-SODIMM, зібраний на їх основі. Новинка виготовлена з використанням норм 30-нм техпроцесу і підтримує технологію автоматичної корекції помилок ECC. Вона відповідає стандартам організації JEDEC та націлена на використання в мікро-серверах.

Новинка функціонує на тактовій частоті 2400 МГц, при напрузі живлення 1,2 В. Масове виробництво нових модулів DDR4-пам’яті компанія Hynix планує почати в другій половині 2012 року.
Відзначимо, що згідно дослідженням ринку оперативної пам’яті, проведеного компанією iSuppli, частка модулів стандарту DDR4 у 2013 році складатиме усього 5%. Однак очыкуэться, що вже у 2015 році показник перевищить 50%. В той же час DDR3-пам’ять досягне свого піку у 2012 році з часткою 71% і надалі її позиції будуть зменшуватися. У 2014 році її доля складатиме 49% і продовжуватиме скорочуватися.
Таблиця технічної специфікації нової оперативної пам’яті від компанії Hynix виглядає наступним чином:
|
Тип |
DDR4 ECC-SODIMM |
|
Норми техпроцесу виготовлення, нм |
30 |
|
Загальний об’єм, ГБ |
2 |
|
Об’єм використаних мікросхем пам’яті, Гб |
2 |
|
Тактова частота, МГц |
2400 |
|
Напруга живлення, В |
1,2 |
|
Ширина смуги пропускання, ГБ/с |
19,2 |
|
Розрядність шини даних, біт |
64 |
|
Орієнтовний початок масового виробництва |
друга половина 2012 |
http://www.tcmagazine.com
http://www.hynix.com
Сергій Буділовський
Розширення лінійки високопродуктивної оперативної пам’яті Corsair Vengeance
Лінійка DDR3 оперативної пам’яті Corsair Vengeance, яка була розроблена спеціально для ентузіастів та оверклокерів, поповнилася трьома моделями. Новинки представлені у вигляді дво- і триканальних наборів загальним об’ємом 4 ГБ (2 х 2 ГБ), 6 ГБ (3 х 2 ГБ) та 12 ГБ (3 х 4 ГБ). Відзначимо, що вони отримали сертифікат Intel XMP, який свідчить не лише про їх високу надійність і продуктивність, але й про відмінний розгінний потенціал.

Нові рішення лінійки Corsair Vengeance функціонують при напрузі живлення 1,5 В. Під час проведення тестування було встановлено тактову частоту на рівні 2000 МГц, при цьому таймінги складали 10-10-10-27.
В якості системи охолодження, нові модулі лінійки Corsair Vengeance оснащуються традиційним алюмінієвим радіатором, виготовленим у формі «гребінця». Завдяки цьому збільшується ефективна площа поверхні та покращується проходження повітряного потоку, що пришвидшує процес тепловідведення.

Таблиця технічної специфікації нових модулів оперативної пам’яті Corsair Vengeance виглядає наступним чином:
|
Модель |
CMZ4GX3M2A |
CMZ6GX3M3A |
CMZ12GX3M3A |
|
Об’єм, ГБ |
4 (2 х 2) |
6 (3 х 2) |
12 (3 х 4) |
|
Тип |
PC3-16000 DIMM DDR3 | ||
|
Тактова частота (SPD), МГц |
1333 | ||
|
Тактова частота (Тестова), МГц |
2000 | ||
|
Напруга живлення, В |
1,5 | ||
|
Таймінги (SPD) |
9-9-9-24 | ||
|
Таймінги (Тестові) |
10-10-10-27 | ||
|
Гарантія |
довічна | ||
|
Підтримка Intel XMP |
+ | ||
|
Орієнтовна ціна, € |
54,7 |
105,69 |
209,89 |
http://www.tcmagazine.com
http://www.corsair.com
Сергій Буділовський
Новий дизайн радіатора для модулів оперативної пам’яті лінійки Kingston HyperX Genesis
Компанія Kingston вирішила оновити дизайн модулів оперативної пам’яті лінійки HyperX Genesis шляхом заміни радіатора. Нова пасивна система охолодження використовує традиційну, для рішень компанії, синю кольорову гаму з нанесеними зверху військовими/балістичними позначками. По всій довжині нового радіатору зроблені вентиляційні отвори, які дозволяють повітрю потрапляти всередину системи охолодження і прискорювати відведення надлишкового тепла від мікросхем пам’яті.

Старий варіант дизайну радіатора
Нагадаємо, що до складу лінійки Kingston HyperX Genesis входять одиничні модулі, а також дво- і триканальні набори. Вони функціонують на тактових частотах 1333 МГц – 2133 МГц та можуть використовуватися як з системами на базі процесорів Intel і AMD. Як заявляють розробники, серійний номер модулів пам’яті не зміниться і збережеться довічна гарантія. Однак, відсутня інформація щодо впливу такого нововведення на ціну новинок.

Новий варіант дизайну радіатора
Зведена таблиця технічної специфікації модулів серії Kingston HyperX Genesis виглядає наступним чином:
|
Кількість підтримуваних каналів |
1 / 2 / 3 |
|
Загальний об’єм, ГБ |
1 (1 х 1) – 24 (6 х 4) |
|
Тактова частота, МГц |
1333 – 2133 |
|
Таймінги |
7-7-7-20 – 9-10-9-27 |
|
Напруга живлення, В |
1,65 – 1,9 |
|
Гарантія |
довічна |
http://www.tcmagazine.com
http://www.kingston.com
Сергій Буділовський
Нові серії серверної оперативної пам’яті Apacer Mini RDIMM DDR2-667 та SO-RDIMM DDR2-667
Ассортимент серверної оперативної пам’яті компанії Apacer поповнили дві нові серії: Mini RDIMM DDR2-667 та SO-RDIMM DDR2-667. Обидві лінійки функціонують на тактовій частоті 667 МГц при напрузі живлення 1,8 В та відповідають стандартам JEDEC і RoHS.

До складу серії Apacer Mini RDIMM DDR2-667 увійшли два модуля, об’ємом 512 МБ та 1 ГБ, які для свого встановлення використовують 244-контактний слот. Лінійку Apacer SO-RDIMM DDR2-667 утворюють три модуля, об’ємом від 512 МБ до 2 ГБ. Їх монтаж здійснюється в 200-контактний слот.

У продаж рішення обох серій надійдуть з довічною гарантією. Порівняльна таблиця технічної специфікації нових модулів серверної оперативної пам’яті Apacer Mini RDIMM DDR2-667 та SO-RDIMM DDR2-667 має наступний вигляд:
|
Тип |
Mini RDIMM (Registered DIMM) DDR2 |
SO-RDIMM (Registered DIMM) DDR2 |
|
Об’єм, МБ |
512 / 1024 |
512 / 1024 / 2048 |
|
Тактова частота, МГц |
667 | |
|
Архітектура пам’яті |
8 х FBGA DRAM мікросхем | |
|
Напруга живлення, В |
1,8±0,1 | |
|
Ширина смуги пропускання, МБ/с |
5400 | |
|
Кількість контактів |
244 |
200 |
|
Таймінги CAS |
5-5-5 | |
|
Висота модуля, мм |
29,97 | |
|
Підтримувані стандарти |
JEDEC, RoHS | |
|
Гарантія |
довічна | |
http://eu.apacer.com
Сергій Буділовський
Нові серія високопродуктивної оперативної пам’яті Kingston HyperX T1 Black
Анонсована нова серія оперативної пам’яті Kingston HyperX T1 Black. Вона націлена на сегмент високопродуктивних систем, зібраних на базі процесорного сокету Intel LGA 1366. До її складу увійшло три триканальних набори DDR3 DIMM-пам’яті загальним об’ємом 6 ГБ, 12 ГБ та 24 ГБ. Усі моделі серії Kingston HyperX T1 Black функціонують на тактовій частоті 1600 МГц при таймінгах CL9. Відзначимо, що новинки підтримують вимоги специфікації Intel XMP, що гарантує їх високу ефективність та надійність.

Система охолодження рішень Kingston HyperX T1 Black складається з пасивного радіатору, який виготовлено у формі гребінця. Це дозволяє збільшити ефективну площу поверхні та забезпечує проходження повітряних потоків крізь них, прискорюючи процес теплообміну.
Як заявляють представники компанії Kingston, серія оперативної пам’яті HyperX T1 Black є ідеальним рішенням для використання в парі з новою материнської платою GIGABYTE G1.Assassin. Для підтвердження вищесказаного була підготовлена невеличка відео-презентація.
Порівняльна таблиця нових триканальних наборів оперативної пам’яті Kingston HyperX T1 Black:
|
Модель |
KHX1600C9D3T1BK6/ |
KHX1600C9D3T1BK3/ |
KHX1600C9D3T1BK3/ |
|
Тип модулів |
DDR3 DIMM Non-ECC | ||
|
Кількість модулів |
6 |
3 | |
|
Загальний об’єм, ГБ |
24 |
12 |
6 |
|
Тактова частота, МГц |
1600 | ||
|
Таймінги |
9-9-9-27 | ||
|
Гарантія |
довічна | ||
|
Орієнтовна ціна, $ |
379 |
190 |
104 |
http://www.techpowerup.com
http://www.kingston.com
Сергій Буділовський
Показати ще









