Elpida анонсувала 2 Гб DDR3-чіпи оперативної пам’яті за 30 нм техпроцесом

Японська компанія Elpida завершила розробку 2 Гб чіпів оперативної пам’яті стандарту DDR3, при виготовлені яких використовувалися норми 30 нм технологічного процесу. Перехід на новий техпроцес забезпечить збільшення на 45% кількості мікросхем, що виготовляються з однієї пластини, в порівнянні з 40 нм чіпами. Це дозволить ефективніше використовувати сировину і зменшити кінцеву собівартість їх виготовлення. Також новинки володіють зниженим на 15% рівнем споживанням струму в активному режимі і на 10% - в режимі очікування, що сприятиме зниженню їх загальної потужності споживання.

Нові чіпи від компанії Elpida відповідають стандарту організації JEDEC і зможуть бути використані при виготовленні стандартних (1,5 В) модулів оперативної пам’яті DDR3-1866 МГц та низьковольтних (1,35 В) планок DDR3L-1600 МГц.

Масове виробництво 2 Гб DDR3-чіпів оперативної пам’яті за 30 нм технологічним процесом почнеться в грудні поточного року.

http://www.tcmagazine.com
Сергій Буділовський

Silicon Power анонсувала нову лінійку оперативної пам’яті DDR3-1333 МГц

Компанія Silicon Power має намір в найближчому майбутньому почати продаж нової лінійки оперативної пам’яті, яка повністю сумісна з платформами Intel та AMD. До модельного ряду входять одинарні 4 ГБ модулі, двоканальні 8 ГБ (2 х 4 ГБ) та триканальні 12 ГБ (3 х 4 ГБ) набори.

Новинки працюють на тактовій частоті 1333 МГц, використовують топологію Fly-by для ефективнішої організації сигналів даних, адрес, керування та синхронізації, а також підтримують технологію ODT (On-DIE Termination), яка суттєво зменшує небажані відбивання сигналів та збільшує швидкість передачі інформації. Інтегрований код корекції помилок (ECC) підвищує надійність роботи оперативної пам’яті. Кожна планка проходить повний цикл тестування на ефективність та стабільність характеристик. Таблиця специфікації нових модулів пам’яті Silicon Power виглядає наступним чином:

http://www.tcmagazine.com
http://www.silicon-power.com
Сергій Буділовський

Toshiba анонсує найшвидші карти пам’яті формату SDHC та micro-SDHC

Одразу ж після анонсу компанією Panasonic нових флеш-карт формату SDHC, інша японська компанія Toshiba представила свої SDHC та micro-SDHC-карти пам’яті, які відповідають стандарту SD Memory Card версії 3.0, використовують інтерфейс UHS-I та забезпечують найвищі показники швидкості читання/запису. Вже сьогодні відвідувачі берлінської виставки IFA 2010 зможуть на власні очі побачити ці новинки.

Специфікація карт пам’яті Toshiba SDHC

Специфікація карт пам’яті Toshiba micro-SDHC

http://www.tcmagazine.com
http://www.toshiba.co.jp
Сергій Буділовський

A-DATA XPG Gaming DDR3L-1333G – нова серія ігрових модулів пам’яті із зниженим енергоспоживанням

Компанія A-DATA Technology розширила лінійку ігрових модулів оперативної пам’яті XPG Gaming новою серією DDR3L-1333G, до складу якої входять як окрема 2 ГБ планка, так і набори дво- і триканальної пам’яті. Новинки характеризуються зниженим значенням напруги живлення. Як заявляють розробники, зменшення напруги живлення до рівня 1,25 – 1,35 В дозволить скоротити викид CO₂ , зменшити витрати електроенергії та досягти оптимального балансу між продуктивністю та стабільністю системи в цілому.

A-DATA XPG Gaming DDR3L-1333G виготовленні з використанням 6-шарового дизайну друкованої плати та алюмінієвого радіатора, оптимізовані для застосування у 64-бітних версіях операційних систем  та орієнтовані на ринок десктопних комп’ютерів і мультимедійних центрів (HTPC). Специфікація нових модулів пам’яті A-DATA XPG Gaming DDR3L-1333G має наступний вигляд:

http://www.tcmagazine.com
http://benchmarkreviews.com
http://www.adata.com.tw
Сергій Буділовський

Toshiba починає масове виробництво 24 нм NAND Flash-пам’яті

Нещодавно ми повідомляли про початок поставок 3-бітної NAND Flash-пам’яті виготовленої за 25-нм техпроцесом компаніями Intel та Micron. Проте вже сьогодні, Toshiba Corporation заявила про масове виробництво нових 32 Гб мікросхем із застосуванням 24-нм технологічного процесу з багаторівневою структурою комірок (MLC), кожна з яких здатна зберігати три біти даних (3 bit per cell, 3bpc). Це нововведення дозволить зменшити площу кристалу, знизити вартість виробництва та підвищити об’єм чіпів. Як повідомляться в офіційному прес-релізі, даний техпроцес вже застосовується для виготовлення 64 Гб мікросхем з двома бітами на комірку (2bpc).

Нові 32 Гб чіпи також комплектуватимуться технологією Toggle DDR, яка повинна збільшити швидкість передачі даних. Дані мікросхеми будуть широко використовуватися в мобільних пристроях, лептопах та SSD-накопичувачах і дозволять компанії Toshiba зміцнити свої позиції на даному ринку.

http://www.tcmagazine.com
http://www.toshiba.co.jp
Сергій Буділовський

Деталі оперативної пам’яті стандарту DDR4

Оскільки перехід з стандарту DDR2 на DDR3 практично завершився і найбільш потужні виробники оперативної пам’яті до кінця поточного року переведуть основні виробничі можливості на виготовлення DDR-модулів третього покоління, то організація JEDEC анонсувала своє бачення наступної генерації оперативної пам’яті – DDR4.

Нові модулі працюватимуть в діапазоні частот 2133 МГц – 4266 МГц та напруг живлення в районі 1,1 В – 1,2 В, хоча, також озвучується цифра 1,05 В для мобільних пристроїв. Загальна швидкодія пам’яті повинна зрости, незважаючи на подальший ріст таймінгів.

Існують і певні недоліки нового стандарту. На фоні збільшення тактової частоти роботи, контроллер зможе працювати лише з одним модулем, що призводить до необхідності збільшувати щільність мікросхем пам’яті, а отже і впровадження нових техпроцесів: 32-нм та 25-нм. Досягнення такого рівня виробничих можливостей очікується не раніше 2013 року, тому масове виготовлення оперативної пам’яті DDR4 планується лише в 2015 році.

http://www.nordichardware.com
http://pc.watch.impress.co.jp
Сергій Буділовський

PQI анонсувала низьковольтні DDR3 SO-DIMM модулі пам’яті

Враховуючи високі потреби ринку ноутбуків та нетбуків у швидкій та малопотужній оперативній пам’яті, компанія PQI представила нові DDR3 SO-DIMM модулі, що здатні функціонувати на частотах 1333 МГц та 1066 МГц. Номінальна напруга живлення новинок складає 1,35 В, що в порівнянні з 1,5 В модулями дозволяє заощаджувати 10% електроенергії, збільшуючи час автономної роботи батареї.

Нові планки пам’яті будуть доступні в двох варіантах ємності: 1 ГБ та 2 ГБ. Кожний модуль проходить суворий контроль на стабільність характеристик та надійність роботи, тому PQI поширила на них довічну гарантію. Специфікація нових модулів оперативної пам’яті виглядає наступним чином:

http://www.pqi.com.tw
Сергій Буділовський

Анонс двоканального набору пам’яті Transcend aXeRam DDR3-2400 4 Гб для комп’ютерів з процесорами Core i7

Компанія Transcend запустила двоканальні набори пам’яті aXeRam DDR3-2400 з об’ємом 4 Гб, які було створено спеціально для систем з процесорами Core i7 під сокет Intel LGA 1156. Завдяки можливості працювати за неймовірно високої частоти до 2400 МГц з напругою живлення усього 1.65 В, ці нові набори DDR3 з підтримкою XMP випереджають за продуктивністю стандартну пам'ять для цієї платформи приблизно на 60%.

Найдосконаліші двоканальні набори пам’яті від Transcend, які працюють за частоти 2400 МГц, піднімають продуктивність системи завдяки досконалому поєднанню низької напруги, високої частоти та низьких затримок. Кожен набір 4GB DDR3 збирається з двох ідентичних модулів, які працюють за частоти 2400 МГц з таймінгами 9-11-9-28 та напругою живлення усього 1.65 В, пропонуючи таким чином неймовірну теоретичну пропускну здатність - до 38.4 Гб/с. На практиці робоча частота 2400 МГц означає збільшення продуктивності до 60% в реальних програмах у порівнянні зі стандартними модулями, які мають частоту 1333 МГц. Таким чином шанувальники розгону та хардкорні геймери можуть підняти продуктивність свого комп’ютера на базі процесора Intel Core i7 на якісно новий рівень.

Двоканальні набори пам’яті aXeRam DDR3-2400 пройшли тестування на платах з чіпсетом Intel P55, з ASUS P7P55D Premium та ASUS P7P55D Deluxe включно. Завдяки використанню високоефективних алюмінієвих радіаторів з оребренням ці модулі пропонують дивовижні розгінні можливості, за будь-яких умов зберігаючи низьку робочу температуру.

Заради покращення стабільності та цілісності сигналу за високих робочих частот всі модулі пам’яті aXeRam збираються з восьми високоякісних мікросхем DDR3 FBGA з об’ємом 128 Мб на міцній печатній платі, яка повністю відповідає жорстким стандартам JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council).

Transcend