Пошук по сайту

up

Комп'ютерні новини

Оперативна пам’ять

Високопродуктивна оперативна пам’ять Patriot Viper Xtreme DDR3-2000

Компанія Patriot анонсувала появу нової серії DDR3 оперативної пам’яті Viper Xtreme, яка є частиною лінійки Extreme Performance (EP). В модельний ряд входять високопродуктивні рішення для платформи Intel P55. На сьогодні, серія Patriot Viper Xtreme налічує два комплекти двоканальної пам’яті загальним об’ємом 4 ГБ та 8 ГБ, які працюють на тактовій частоті 2000 МГц.

Пасивна система охолодження нових модулів серії Patriot Viper Xtreme складається з унікального радіатору, в конструкції якого використано алюмінієві і мідні елементи, що дозволило покращити тепловідведення на 5% в порівнянні з традиційними рішеннями. Новинки підтримують специфікацію Intel XMP 1.2, що свідчить про їх високий оверклокерський потенціал. Кожен модуль проходить 100% тестування та перевірку на працездатність, що дозволяє компанії Patriot надати довічну гарантію. Специфікації нової оперативної пам’яті Patriot Viper Xtreme представлена у нижчеподаній таблиці:

Тип

PC3-16000 Non-ECC Unbuffered

Об’єм, ГБ

4 (2 х 2) / 8 (2 х 4)

Тактова частота, МГц

2 000

Напруга живлення, В

1,65

Таймінги

9-10-9-27

Гарантія

довічна

Отримані сертифікати

Intel XMP 1.2
RoHS

http://www.tcmagazine.com
http://www.patriotmemory.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

Нова серія DDR3-оперативної пам’яті Mushkin Radioactive

Компанія Mushkin представила нову серію високопродуктивної оперативної пам’яті Radioactive, яка складається з дво- і триканальних наборів загальним об’ємом 4 ГБ та 6 ГБ. Новинки працюють на тактових частотах 2000 МГц та 1600 МГц, підтримують оптимізовані таймінги і націлені на ентузіастів, які використовують системи на базі Intel LGA 1156 / 1366. Кожен модуль серії Mushkin Radioactive проходить ручне тестування на відповідність заданим параметрам і надійності роботи.

Усі моделі оснащуються фірмовим радіатором Radioactive FrostByte, зовнішній вигляд якого стилізовано для відповідності назві серії.

Конструкція даного радіатору дозволяє суттєво покращити тепловідведення завдяки наступним елементам:

  • збільшеній площі поверхні;
  • високопровідним тепловим подушкам, які контактують з мікросхемами;
  • спеціальним затискачам, які не лише надійно утримують радіатор, але і збільшують тиск і контактну площу поверхні, покращуючи теплопровідність;
  • циліндричній формі верхньої частини із спеціальними отворами, що збільшує повітряний потік.

Таблиця специфікації оперативної пам’яті Mushkin Radioactive:

Модель

998966

996958

998958

Тип

PC3-16000

PC3-12800

Загальний об’єм, ГБ

6 (3 х 2)

4 (2 х 2)

6 (3 х 2)

Тактова частота, МГц

2000

1600

Напруга живлення, В

1,65

Таймінги

8-10-8-27

6-8-6-24

Гарантія

довічна

Рекомендована ціна, $

-

123,99

185,99

http://www.tcmagazine.com
http://www.mushkin.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

Нові модулі пам’яті Transcend 4ГБ DDR3 DRAM з пропускною здатністю 2 Гб/с

Компанія Transcend оголосила про випуск трьох нових модулів пам’яті 4GB DDR3 DRAM, які мають 2-гігабітні (2 Гб/с) мікросхеми DDR3 з високою щільністю: DDR3 1333 МГц DIMM звичайного розміру, DDR3 1333 МГц SO-DIMM для мобільних систем та DDR3 1066 МГц SO-DIMM.

Стандартні 240-контактні модулі DDR3-1333 з об’ємом 2 ГБ виробництва Transcend розраховані на роботу в настільних комп’ютерах та підтримують швидкість 1333 МГц із затримками 9-9-9, так само як і модулі на 4 ГБ DDR3-1333 SO-DIMM для ноутбуків, які також працюють з частотою 1333 МГц та затримками 9-9-9. Модулі DDR3-1066 SO-DIMM з об’ємом 4 ГБ мають частоту 1066 МГц та затримки CL7. Кожен модуль є оптимізованим для стабільної роботи під напругою 1.5 В та набраним з енергоефективних мікросхем високої щільності, які підтримують швидкість передавання даних до 2 Гб/с, що дозволяє вибагливим користувачам досягти найкращого співвідношення продуктивності та енергоспоживання у їхніх комп’ютерах та ноутбуках.

Завдяки впровадженню передових мікросхем DDR3 з високою щільністю та пропускною здатністю 2 Гб/с, які виробляються за найкращим на даний час 40-нм техпроцесом, нові модулі DDR3 від Transcend дозволяють ефективно збільшити об’єм пам’яті комп’ютера, водночас зменшуючи його енергоспоживання. Нові мікросхеми пам’яті не лише відрізняються високою щільністю та енергоефективністю, але також допомагають подовжити строк експлуатації комп’ютера, що є ключовим фактором для серверного обладнання.

Всі три нові модулі пам’яті DDR3 від Transcend є повністю відповідними до стандартів JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) та набираються з високоякісних мікросхем DDR3 FBGA з об’ємом 256 МБ, які мають покращені характеристики розсіювання тепла та зменшені електричні втрати. Кожен новий модуль пам’яті DDR3 від Transcend має довічну гарантію та пропонує незрівнянну надійність для сучасних комп’ютерів, ноутбуків та робочих станцій.

Transcend 

Постійне посилання на новину

Триканальні набори оперативної пам’яті Super Talent DDR3-2000

Компанія Super Talent представила новий високопродуктивний набір триканальної оперативної пам’яті DDR3 загальним об’ємом 24 ГБ. Він складається з шести планок, кожна з яких маэ ємність 4 ГБ та функціонує на тактовій частоті 2000 МГц. Модулі оперативної пам’яті Super Talent DDR3-2000 націлені на використання ентузіастами у найсучасніших платформах і протестовані на материнській платі ASUS Rampage III Extreme (чіпсет Intel X58). Згідно офіційному прес-релізу, компанія Super Talent вже почала їх відвантаження, проте ще не оголосила рекомендованої ціни.  

Коротка таблиця специфікації нового набору оперативної пам’яті Super Talent:

Об’єм, ГБ

24 (6 х 4)

Тактова частота функціонування, МГц

2000

Напруга живлення, В

1,65

Таймінги

CL9

http://www.tcmagazine.com
http://www.supertalent.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

I-O Data підготувала лінійку SD-карт пам’яті

Компанія I-O Data анонсувала початок випуску нової серії карт пам’яті базового стандарту SD, які підтримують другий клас швидкодії, що гарантує мінімальну швидкість запису на рівні 2 МБ/с. До складу нової лінійки увійшли також карти пам’яті SDHC, microSD та microSDHC, які продаватимуться з SD- адаптерами. Усі новинки виготовлені з безпечних матеріалів у відповідності із директивою RoHS  та надійдуть у продаж до кінця поточного місяця.

Коротка специфікація нових карт пам’яті від компанії I-O Data представлена в таблиці:

Форм-фактор

SD

SDHC

microSD

microSDHC

Серія

SD-V2G

SDH-V4G, SDH-V8G, SDH-V16G, SDH-V32G

SDMC-V2G/A

SDMCH-V4G/A,

SDMCH-V8G/A

Об’єм, ГБ

2

4 / 8 / 16 / 32

2

4 / 8

Мінімальна швидкість запису, МБ/с

2

Розміри, мм

24 х 32 х 2,1

15 х 11 х 1

Вага, г

2

0,24

http://www.tcmagazine.com
http://www.iodata.jp
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

Нові 2 ГБ модулі оперативної пам’яті Super Talent Green DDR3

Анонсовано початок продажу нових 2 ГБ модулів екологічно безпечної оперативної пам’яті Super Talent Green DDR3, які зібрані на базі 1 Гб мікросхем. Характерними особливостями новинок є менша напруга живлення (1,35 В) замість стандартного значення 1,575В та низькопрофільний дизайн – їх висота становить 18,3 мм, в той час як для звичайних модулів цей показник складає 29,97 мм. Ці два нововведення забезпечують з однієї сторони зниження витрат на виготовлення і транспортування нових модулів Super Talent Green DDR3, а з іншої – зменшення потужності споживання, викидів CO2 та кращому охолодженню. Як наслідок, зростає їх економічна та екологічна ефективність.

Коротка специфікації нових модулів оперативної пам’яті Super Talent Green DDR3 приведена у нижчеподаній таблиці:

Об’єм, ГБ

2

Тип

PC3-10600

Тактова частота роботи, МГц

1333

Напруга живлення, В

1,35

Організація модуля

256M x 72

Висота модуля, мм

18,3

Відповідність стандартам

JEDEC 1.35V DDR3 SDRAM-VLP, RoHS

http://www.tcmagazine.com
http://www.supertalent.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

Перші в світі 4 ГБ модулі пам’яті Super Talent DDR3-1600 МГц SO-DIMM

Американська компанія Super Talent анонсувала появу перших у світі оптимізованих модулів оперативної пам’яті DDR3 SO-DIMM, об’ємом 4 ГБ. Новинки працюватимуть на тактовій частоті 1600 МГц і отримали конфігурацію 512М х 64. Вони націлені на ринок високопродуктивних ігрових лептопів.

На сьогоднішній день, декілька компаній вже виготовляють 4 ГБ DDR3 SO-DIMM модулі оперативної пам’яті, але з максимальною тактовою частотою 1333 МГц. Збільшення тактової частоти до 1600 МГц дозволить підвищити продуктивність функціонування усієї системи в цілому. Нові 4 ГБ модулі оперативної пам’яті Super Talent DDR3-1600 МГц SO-DIMM надійдуть у продаж за декілька тижнів.

http://www.tcmagazine.com
http://www.supertalent.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

Оновлена лінійка оперативної пам’яті Transcend JetRam

Компанія Transcend анонсувала розширення лінійки DDR3 оперативної пам’яті JetRam новими 4 ГБ модулями. При їх виготовленні застосовувалися норми 40 нм технологічного процесу, що дозволило збільшити об’єм при одночасному скороченні потужності споживання. Новинки поповнять як десктопний, так і мобільний сегменти ринку.

Кожен модуль перевірено на надійність та оптимізовано для стабільної роботи при номінальній напрузі живлення 1,5 В. Коротка таблиця специфікації оперативної пам’яті Transcend JetRam:

Модель

JM1333KLN-4G

JM1066KSN-4G

JM1333KSN-4G

Тип пам’яті

Unbuffered DIMM

SO-DIMM

SO-DIMM

Об’єм, ГБ

4

Технологічний процес, нм

40

Тактова частота, МГц

1333

1066

1333

Таймінги

9-9-9

7-7-7

9-9-9

Номінальна напруга живлення, В

1,5

Гарантія

довічна

Рекомендована ціна, €

71,30

66,04

http://www.tcmagazine.com
http://www.transcendusa.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

Показати ще