Комп'ютерні новини
Накопичувачі
CES 2016: Зовнішній накопичувач Samsung Portable SSD T3 об’ємом до 2 ТБ
У рамках виставки CES 2016 компанія Samsung представила компактний (74 х 58 х 10,5 мм), легкий (51 грам) і високошвидкісний зовнішній твердотільний накопичувач – Samsung Portable SSD T3. Він доступний в об’ємі від 250 ГБ до 2 ТБ, що робить його відмінним варіантом для користувачів, яким важливий не тільки об’єм, але й рівень продуктивності.
Усередині Samsung Portable SSD T3 знаходяться фірмові мікросхеми флеш-пам'яті V-NAND, а для збільшення швидкісних показників використана технологія SSD TurboWrite і зовнішній інтерфейс USB 3.1 Type-C. Завдяки такому поєднанню максимальні послідовні швидкості читання та запису інформації досягають 450 МБ/с. При цьому новинка реалізує повне шифрування даних за допомогою 256-бітного алгоритму AES.
Відсутність рухомих елементів у структурі Samsung Portable SSD T3 суттєво підвищує надійність зберігання даних у процесі транспортування. Новинка здатна витримувати ударне навантаження 1500G і навіть зможе пережити падіння з 2-метрової висоти. А інтегрований температурний сенсор запобігає перегріванню внутрішніх компонентів.
Перші поставки пристрою на ринок стартують у лютому 2016 року. Зведена таблиця технічної специфікації зовнішнього накопичувача Samsung Portable SSD T3:
Модель |
Samsung Portable SSD T3 |
Об’єм |
250 ГБ / 500 ГБ / 1 ТБ / 2 ТБ |
Зовнішній інтерфейс |
USB 3.1 Type-C |
Максимальна швидкість послідовного читання та запису даних |
450 МБ/с |
Шифрування даних |
256-бітний AES-алгоритм |
Розміри |
74 х 58 х 10,5 мм |
Маса |
51 г |
Підтримувані ОС |
Windows 7 або вище |
Гарантія |
Обмежена 3-річна |
http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський
Технологія Transcend SuperMLC як альтернатива для SLC
Як відомо, саме технологія SLC пропонує найвищу серед NAND-мікросхем пам'яті надійність і довговічність, а також більш високі швидкісні показники. Істотним недоліком виступає лише висока вартість їх виробництва та необхідність використання більшої кількості чіпів для досягнення аналогічної ємності, що в остаточному підсумку приводить до високої вартості самих накопичувачів.
Однак компанія Transcend знайшла елегантний вихід із даної ситуації, розробивши технологію Transcend SuperMLC. Її суть полягає в репрограмуванні роботи двох бітів у комірці MLC в якості одного. У результаті швидкість запису рішень на основі технології Transcend SuperMLC підвищується максимум в 4 рази у порівнянні з показниками MLC-мікросхем, а термін їхньої служби (кількість циклів програмування / стирання) збільшується максимум в 30 000 разів. Завдяки цьому технологія Transcend SuperMLC пропонує майже еквівалентний SLC NAND рівень якості, швидкості та надійності, але коштує при цьому значно дешевше. Єдиний недолік у порівнянні з MLC – зниження в два рази доступного об’єму (адже комірки можуть зберігати не два, а один біт).
У 2016 році на основі технології Transcend SuperMLC будуть побудовані промислові моделі твердотільних накопичувачів: Transcend SSD510K (2,5”), Transcend MSA510 (mSATA), Transcend HSD510 (half slim SSD), а також Transcend MTS460 і Transcend MTS860 (M.2).
http://www.transcend-info.com
Сергій Буділовський
Серія Samsung PRO Plus поповнилася картою пам'яті microSD об’ємом 128 ГБ
Компанія Samsung вирішила розширити серію карт пам'яті Samsung PRO Plus моделлю об’ємом 128 ГБ. Новинка побудована на основі MLC NAND-мікросхем пам'яті та підтримує стандарт UHS-I Speed Class 3 (U3), що забезпечує швидкість читання та запису даних на рівні до 95 і 90 МБ/с відповідно. Це дозволяє використовувати її для комфортного запису 4K-відео. Доступної ємності в 128 ГБ достатньо для зберігання майже 4 годин відео в настільки високій якості або понад 16 годин Full HD-відео, 10 940 фото чи 30 670 пісень. Якщо ж кінцевий пристрій не підтримує специфікацію UHS-I Speed Class 3 (U3), то 128-гігабайтна модель серії Samsung PRO Plus працюватиме з 10 класом швидкісних характеристик.
Приємно відзначити, що новинка має високий ступінь захисту від факторів навколишнього середовища. Так, їй не зашкодить вода, рентгенівські промені та магнітне поле. Додатково вона характеризується розширеним робочим температурним діапазоном, а у продаж надійде із 10-річною гарантією.
Зведена таблиця технічної специфікації карти пам'яті серії Samsung PRO Plus:
Серія |
Samsung PRO Plus |
Формат |
microSD |
Тип мікросхем пам'яті |
MLC NAND |
Загальний об’єм, ГБ |
32 / 64 / 128 |
Швидкісний клас |
UHS-I Speed Class 3 (U3) |
Максимальна швидкість читання / запису, МБ/с |
95 / 90 |
Рівень захистів |
Від води (IEC 60529, IPX7), температури, рентгенівських променів, магнітного поля |
Діапазон робочих температур, °С |
-25…+85 |
Гарантія, років |
10 |
https://press.samsung.ua
Сергій Буділовський
Серія промислових карт пам'яті Transcend SDHC100I поповнилася моделями об’ємом 8 і 16 ГБ
Компанія Transcend вирішила розширити серію промислових карт пам'яті Transcend SDHC100I двома новинками ємністю 8 і 16 ГБ. Обидві вони побудовані на надійних мікросхемах SLC NAND, а також підтримують специфікацію SD Specification Version 3.0 і 10-й клас швидкісних характеристик. Завдяки цьому швидкість передачі даних досягає 20 МБ/с.
Оскільки моделі серії Transcend SDHC100I позиціонуються в якості рішень промислового рівня, то їх робочий температурний діапазон розширений у порівнянні зі звичайними картами. Новинки можуть ефективно функціонувати при температурах від -40°С до +85°С. Додатково вони можуть похвалитися підтримкою кількох корисних технологій: ECC забезпечує автоматичне виправлення певних помилок у процесі передачі даних, S.M.A.R.T. дозволяє моніторити рівень «здоров'я», а алгоритми Wear-Leveling гарантують оптимальний термін служби шляхом найбільш раціонального використання усіх вільних комірок пам'яті. В продаж карти пам'яті серії Transcend SDHC100I надійдуть із 2-річною гарантією.
http://www.transcend-info.com
Сергій Буділовський
Флагманська карта пам'яті Silicon Power Superior CF 1100X з високим рівнем продуктивності
Представлена нова карта пам'яті Silicon Power Superior CF 1100X, яка може похвалитися високим рівнем надійності та продуктивності. Вона створена у форматі CompactFlash на основі мікросхем SLC NAND, які гарантують до 100 000 циклів перезапису.
При цьому максимальна швидкість читання та запису даних становить 165 і 151 МБ/с відповідно, що забезпечує можливість топовим повнокадровим камерам фіксувати до 14 кадрів за секунду. Більше того, новинка підтримує стандарт VPG-65, що гарантує стабільну швидкість запису Full HD і 4K-відео на рівні 65 МБ/с.
У продаж вона надійде в двох варіантах об’єму (32 і 64 ГБ) з довічною гарантією. Зведена таблиця технічної специфікації карти пам'яті Silicon Power Superior CF 1100X:
Модель |
Silicon Power Superior CF 1100X |
Тип |
CompactFlash |
Об’єм, ГБ |
32 / 64 |
Тип використовуваних мікросхем |
SLC NAND |
Сумісні стандарти |
CompactFlash 6.0, UDMA 7, VPG-65 |
Клас швидкісних характеристик |
1100х |
Максимальна швидкість читання / запису даних, МБ/с |
165 / 151 |
Кількість циклів перезапису |
100 000 |
Середній час напрацювання на відмову (MTBF), годин |
1 000 000 |
Діапазон робочих температур, °С |
0…+70 |
Розміри, мм |
36,4 х 42,8 х 3,3 |
Маса, г |
10 |
Гарантія |
Довічна |
http://www.silicon-power.com
Сергій Буділовський
HGST представила нові HDD об’ємом 10 ТБ
Компанія HGST, яка вже кілька років належить WD, представила серію HGST Ultrastar He10, до складу якої ввійшли HDD-накопичувачі ємністю 8 і 10 ТБ. При цьому використовувалася традиційна й перевірена технологія PMR (Perpendicular Magnetic Recording) замість інноваційної, але потребуючої доробки SMR (Shingled Magnetic Recording).
Досягнути настільки значної ємності допомогла платформа HGST HelioSeal, яка поєднує два важливі моменти. По-перше, внутрішній простір заповнений гелієм замість звичайного повітря. У силу своїх фізичних властивостей він зменшує рівень тремтіння та вібрації голівок, що підвищує стабільність внутрішнього простору, знижує споживану потужність на 43% і дозволяє використовувати до 7 пластин у кожному корпусі. По-друге, платформа передбачає повну герметизацію внутрішнього простору, що збільшує середній час напрацювання на відмову до 2,5 млн. годин (на 25% більше, ніж у звичайних HDD).
У продаж надійдуть чотири моделі лінійки HGST Ultrastar He10. Дві з них оснащені інтерфейсом SATA 6 Гбіт/с і націлені на ринок масового користувача. Дві інші використовують інтерфейс SAS 12 Гбіт/с і підходять для серверних систем. При цьому швидкість обертання шпинделя у всіх новинок досягає 7200 об/хв, а об’єм буфера становить 256 МБ.
Зведена таблиця технічної специфікації нових накопичувачів серії HGST Ultrastar He10:
Назва серії |
HGST Ultrastar He10 |
|
Моделі |
HUH7210xxALE60y |
HUH7210xxAL420y |
Зовнішній інтерфейс |
SATA 6 Гбіт/с |
SAS 12 Гбіт/с |
Об’єм, ТБ |
10 / 8 |
|
Максимальна щільність запису, Гбіт/дюйм2 |
816 |
|
Об’єм буфера даних, МБ |
256 |
|
Швидкість обертання шпинделя, об/хв |
7200 |
|
Середня затримка доступу до даних, мс |
4,16 |
|
Можливість роботи в режимі 24/7 |
Так |
|
Середній час напрацювання на відмову (MTBF), млн. годин |
2,5 |
|
Споживана потужність в активному режимі, Вт |
6,8 |
9,5 |
Розміри, мм |
147 х 101,6 х 26,1 |
|
Маса, г |
660 |
|
Гарантія, років |
5 |
http://www.tomsitpro.com
Сергій Буділовський
Нові промислові карти пам'яті Transcend зі збільшеною ємністю
Компанія Transcend розширила лінійку промислових карт пам'яті новими представниками: серія microSD поповнилася моделлю об’ємом 64 ГБ, а серед SD-рішень з'явилися версії об’ємом 8, 16 і 32 ГБ. Усі вони створені на основі якісних мікросхем MLC NAND і характеризуються розширеним діапазоном робочих температур (-40…+85°С), що особливо важливо в умовах промислового використання.
Додатково нові карти пам'яті підтримують специфікацію SD Specification 3.0 і відповідають 10 класу швидкісних характеристик. Завдяки цьому швидкість передачі даних в microSD-моделі ємністю 64 ГБ досягає 20 МБ, що суттєво розширює можливості її застосування.
Також новинки можуть похвалитися вбудованими технологіями ECC і S.M.A.R.T. Перша забезпечує більш точну передачу даних, а друга дозволяє моніторити стан карти пам'яті. У продаж вони надійдуть із 2-річною гарантією.
http://www.transcend-info.com
Сергій Буділовський
Ємний USB-накопичувач HyperX Savage зі швидкістю читання до 350 МБ/с
Уже добре знайомий підрозділ компанії Kingston представив новий швидкісний флеш-накопичувач – HyperX Savage, який доступний у трьох варіантах об’єму: 64, 128 і 256 ГБ. Він використовує зовнішній інтерфейс USB 3.1 Gen1, що забезпечує високий рівень продуктивності: максимальна швидкість читання даних досягає 350 МБ/с, а запису – 250 МБ/с (180 МБ/с для 64-гігабайтної версії). Завдяки цьому новинка гарантує швидкий обмін навіть великими об’ємами даних.
Додатково модель HyperX Savage може похвалитися агресивним і стильним дизайном корпусу, а також високою сумісністю, адже її можна використовувати не тільки із традиційними ПК, але й з ігровими консолями. У продаж вона надійде з 5-річною гарантією.
Зведена таблиця технічної специфікації флеш-накопичувача HyperX Savage:
Модель |
HyperX Savage |
|
Об’єм, ГБ |
64 / 128 / 256 |
|
Інтерфейс |
USB 3.1 Gen1 |
|
Максимальна швидкість читання / запису даних, МБ/с |
64 ГБ |
350 / 180 |
128 ГБ |
350 / 250 |
|
256 ГБ |
350 / 250 |
|
Діапазон робочих температур, °С |
0…+60 |
|
Сумісні ОС |
Windows 10 / 8.1 / 8 / 7 (SP1) / Vista (SP2) |
|
Розміри |
76,3 х 23,48 х 12,17 мм |
http://www.techpowerup.com
http://www.hyperxgaming.com
Сергій Буділовський
Показати ще