Комп'ютерні новини
Оперативна пам’ять
Toshiba анонсує найшвидші карти пам’яті формату SDHC та micro-SDHC
Одразу ж після анонсу компанією Panasonic нових флеш-карт формату SDHC, інша японська компанія Toshiba представила свої SDHC та micro-SDHC-карти пам’яті, які відповідають стандарту SD Memory Card версії 3.0, використовують інтерфейс UHS-I та забезпечують найвищі показники швидкості читання/запису. Вже сьогодні відвідувачі берлінської виставки IFA 2010 зможуть на власні очі побачити ці новинки.
Специфікація карт пам’яті Toshiba SDHC
Модель |
THNSU032GAA21L |
THNSU016GAA21K |
THNSU008GAA21J | |
Об’єм, ГБ |
32 |
16 |
8 | |
Максимальна швидкість читання, МБ/с |
95 | |||
Максимальна швидкість запису, МБ/с |
80 | |||
Початок масового виробництва |
листопад 2010 |
грудень 2010 |
Специфікація карт пам’яті Toshiba micro-SDHC
Модель |
THNSU016GBB2A0 |
THNSU008GBB2A0 |
THNSU004GBB2A0 |
Об’єм, ГБ |
16 |
8 |
4 |
Максимальна швидкість читання, МБ/с |
40 | ||
Максимальна швидкість запису, МБ/с |
20 | ||
Початок відвантаження зразків |
листопад 2010 |
http://www.tcmagazine.com
http://www.toshiba.co.jp
Сергій Буділовський
A-DATA XPG Gaming DDR3L-1333G – нова серія ігрових модулів пам’яті із зниженим енергоспоживанням
Компанія A-DATA Technology розширила лінійку ігрових модулів оперативної пам’яті XPG Gaming новою серією DDR3L-1333G, до складу якої входять як окрема 2 ГБ планка, так і набори дво- і триканальної пам’яті. Новинки характеризуються зниженим значенням напруги живлення. Як заявляють розробники, зменшення напруги живлення до рівня 1,25 – 1,35 В дозволить скоротити викид CO2 , зменшити витрати електроенергії та досягти оптимального балансу між продуктивністю та стабільністю системи в цілому.
A-DATA XPG Gaming DDR3L-1333G виготовленні з використанням 6-шарового дизайну друкованої плати та алюмінієвого радіатора, оптимізовані для застосування у 64-бітних версіях операційних систем та орієнтовані на ринок десктопних комп’ютерів і мультимедійних центрів (HTPC). Специфікація нових модулів пам’яті A-DATA XPG Gaming DDR3L-1333G має наступний вигляд:
Об’єм, ГБ |
2 (1 х 2) |
Тактова частота роботи, МГц |
1333 |
Таймінги |
9-9-9-24 |
Напруга живлення, В |
1,25-1,35 |
Гарантія |
довічна |
http://www.tcmagazine.com
http://benchmarkreviews.com
http://www.adata.com.tw
Сергій Буділовський
Toshiba починає масове виробництво 24 нм NAND Flash-пам’яті
Нещодавно ми повідомляли про початок поставок 3-бітної NAND Flash-пам’яті виготовленої за 25-нм техпроцесом компаніями Intel та Micron. Проте вже сьогодні, Toshiba Corporation заявила про масове виробництво нових 32 Гб мікросхем із застосуванням 24-нм технологічного процесу з багаторівневою структурою комірок (MLC), кожна з яких здатна зберігати три біти даних (3 bit per cell, 3bpc). Це нововведення дозволить зменшити площу кристалу, знизити вартість виробництва та підвищити об’єм чіпів. Як повідомляться в офіційному прес-релізі, даний техпроцес вже застосовується для виготовлення 64 Гб мікросхем з двома бітами на комірку (2bpc).
Нові 32 Гб чіпи також комплектуватимуться технологією Toggle DDR, яка повинна збільшити швидкість передачі даних. Дані мікросхеми будуть широко використовуватися в мобільних пристроях, лептопах та SSD-накопичувачах і дозволять компанії Toshiba зміцнити свої позиції на даному ринку.
http://www.tcmagazine.com
http://www.toshiba.co.jp
Сергій Буділовський
Деталі оперативної пам’яті стандарту DDR4
Оскільки перехід з стандарту DDR2 на DDR3 практично завершився і найбільш потужні виробники оперативної пам’яті до кінця поточного року переведуть основні виробничі можливості на виготовлення DDR-модулів третього покоління, то організація JEDEC анонсувала своє бачення наступної генерації оперативної пам’яті – DDR4.
Нові модулі працюватимуть в діапазоні частот 2133 МГц – 4266 МГц та напруг живлення в районі 1,1 В – 1,2 В, хоча, також озвучується цифра 1,05 В для мобільних пристроїв. Загальна швидкодія пам’яті повинна зрости, незважаючи на подальший ріст таймінгів.
Існують і певні недоліки нового стандарту. На фоні збільшення тактової частоти роботи, контроллер зможе працювати лише з одним модулем, що призводить до необхідності збільшувати щільність мікросхем пам’яті, а отже і впровадження нових техпроцесів: 32-нм та 25-нм. Досягнення такого рівня виробничих можливостей очікується не раніше 2013 року, тому масове виготовлення оперативної пам’яті DDR4 планується лише в 2015 році.
http://www.nordichardware.com
http://pc.watch.impress.co.jp
Сергій Буділовський
PQI анонсувала низьковольтні DDR3 SO-DIMM модулі пам’яті
Враховуючи високі потреби ринку ноутбуків та нетбуків у швидкій та малопотужній оперативній пам’яті, компанія PQI представила нові DDR3 SO-DIMM модулі, що здатні функціонувати на частотах 1333 МГц та 1066 МГц. Номінальна напруга живлення новинок складає 1,35 В, що в порівнянні з 1,5 В модулями дозволяє заощаджувати 10% електроенергії, збільшуючи час автономної роботи батареї.
Нові планки пам’яті будуть доступні в двох варіантах ємності: 1 ГБ та 2 ГБ. Кожний модуль проходить суворий контроль на стабільність характеристик та надійність роботи, тому PQI поширила на них довічну гарантію. Специфікація нових модулів оперативної пам’яті виглядає наступним чином:
Тип пам’яті |
DDR3 | |
Номінальні частоти функціонування, МГц |
1333 / 1066 | |
Тип модуля |
204-контактний Unbuffered SO-DIMM без ECC | |
Конфігурація модуля |
128 х 8 | |
Ємність, ГБ |
2 / 1 | |
Ширина смуги пропускання, МБ/с |
PC3 10660 |
10 664 |
PC3 8500 |
8 528 | |
Таймінги |
9-9-9-24 / 7-7-7-20 | |
Номінальна напруга живлення, В |
1,35 | |
Тип друкованої плати |
8-шарова | |
Гарантія |
довічна |
http://www.pqi.com.tw
Сергій Буділовський
Анонс двоканального набору пам’яті Transcend aXeRam DDR3-2400 4 Гб для комп’ютерів з процесорами Core i7
Компанія Transcend запустила двоканальні набори пам’яті aXeRam DDR3-2400 з об’ємом 4 Гб, які було створено спеціально для систем з процесорами Core i7 під сокет Intel LGA 1156. Завдяки можливості працювати за неймовірно високої частоти до 2400 МГц з напругою живлення усього 1.65 В, ці нові набори DDR3 з підтримкою XMP випереджають за продуктивністю стандартну пам'ять для цієї платформи приблизно на 60%.
Найдосконаліші двоканальні набори пам’яті від Transcend, які працюють за частоти 2400 МГц, піднімають продуктивність системи завдяки досконалому поєднанню низької напруги, високої частоти та низьких затримок. Кожен набір 4GB DDR3 збирається з двох ідентичних модулів, які працюють за частоти 2400 МГц з таймінгами 9-11-9-28 та напругою живлення усього 1.65 В, пропонуючи таким чином неймовірну теоретичну пропускну здатність - до 38.4 Гб/с. На практиці робоча частота 2400 МГц означає збільшення продуктивності до 60% в реальних програмах у порівнянні зі стандартними модулями, які мають частоту 1333 МГц. Таким чином шанувальники розгону та хардкорні геймери можуть підняти продуктивність свого комп’ютера на базі процесора Intel Core i7 на якісно новий рівень.
Двоканальні набори пам’яті aXeRam DDR3-2400 пройшли тестування на платах з чіпсетом Intel P55, з ASUS P7P55D Premium та ASUS P7P55D Deluxe включно. Завдяки використанню високоефективних алюмінієвих радіаторів з оребренням ці модулі пропонують дивовижні розгінні можливості, за будь-яких умов зберігаючи низьку робочу температуру.
Заради покращення стабільності та цілісності сигналу за високих робочих частот всі модулі пам’яті aXeRam збираються з восьми високоякісних мікросхем DDR3 FBGA з об’ємом 128 Мб на міцній печатній платі, яка повністю відповідає жорстким стандартам JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council).
Постійне посилання на новинуTranscend представила 4 ГБ набір оперативної памяті DDR3 з частотою 2400 МГц
Компанія Transcend оголосила про розширення своєї серії оперативної пам'яті aXeRam новим двоканальним комплектом DDR3 з частотою 2400 МГц. Повна назва нового комплекту Transcend TX2400KLU-4GK, він складається з двох модулів, кожен з яких має об'єм 2 ГБ.
Нова оперативна пам'ять оптимізована для роботи з процесорами на платформі Intel LGA 1156 і у випадку дотримання конфігурації, у налаштуваннях BIOS материнської плати можна буде активувати профіль Intel XMP для автоматичного підняття частоти оперативної пам'яті, внаслідок чого і підняття частоти самого процесора. Модулі пам'яті, що в новому комплекті, мають формулу затримок 9-11-9-28 при рекомендованій робочій напрузі 1,65 В. Для охолодження чіпів пам'яті, кожен модуль укомплектовується фірмовим алюмінієвим радіатором з спеціальним оребрінням.
Оперативна пам'ять Transcend TX2400KLU-4GK одержала довічну гарантію від виробника, а вже наприкінці поточного місяця вона надійде на прилавки крамниць.
http://www.techpowerup.com
Роман Дода
Kingston HyperX H2O – нова лінійка DDR3 пам’яті з підтримкою водяного охолодження
Компанія Kingston представила нову серію надійної оперативної пам’яті - HyperX H2O. До її складу входять комплекти вискощільної DDR3 пам'яті, які працюють в дво- та триканальних режимах на частотах від 2000 МГц. Основною цільовою аудиторію є ігромани та комп’ютерні ентузіасти.
Родзинкою нової серії є конструкція системи охолодження, яка не лише здатна ефективно розсіювати надлишок тепла в базовому варіанті, але включає можливість побудови водяної системи охолодження для кращого ефекту. Оскільки характеристики комплектів Kingston HyperX H2O оптимізовано, то подальший процес оверклокінгу не рекомендується виробником.
Специфікація Kingston HyperX H2O виглядає наступним чином:
|
KHX2000C9AD3W |
KHX2000C9AD3W |
KHX2133C9AD3W |
Об’єм, ГБ |
4 (2 х 2) |
6 (3 х 2) |
4 (2 х 2) |
Тактова частота, МГц |
2000 |
2000 |
2133 |
Затримки |
9-11-9-27 |
9-10-9-27 |
9-11-9-27 |
Напруга живлення, В |
1,65 | ||
Гарантія |
довічна | ||
Ціна, $ |
157 |
235 |
205 |
http://www.tcmagazine.com
http://www.kingston.com
Сергій Буділовський
Показати ще