Пошук по сайту

up

Комп'ютерні новини

Оперативна пам’ять

Триканальні набори оперативної пам’яті Super Talent DDR3-2000

Компанія Super Talent представила новий високопродуктивний набір триканальної оперативної пам’яті DDR3 загальним об’ємом 24 ГБ. Він складається з шести планок, кожна з яких маэ ємність 4 ГБ та функціонує на тактовій частоті 2000 МГц. Модулі оперативної пам’яті Super Talent DDR3-2000 націлені на використання ентузіастами у найсучасніших платформах і протестовані на материнській платі ASUS Rampage III Extreme (чіпсет Intel X58). Згідно офіційному прес-релізу, компанія Super Talent вже почала їх відвантаження, проте ще не оголосила рекомендованої ціни.  

Коротка таблиця специфікації нового набору оперативної пам’яті Super Talent:

Об’єм, ГБ

24 (6 х 4)

Тактова частота функціонування, МГц

2000

Напруга живлення, В

1,65

Таймінги

CL9

http://www.tcmagazine.com
http://www.supertalent.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

I-O Data підготувала лінійку SD-карт пам’яті

Компанія I-O Data анонсувала початок випуску нової серії карт пам’яті базового стандарту SD, які підтримують другий клас швидкодії, що гарантує мінімальну швидкість запису на рівні 2 МБ/с. До складу нової лінійки увійшли також карти пам’яті SDHC, microSD та microSDHC, які продаватимуться з SD- адаптерами. Усі новинки виготовлені з безпечних матеріалів у відповідності із директивою RoHS  та надійдуть у продаж до кінця поточного місяця.

Коротка специфікація нових карт пам’яті від компанії I-O Data представлена в таблиці:

Форм-фактор

SD

SDHC

microSD

microSDHC

Серія

SD-V2G

SDH-V4G, SDH-V8G, SDH-V16G, SDH-V32G

SDMC-V2G/A

SDMCH-V4G/A,

SDMCH-V8G/A

Об’єм, ГБ

2

4 / 8 / 16 / 32

2

4 / 8

Мінімальна швидкість запису, МБ/с

2

Розміри, мм

24 х 32 х 2,1

15 х 11 х 1

Вага, г

2

0,24

http://www.tcmagazine.com
http://www.iodata.jp
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

Нові 2 ГБ модулі оперативної пам’яті Super Talent Green DDR3

Анонсовано початок продажу нових 2 ГБ модулів екологічно безпечної оперативної пам’яті Super Talent Green DDR3, які зібрані на базі 1 Гб мікросхем. Характерними особливостями новинок є менша напруга живлення (1,35 В) замість стандартного значення 1,575В та низькопрофільний дизайн – їх висота становить 18,3 мм, в той час як для звичайних модулів цей показник складає 29,97 мм. Ці два нововведення забезпечують з однієї сторони зниження витрат на виготовлення і транспортування нових модулів Super Talent Green DDR3, а з іншої – зменшення потужності споживання, викидів CO2 та кращому охолодженню. Як наслідок, зростає їх економічна та екологічна ефективність.

Коротка специфікації нових модулів оперативної пам’яті Super Talent Green DDR3 приведена у нижчеподаній таблиці:

Об’єм, ГБ

2

Тип

PC3-10600

Тактова частота роботи, МГц

1333

Напруга живлення, В

1,35

Організація модуля

256M x 72

Висота модуля, мм

18,3

Відповідність стандартам

JEDEC 1.35V DDR3 SDRAM-VLP, RoHS

http://www.tcmagazine.com
http://www.supertalent.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

Перші в світі 4 ГБ модулі пам’яті Super Talent DDR3-1600 МГц SO-DIMM

Американська компанія Super Talent анонсувала появу перших у світі оптимізованих модулів оперативної пам’яті DDR3 SO-DIMM, об’ємом 4 ГБ. Новинки працюватимуть на тактовій частоті 1600 МГц і отримали конфігурацію 512М х 64. Вони націлені на ринок високопродуктивних ігрових лептопів.

На сьогоднішній день, декілька компаній вже виготовляють 4 ГБ DDR3 SO-DIMM модулі оперативної пам’яті, але з максимальною тактовою частотою 1333 МГц. Збільшення тактової частоти до 1600 МГц дозволить підвищити продуктивність функціонування усієї системи в цілому. Нові 4 ГБ модулі оперативної пам’яті Super Talent DDR3-1600 МГц SO-DIMM надійдуть у продаж за декілька тижнів.

http://www.tcmagazine.com
http://www.supertalent.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

Оновлена лінійка оперативної пам’яті Transcend JetRam

Компанія Transcend анонсувала розширення лінійки DDR3 оперативної пам’яті JetRam новими 4 ГБ модулями. При їх виготовленні застосовувалися норми 40 нм технологічного процесу, що дозволило збільшити об’єм при одночасному скороченні потужності споживання. Новинки поповнять як десктопний, так і мобільний сегменти ринку.

Кожен модуль перевірено на надійність та оптимізовано для стабільної роботи при номінальній напрузі живлення 1,5 В. Коротка таблиця специфікації оперативної пам’яті Transcend JetRam:

Модель

JM1333KLN-4G

JM1066KSN-4G

JM1333KSN-4G

Тип пам’яті

Unbuffered DIMM

SO-DIMM

SO-DIMM

Об’єм, ГБ

4

Технологічний процес, нм

40

Тактова частота, МГц

1333

1066

1333

Таймінги

9-9-9

7-7-7

9-9-9

Номінальна напруга живлення, В

1,5

Гарантія

довічна

Рекомендована ціна, €

71,30

66,04

http://www.tcmagazine.com
http://www.transcendusa.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

Elpida анонсувала 2 Гб DDR3-чіпи оперативної пам’яті за 30 нм техпроцесом

Японська компанія Elpida завершила розробку 2 Гб чіпів оперативної пам’яті стандарту DDR3, при виготовлені яких використовувалися норми 30 нм технологічного процесу. Перехід на новий техпроцес забезпечить збільшення на 45% кількості мікросхем, що виготовляються з однієї пластини, в порівнянні з 40 нм чіпами. Це дозволить ефективніше використовувати сировину і зменшити кінцеву собівартість їх виготовлення. Також новинки володіють зниженим на 15% рівнем споживанням струму в активному режимі і на 10% - в режимі очікування, що сприятиме зниженню їх загальної потужності споживання.

Нові чіпи від компанії Elpida відповідають стандарту організації JEDEC і зможуть бути використані при виготовленні стандартних (1,5 В) модулів оперативної пам’яті DDR3-1866 МГц та низьковольтних (1,35 В) планок DDR3L-1600 МГц.

Масове виробництво 2 Гб DDR3-чіпів оперативної пам’яті за 30 нм технологічним процесом почнеться в грудні поточного року.

http://www.tcmagazine.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

Silicon Power анонсувала нову лінійку оперативної пам’яті DDR3-1333 МГц

Компанія Silicon Power має намір в найближчому майбутньому почати продаж нової лінійки оперативної пам’яті, яка повністю сумісна з платформами Intel та AMD. До модельного ряду входять одинарні 4 ГБ модулі, двоканальні 8 ГБ (2 х 4 ГБ) та триканальні 12 ГБ (3 х 4 ГБ) набори.

Новинки працюють на тактовій частоті 1333 МГц, використовують топологію Fly-by для ефективнішої організації сигналів даних, адрес, керування та синхронізації, а також підтримують технологію ODT (On-DIE Termination), яка суттєво зменшує небажані відбивання сигналів та збільшує швидкість передачі інформації. Інтегрований код корекції помилок (ECC) підвищує надійність роботи оперативної пам’яті. Кожна планка проходить повний цикл тестування на ефективність та стабільність характеристик. Таблиця специфікації нових модулів пам’яті Silicon Power виглядає наступним чином:

Тип модулів пам’яті

DDR3 небуферезивані з підтримкою ECC

Форм-фактор

240-контакні Long-DIMM / 204-контакні SO-DIMM

Тактова частота роботи, МГц

1333

Об’єм, ГБ

4 / 8 (2 х 4) / 12 (3 х 4)

Тип мікросхем, біт

256Мх8

Напруга живлення, В

1,5

Таймінги

9-9-9-24

Гарантія

довічна

http://www.tcmagazine.com
http://www.silicon-power.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

Toshiba анонсує найшвидші карти пам’яті формату SDHC та micro-SDHC

Одразу ж після анонсу компанією Panasonic нових флеш-карт формату SDHC, інша японська компанія Toshiba представила свої SDHC та micro-SDHC-карти пам’яті, які відповідають стандарту SD Memory Card версії 3.0, використовують інтерфейс UHS-I та забезпечують найвищі показники швидкості читання/запису. Вже сьогодні відвідувачі берлінської виставки IFA 2010 зможуть на власні очі побачити ці новинки.

Специфікація карт пам’яті Toshiba SDHC

Модель

THNSU032GAA21L

THNSU016GAA21K

THNSU008GAA21J

Об’єм, ГБ

32

16

8

Максимальна швидкість читання, МБ/с

95

Максимальна швидкість запису, МБ/с

80

Початок масового виробництва

листопад 2010

грудень 2010

Специфікація карт пам’яті Toshiba micro-SDHC

Модель

THNSU016GBB2A0

THNSU008GBB2A0

THNSU004GBB2A0

Об’єм, ГБ

16

8

4

Максимальна швидкість читання, МБ/с

40

Максимальна швидкість запису, МБ/с

20

Початок відвантаження зразків

листопад 2010

http://www.tcmagazine.com
http://www.toshiba.co.jp
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

Показати ще