Комп'ютерні новини
Оперативна пам’ять
Анонс нових модулів оперативної пам’яті Corsair Mac Memory
Представлено нові модулі оперативної пам’яті Corsair Mac Memory, які володіють об’ємом 4 ГБ і функціонують на тактовій частоті 1066 МГц при напрузі живлення 1,5 В. Новинки використовують форм-фактор SO-DIMM і орієнтовані для роботи в десктопах та ноутбуках компанії Apple, випущених не раніше 2010 року. При цьому виробник гарантує їх повну сумісність з продуктами вищезгаданої компанії, оскільки рішення Corsair Mac Memory пройшли тестування в лабораторії Apple Developer Compatibility.
Враховуючи, що моделі Corsair Mac Memory будуть використовуватися в корпусах з обмеженим внутрішнім простором і щільно розміщеними компонентами, інженери компанії не оснастили їх жодною додатковою системою охолодження.
Відзначимо, що на ринку новинки представлені як окремі модулі ($44,99), так і у вигляді двоканальних 8 ГБ наборів ($84,99). Детальніша таблиця технічної специфікації нових модулів оперативної пам’яті Corsair Mac Memory має наступний вигляд:
Назва |
Corsair Mac Memory | |
Об’єм, ГБ |
4 (1 х 4) / 8 (2 х 4) | |
Тип |
DDR3 SO-DIMM | |
Напруга живлення, В |
1,5 | |
Тактова частота, МГц |
1066 | |
Таймінги |
7-7-7-20 | |
Гарантія |
довічна | |
Рекомендована ціна, $ |
4 ГБ |
44,99 |
8 ГБ |
84,99 |
http://www.techpowerup.com
http://www.corsair.com
Сергій Буділовський
Оприлюднені ключові особливості стандарту оперативної пам’яті DDR4
Асоціація JEDEC Solid State Technology, яка відповідає за розробку нових стандартів в мікроелектроніці, анонсувала ключові особливості оперативної пам’яті DDR4. Як заявляє розробник, нові модулі володітимуть багатьма інноваційними властивостями, що дозволять підвищити продуктивність та зменшити потужність споживання. При цьому ключові їх параметри (швидкість, напруга живлення, особливості архітектури) визначалися з метою спрощення переходу на норми нового стандарту.
Серед інших ключових особливостей оперативної пам’яті DDR4 відзначимо наступні:
-
встановлення параметру «швидкість передачі даних на контакт» на рівні 1,6 ГТрансферів/с з подальшим збільшенням до 3,2 ГТрансферів/с;
-
використання псевдо відкритого інтерфейсу витоку для шини DQ;
-
використання архітектури «bank group», яка дозволить окреме виконання операцій активації, читання, запису чи оновлення в кожній окремій групі;
-
внутрішня генерація сигналу VrefDQ;
-
підтримка трьох варіантів розрядності даних: х4, х8 та х16;
-
підтримка нового інтерфейсу JEDEC POD12, який передбачає встановлення значення напруги VDDQ на рівні 1,2 В;
-
розділення сигналів синхронізації та стробів;
-
впровадження нової схеми термінації: замість шини DQ використовуватиметься VDDQ;
-
покращення протоколу ODT (On-die termination);
-
підтримка процедури маскування даних;
-
впровадження опції DBI, яка допоможе зменшити потужність споживання та підвищити цілісність передачі даних;
-
впровадження нового алгоритму CRC для шини даних. Він покращить виявлення помилок при передачі інформації;
-
впровадження нового методу CA parity для шини команд/адрес. Він забезпечує перевірку цілісності передачі команд та адрес через вказану шину;
-
підтримка нового режиму DLL off.
Відзначимо, що остаточна версія даного стандарту буде оприлюднена в середині наступного року.
http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський
Оперативна пам’ять від компанії AMD вже у продажу
Компанія AMD вирішила розширити напрямки власної діяльності і почала випускати модулі оперативної пам’яті стандарту DDR3 під брендом AMD Radeon. На сьогоднішній день в її модельному ряді нараховується три серії: AMD Radeon Entertainment, ULTRA PRO Gaming та Enterprise. Усі вони представлені 2 ГБ планками, що працюють при напрузі живлення 1,5 В на різних тактових частотах. Серія AMD Radeon Entertainment призначена для використання в мультимедійних системах. Рішення AMD Radeon ULTRA PRO Gaming націлені на ігрові комп’ютери, а моделі серії AMD Radeon Enterprise спрямовані в сегмент серверних рішень.
Як зазначає розробник, абсолютно всі складові компоненти новинок пройшли ряд суворих тестів на відповідність найвищим промисловим стандартам, а кінцеві модулі додатково перевірялися на сумісність з платформами компанії AMD.
Відзначимо, що модулі з серії AMD Radeon Entertainment вже з’явилися у продажу за орієнтовною ціною $20. Але часові рамки появи рішень двох інших серій, як і їх ціновий діапазон та деякі подробиці технічної специфікації, залишаються невідомими.
Порівняльна таблиця технічної специфікації оперативної пам’яті лінійки AMD Radeon виглядає наступним чином:
Назва серії |
Entertainment |
ULTRA PRO Gaming |
Enterprise |
Об’єм, ГБ |
2 | ||
Тактова частота, МГц |
1333 |
1600 |
- |
Таймінги |
9-9-9 |
11-11-11 |
- |
Напруга живлення, В |
1,5±0,075 | ||
Структура |
256М х 64 біт | ||
Упаковка |
240-контактний DIMM-модуль | ||
Висота модулів, мм |
30 | ||
Відповідність стандартам безпеки |
RoHS, відсутність галогенових сполук | ||
Орієнтовна ціна, $ |
20 |
- |
- |
http://www.amd.com
http://www.tcmagazine.com
Сергій Буділовський
Комплект оперативної пам’яті Corsair Special Edition Arctic White Vengeance LP вже у продажу
Анонсовані на початку червня новий двоканальний набір оперативної пам’яті Corsair Special Edition Arctic White Vengeance LP з’явився у продажу. Він призначений для використання у високопродуктивних системах з обмеженими внутрішнім простором. До складу новинки входять два модулі, висотою 26,25 мм і ємністю 4 ГБ кожен. Вони функціонують на тактовій частоті 1600 МГц при напрузі живлення 1,35 В.
Відзначимо, що кожен модуль оперативної пам’яті з набору Corsair Special Edition Arctic White Vengeance LP зібраний на основі спеціально відібраних мікросхем. Це гарантує не лише високу продуктивність новинок, але й надійність та стабільність їх параметрів, що підтверджено отриманим сертифікатом Intel XMP.
Система охолодження рішень комплекту Corsair Special Edition Arctic White Vengeance LP складається з компактного радіатору. Його конструкція розроблена таким чином, щоб зберегти висоту модулів на мінімально-можливому рівні і забезпечити при цьому ефективне відведення зайвого тепла.
У продаж новинки надійшли з довічною гарантією за орієнтовною ціною $89,99. Зведена таблиця технічної специфікації нового набору оперативної пам’яті Corsair Special Edition Arctic White Vengeance LP виглядає наступним чином:
Назва моделі |
Corsair Special Edition Arctic White Vengeance LP |
Загальний об’єм, ГБ |
8 (2 х 4) |
Тактова частота, МГц |
1600 |
Таймінги |
9-9-9-24 |
Напруга живлення, В |
1,35 |
Тип радіатора |
Arctic White |
Висота модулів, мм |
26,25 |
Підтримувані стандарти |
Intel XMP |
Гарантія |
довічна |
Орієнтовна вартість, $ |
89,99 |
http://www.tcmagazine.com
http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський
Elpida почала відвантаження 25-нм 2 Гб мікросхем пам’яті
Компанія Elpida з гордістю оголосила про початок відвантаження перших повнофункціональних мікросхем DDR3-пам’яті, які використовують найтонший, на сьогоднішній день, техпроцес – 25-нм.
Нові чіпи пам’яті володіють об’ємом 2 Гб, а мінімальна тактова частота їх функціонування складає 1866 МГц. При цьому новинки представлені в двох варіантах: стандартні рішення з напругою живлення 1,5 В, та енергоефективні моделі з напругою живлення 1,35 В. Таким чином, нові 25-нм мікросхеми від компанії Elpida можуть використовуватися в різного роду цифрових електронних приладах, включаючи: сервери, десктопи, ноутбуки, нетбуки, планшетники, смартфони, ігрові консолі та інші.
Від 30-нм попередників новинки відрізняються нижчим споживанням струму (на 15% в активному режимі і на 20% в режимі очікування), ефективнішим використанням матеріальних ресурсів та вищою швидкістю передачі даних.
Заслуговує на увагу і той факт, що до кінця поточного року, компанія Elpida планує почати продаж 4 Гб мікросхем DDR3-пам’яті, які також виготовлені на базі норм 25-нм техпроцесу. Зведена таблиця технічної специфікації нових мікросхем пам’яті від компанії Elpida виглядає наступним чином:
Норми техпроцесу виготовлення, нм |
25 |
Технологія |
|
Об’єм, Гб |
2 |
Ширина шини даних, біт |
х4 / х8 |
Тактова частота, МГц |
1866 і вища |
Напруга живлення |
1,5 / 1,35 |
Робочий діапазон температур, °С |
0…+95 |
http://www.elpida.com
http://news.softpedia.com
Сергій Буділовський
Анонс нового 8 ГБ набору оперативної пам’яті з серії Corsair Dominator GT
Компанія Corsair представила новий набір DDR3-пам’яті з серії Dominator GT. Він складається з двох чотиригігабайтних модулів, які функціонують на тактовій частоті 2133 МГц при напрузі живлення 1,5 В.
Відзначимо, що новий набір з серії Corsair Dominator GT призначений для використання у високопродуктивних системах, оскільки він не лише володіє відмінними параметрами, але й дозволяє проводити подальшу оптимізацію власних характеристик. Досягти цього вдалося завдяки використанню комплексу тестів для кожної окремої мікросхеми, що допомогли відібрати лише найкращі та найстабільніші зразки.
Система охолодження кожного модуля з серії Corsair Dominator GT складається з патентованого фірмового радіатору DHX+. Його дизайн передбачає використання двох методів – конвекції та провідності – для ефективного відведення надлишку тепла. Додатково, в комплект продажу новинки входить активна система охолодження AirFlow 2 GTL, яка складається з двох вентиляторів, що забезпечують прискорення процесу тепловідведення.
Придбати новий набір оперативної пам’яті з серії Corsair Dominator GT можна через офіційну он-лайн крамницю компанії за орієнтовною ціною $499.
Зведена таблиця технічної специфікації нового набору оперативної пам’яті Corsair Dominator GT виглядає наступним чином:
Назва |
Corsair Dominator GT |
Модель |
CMT8GX3M2A2133C9 |
Тип |
240-контактна DIMM DDR3 |
Об’єм, ГБ |
8 (2 х 4) |
Тактова частота, МГц |
2133 |
Таймінги |
9-11-9 |
Напруга живлення, В |
1,5 |
Гарантія |
довічна |
Орієнтовна ціна, $ |
499 |
http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський
IBM представила багатобітні мікросхеми PCM-пам’яті
Дослідницькій команді компанії IBM вдалося здійснити справжній прорив в розробці PCM-мікросхем постійної пам’яті. Їм вдалося виготовити багатобітні (багаторівневі) чіпи, які в одній фізичній комірці пам’яті можуть зберігати декілька біт інформації. Це дозволить значно збільшити їх об’єм, знизити витрати матеріалу та собівартість виготовлення. Такий підхід означає, що через певний час (4-5 років) вони можуть прийти на зміну сучасним NAND флеш-чіпам, оскільки володіють двома суттєвими перевагами:
-
кількість циклів стирання / запису досягає 10 000 000, в той час як для 25-нм NAND флеш-мікросхем з багаторівневою структурою комірок (MLC) він складає усього 3 000;
-
в найгіршому випадку, затримка при запису інформації складає 10 мкс, що в 100 разів швидше, ніж у сучасних аналогів.
На сьогоднішній день, дослідний зразок багатобітної PCM-мікросхеми компанії IBM виготовляється за нормами 90-нм техпроцесу з використанням CMOS-технології.
Нагадаємо, що в основі PCM (Phase-Change Memory) пам’яті знаходяться халькогеніди – бінарні сполуки металів з елементами шостої групи головної підгрупи періодичної системи Мендєлєєва. При зміні температури, вони можуть змінювати свій стан з аморфного на кристалічний. При цьому, аморфний стан володіє значним опором, тому використовується для представлення «0» в двійковій системі числення. А кристалічний стан володіє низьким опором, тому використовується для представлення «1». На сьогоднішній день, халькогеніди широко використовуються при виготовленні дисків CD-RW та DVD-RW, оскільки показних заломлення в даних сполуках також змінюється в залежності від стану матеріалу. Саме завдяки унікальним властивостям халькогенідів, вищезгадані носії забезпечують багатократний запис інформації.
http://www.tcmagazine.com
Сергій Буділовський
Домінування DDR3-пам’яті завершиться лише в 2015 році
Компанія iSuppli представила результати глобального дослідження ринку оперативної пам’яті в якому охоплено період з 2009 по 2015 роки. Воно включає в себе динаміку розвитку даного ринкового сегменту і характеризується акцентуванням уваги на трьох показниках: загальній кількості проданих модулів, типу та найбільш поширеному об’єму.
Отже, починаючи з 2009 року, об’єм ринку оперативної пам’яті демонструє стабільний зріст, який, на думку дослідників, продовжиться до 2015 року. Зокрема, в 2009 році було продано 645 мільйонів модулів оперативної пам’яті, а в 2015 прогнозований об’єм продажу складе 1060 мільйонів, що на 64% більше початкового рівня.
Що стосується найбільш поширеного об’єму, то на даний момент відбувається перехід від двох гігабайтних модулів до чотирьох. Цей процес завершиться в наступному році. А вже в 2015 році, найпопулярнішими буду восьми гігабайтні модулі.
Не менш цікавою є динаміка розподілу ринку оперативної пам’яті за типами. В поточному році своє лідерство вдалося зміцнити DDR3-пам’яті, частка якої сягає 89%. На другому місці, з показником 9%, залишається DDR2-пам’ять. А рівень продажу DDR-модулів не перевищує 2%. Очікується, що впродовж найближчих трьох років кардинальних змін не станеться і своє абсолютне домінування продовжить DDR3-пам’ять, а частка модулів DDR2 і DDR продовжить невпинно зменшуватися. Поворотним стане 2015 рік, в якому ринкова доля DDR4-пам’яті складе 56%, на другому місці залишаться DDR3-модулі з показником 42% і 1% припаде на DDR2-пам’ять.
http://www.isuppli.com
http://news.softpedia.com
Сергій Буділовський
Показати ще