Комплект оперативної пам’яті Corsair Special Edition Arctic White Vengeance LP вже у продажу

Анонсовані на початку червня новий двоканальний набір оперативної пам’яті Corsair Special Edition Arctic White Vengeance LP з’явився у продажу. Він призначений для використання у високопродуктивних системах з обмеженими внутрішнім простором. До складу новинки входять два модулі, висотою 26,25 мм і ємністю 4 ГБ кожен. Вони функціонують на тактовій частоті 1600 МГц при напрузі живлення 1,35 В.

Відзначимо, що кожен модуль оперативної пам’яті з набору Corsair Special Edition Arctic White Vengeance LP зібраний на основі спеціально відібраних мікросхем. Це гарантує не лише високу продуктивність новинок, але й надійність та стабільність їх параметрів, що підтверджено отриманим сертифікатом Intel XMP.

Система охолодження рішень комплекту Corsair Special Edition Arctic White Vengeance LP складається з компактного радіатору. Його конструкція розроблена таким чином, щоб зберегти висоту модулів на мінімально-можливому рівні і забезпечити при цьому ефективне відведення зайвого тепла.

У продаж новинки надійшли з довічною гарантією за орієнтовною ціною $89,99. Зведена таблиця технічної специфікації нового набору оперативної пам’яті Corsair Special Edition Arctic White Vengeance LP виглядає наступним чином: 

http://www.tcmagazine.com
http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Elpida почала відвантаження 25-нм 2 Гб мікросхем пам’яті

Компанія Elpida з гордістю оголосила про початок відвантаження перших повнофункціональних мікросхем DDR3-пам’яті, які використовують найтонший, на сьогоднішній день, техпроцес – 25-нм.

Нові чіпи пам’яті володіють об’ємом 2 Гб, а мінімальна тактова частота їх функціонування складає 1866 МГц. При цьому новинки представлені в двох варіантах: стандартні рішення з напругою живлення 1,5 В, та енергоефективні моделі з напругою живлення 1,35 В. Таким чином, нові 25-нм мікросхеми від компанії Elpida можуть використовуватися в різного роду цифрових електронних приладах, включаючи: сервери, десктопи, ноутбуки, нетбуки, планшетники, смартфони, ігрові консолі та інші.

Від 30-нм попередників новинки відрізняються нижчим споживанням струму (на 15% в активному режимі і на 20% в режимі очікування), ефективнішим використанням матеріальних ресурсів та вищою швидкістю передачі даних.

Заслуговує на увагу і той факт, що до кінця поточного року, компанія Elpida планує почати продаж 4 Гб мікросхем DDR3-пам’яті, які також виготовлені на базі норм 25-нм техпроцесу. Зведена таблиця технічної специфікації нових мікросхем пам’яті від компанії Elpida виглядає наступним чином: 

http://www.elpida.com
http://news.softpedia.com
Сергій Буділовський

Анонс нового 8 ГБ набору оперативної пам’яті з серії Corsair Dominator GT

Компанія Corsair представила новий набір DDR3-пам’яті з серії Dominator GT. Він складається з двох чотиригігабайтних модулів, які функціонують на тактовій частоті 2133 МГц при напрузі живлення 1,5 В.

Відзначимо, що новий набір з серії Corsair Dominator GT призначений для використання у високопродуктивних системах, оскільки він не лише володіє відмінними параметрами, але й дозволяє проводити подальшу оптимізацію власних характеристик. Досягти цього вдалося завдяки використанню комплексу тестів для кожної окремої мікросхеми, що допомогли відібрати лише найкращі та найстабільніші зразки.

Система охолодження кожного модуля з серії Corsair Dominator GT складається з патентованого фірмового радіатору DHX+. Його дизайн передбачає використання двох методів – конвекції та провідності – для ефективного відведення надлишку тепла. Додатково, в комплект продажу новинки входить активна система охолодження AirFlow 2 GTL, яка складається з двох вентиляторів, що забезпечують прискорення процесу тепловідведення.

Придбати новий набір оперативної пам’яті з серії Corsair Dominator GT можна через офіційну он-лайн крамницю компанії за орієнтовною ціною $499.

Зведена таблиця технічної специфікації нового набору оперативної пам’яті Corsair Dominator GT виглядає наступним чином: 

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

IBM представила багатобітні мікросхеми PCM-пам’яті

Дослідницькій команді компанії IBM вдалося здійснити справжній прорив в розробці PCM-мікросхем  постійної пам’яті. Їм вдалося виготовити багатобітні (багаторівневі) чіпи, які в одній фізичній комірці пам’яті можуть зберігати декілька біт інформації. Це дозволить значно збільшити їх об’єм, знизити витрати матеріалу та собівартість виготовлення. Такий підхід означає, що через певний час (4-5 років) вони можуть прийти на зміну сучасним NAND флеш-чіпам, оскільки володіють двома суттєвими перевагами:

• кількість циклів стирання / запису досягає 10 000 000, в той час як для 25-нм NAND флеш-мікросхем з багаторівневою структурою комірок (MLC) він складає усього 3 000;
• в найгіршому випадку, затримка при запису інформації складає 10 мкс, що в 100 разів швидше, ніж у сучасних аналогів.

На сьогоднішній день, дослідний зразок багатобітної PCM-мікросхеми компанії IBM виготовляється за нормами 90-нм техпроцесу з використанням CMOS-технології.

Нагадаємо, що в основі PCM (Phase-Change Memory) пам’яті знаходяться халькогеніди – бінарні сполуки металів з елементами шостої групи головної підгрупи періодичної системи Мендєлєєва. При зміні температури, вони можуть змінювати свій стан з аморфного на кристалічний. При цьому, аморфний стан володіє значним опором, тому використовується для представлення «0» в двійковій системі числення. А кристалічний стан володіє низьким опором, тому використовується для представлення «1». На сьогоднішній день, халькогеніди широко використовуються при виготовленні дисків CD-RW та DVD-RW, оскільки показних заломлення в даних сполуках також змінюється в залежності від стану матеріалу. Саме завдяки унікальним властивостям халькогенідів, вищезгадані носії забезпечують багатократний запис інформації.

http://www.tcmagazine.com
Сергій Буділовський

Домінування DDR3-пам’яті завершиться лише в 2015 році

Компанія iSuppli представила результати глобального дослідження ринку оперативної пам’яті в якому охоплено період з 2009 по 2015 роки. Воно включає в себе динаміку розвитку даного ринкового сегменту і характеризується акцентуванням уваги на трьох показниках: загальній кількості проданих модулів, типу та найбільш поширеному об’єму.

Отже, починаючи з 2009 року, об’єм ринку оперативної пам’яті демонструє стабільний зріст, який, на думку дослідників, продовжиться до 2015 року. Зокрема, в 2009 році було продано 645 мільйонів модулів оперативної пам’яті, а в 2015 прогнозований об’єм продажу складе 1060 мільйонів, що на 64% більше початкового рівня.

Що стосується найбільш поширеного об’єму, то на даний момент відбувається перехід від двох гігабайтних модулів до чотирьох. Цей процес завершиться в наступному році. А вже в 2015 році, найпопулярнішими буду восьми гігабайтні модулі.

Не менш цікавою є динаміка розподілу ринку оперативної пам’яті за типами. В поточному році своє лідерство вдалося зміцнити DDR3-пам’яті, частка якої сягає 89%. На другому місці, з показником 9%, залишається DDR2-пам’ять. А рівень продажу DDR-модулів не перевищує 2%. Очікується, що впродовж найближчих трьох років кардинальних змін не станеться і своє абсолютне домінування продовжить DDR3-пам’ять, а частка модулів DDR2 і DDR продовжить невпинно зменшуватися. Поворотним стане 2015 рік, в якому ринкова доля DDR4-пам’яті складе 56%, на другому місці залишаться DDR3-модулі з показником 42% і 1% припаде на DDR2-пам’ять.

http://www.isuppli.com
http://news.softpedia.com
Сергій Буділовський

Анонс двоканальних наборів оперативної пам’яті Apacer ARES DDR3-2133 МГц

Компанія Apacer вирішила розширити серію високопродуктивної DDR3-оперативної пам’яті ARES новим двоканальним набором. Новинка складається з двох модулів, об’ємом 4 ГБ кожен, які працюють на тактовій частоті 2133 МГц при напрузі живлення 1,65 В. Відзначимо, що набір Apacer ARES DDR3-2133 МГц розроблений, в першу чергу, для використання в парі з новими материнськими платами зібраними на базі чіпсетів Intel P67 та Z68.

Унікальна система охолодження модулів Apacer ARES DDR3-2133 МГц складається з радіатора, який накриває мікросхеми пам’яті, мідної теплової трубки та ще одного радіатору (червоного кольору), пластини якого розміщені в верхній частині теплової трубки. Принцип дії усієї системи полягає у використанні додаткової рідини, яка розміщується всередині мідної теплової трубки і під дією тепла, що надходить від мікросхем пам’яті, вона випаровується. Утворена пара, піднімається вверх по конструкції до червоного радіатору, де і відбувається процес її охолодження та конденсування. Охолодження рідина повертається в нижню частину конструкції і процес набуває циклічного характеру.

Пропонуємо таблицю технічної специфікації нового набору оперативної пам’яті Apacer ARES DDR3-2133 МГц виглядає наступним чином:

http://www.tcmagazine.com
http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Модулі пам’яті Transcend SO-DIMM та Long-DIMM з розширеним температурним діапазоном

Компанія Transcend пропонує повну лінійку індустріальних модулів пам’яті форм-факторів SO-DIMM та Long-DIMM.

Transcend SO-DIMM мають наступну ємність: 512 МБ DDR 400 МГц, 1~2 ГБ DDR2 533/667/800 МГц, та 1~4 ГБ DDR3 1333 МГц. Модулі Long-DIMM є доступними у варіантах 1~4 ГБ DDR3 1333 МГц.

Відзначимо, що нові модулі пам’яті зібрано з якісних мікросхем DRAM для роботи в цілодобовому режимі за непростих умов – наприклад, в транспорті, платіжних терміналах, вбудованих системах, медичному обладнанні та промисловому виробництві.

Серія індустріальної пам’яті форм-фактора Transcend SO-DIMM складається з модулів DDR, DDR2 та DDR3, а у форм-факторі Long-DIMM є доступними модулі стандарту DDR3 1333 МГц. Для підтвердження підвищеної стабільності всі вироблені модулі проходять жорсткі температурні випробування, і тільки тоді їх визнають придатними до роботи та відвантаження клієнтам. Завдяки товстішим печатним платам (PCB) та 30-мікронній позолоті контактів, яка є вдесятеро товстішою за звичайну, нові широко температурні (от -40° до 85ºC) модулі пам’яті є достатньо міцними, щоб витримати часті встановлення та демонтування, а також забезпечують кращу якість сигналу.

На додачу в усіх нових модулях пам’яті використовуються конденсатори індустріального класу, які забезпечують стабільну вихідну напругу. Такий підхід гарантує ефективнішу фільтрацію сигналу в системах, які потребують максимальної надійності роботи – наприклад в промислових комп’ютерах, які контролюють небезпечне виробництво, в медичному обладнанні, тощо.

На всі індустріальні модулі пам’яті SO-DIMM та Long-DIMM розповсюджується Довічна гарантія від виробника.

Transcend

Kingston HyperX 2133 МГц DDR3 SO-DIMM – найшвидші модулі пам’яті для ноутбуків

Анонсовано появу нового набору оперативної пам’яті Kingston HyperX 2133 МГц DDR3 SO-DIMM, який призначений для використання в високопродуктивних або ігрових мобільних комп’ютерах. Він складається з двох модулів, об’ємом 2 ГБ кожен, що працюють на тактовій частоті 2133 МГц. При цьому номінальна напруга живлення складає 1,5 В.

Високу ефективність та значний оптимізаційний потенціал набору Kingston HyperX 2133 МГц DDR3 SO-DIMM був підтверджений сертифікатом Intel XMP. Для його отримання новинці потрібно було пройти ряд серйозних тестів в парі з процесором Intel Core i7-2920XM. Таким чином, власники нових модулів гарантовано отримають високоякісне рішення, яке здатне стабільно функціонувати на підвищених тактових частотах.

Система охолодження модулів оперативної пам’яті набору Kingston HyperX 2133 МГц DDR3 SO-DIMM складається з фірмового радіатору HyperX, що повністю накриває мікросхеми пам’яті та сприяє ефективному розсіюванню надлишку тепла.

Нажаль, жодної інформації щодо дати початку продажу чи орієнтовної ціни новинок розголошено не було. Зведена таблиця технічної специфікації нового набору оперативної пам’яті серії Kingston HyperX представлена в наступній таблиці: 

http://www.kingston.com
http://news.softpedia.com
Сергій Буділовський