Комп'ютерні новини
Оперативна пам’ять
Нові модулі пам'яті Transcend DDR3-1866 для високопродуктивних серверів
Компанія Transcend представила модулі пам'яті ємністю 4 ГБ, типів DDR3-1866 Registered DIMM (RDIMM) і DDR3-1866 Unbuffered ECC DIMM (ECC UDIMM). Вони здатні забезпечити оптимальний рівень продуктивності при експлуатації в умовах сучасних віртуалізованих центрів обробки даних і ідеально підходять для встановлення в сервери на основі платформи Intel Xeon E5-2600 v2.
Розроблені з урахуванням актуальних тенденцій впровадження технологій віртуалізації серверів, модулі пам'яті Transcend DDR3-1866 були успішно протестовані на сумісність із системами на базі платформи Intel Romley-EP з новітніми процесорами сімейства Xeon E5-2600 v2. Новинки мають найвищу робочу частоту серед усіх аналогічних продуктів компанії Transcend. Вони створені з використанням високоякісних мікросхем пам'яті DDR3-1866 DRAM, які відрізняються неперевершеним рівнем продуктивності та надійності.
Кожний з модулів здатний працювати на частоті 1866 МГц із затримками 13-13-13 при максимальній робочій напрузі 1,5 В. Крім того, необхідно відзначити вбудовану реалізацію алгоритмів автоматичного виправлення помилок ECC (Error Correcting Code), які дозволяють відслідковувати коректність операцій запису та зчитування даних. Це дає можливість суттєво знизити ризик виникнення помилок під час виконання складних обчислювальних завдань, а також підвищує загальний рівень надійності роботи системи.
Представлені модулі DDR3 повністю сумісні зі стандартами організації JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) і відрізняються найвищим рівнем продуктивності, стабільності та надійності. Обидва типи модулів постачаються з обмеженою довічною гарантією.
Зведена таблиця технічної документації нових модулів оперативної пам'яті компанії Transcend:
Номер серії |
Ємність |
Опис |
TS512MKR72V8N |
4 ГБ |
1866 МГц DDR3 Registered ECC DIMM |
TS512MLK72V8N |
4 ГБ |
1866 МГц DDR3 Unbuffered ECC DIMM |
Високопродуктивна серверна пам'ять Transcend зі зниженою робочою напругою
Компанія Transcend оголосила про початок випуску низьковольтних (напруга живлення 1,35 В) модулів пам'яті типу DDR3L-1600 Low Voltage RDIMM обсягом 8 ГБ. Вони призначені для систем, що виконують обробку та аналіз великого обсягу даних. При цьому новинки повною мірою відповідають вимогам, пропонованим до показників щільності запису, продуктивності та енергоспоживання сучасної серверної пам'яті.
Створені з урахуванням потреб хмарних і віртуалізаційних систем, низьковольтні модулі Transcend DDR3 Low Voltage RDIMM прекрасно підходять для обробки великих обсягів даних і інших програм, які вимагають інтенсивної роботи з ОЗП. Крім того, вони знайдуть своє застосування на підприємствах, які опікуються про збереженість навколишнього середовища. Зниження робочої напруги зі стандартних 1,5 В до 1,35 В дозволяє зменшити навантаження на контролер пам'яті, знизити загальну температуру системи та заощадити до 20% електроенергії. Більше того, встановлення одного модуля пам'яті обсягом 8 ГБ замість двох по 4 ГБ дає можливість зменшити витрати електроенергії ще на 50%.
Додаткова перевага рішень серії Transcend DDR3 Low Voltage - підтримка тактової частоти 1600 МГц, а також наявність вбудованих датчиків температури. І, звичайно ж, не варто забувати про високу надійність даних пристроїв, на які поширюється обмежена довічна гарантія.
Зведена таблиця технічної специфікації модулів серверної оперативної пам'яті лінійки Transcend DDR3 Low Voltage:
Номер серії |
Ємність |
Опис |
TS2GKR72W6Z |
16 ГБ |
1600 МГц DDR3L REG DIMM (2 ранк x4) |
TS1GKR72W6Z |
8 ГБ |
1600 МГц DDR3L REG DIMM (1 ранк x4) |
TS1GKR72W6Y |
8 ГБ |
1600 МГц DDR3L REG DIMM (2 ранк x4) |
TS1GKR72W6H |
8 ГБ |
1600 МГц DDR3L REG DIMM (2 ранк x4) |
TS512MKR72W6H |
4 ГБ |
1600 МГц DDR3L REG DIMM (1 ранк x8) |
Оверклокерська пам'ять серії Team Group ZEUS уже доступна на ринку
Компанія Team Group вийшла на ринок із пропозицією нової серії оверклокерської оперативної пам'яті - Team Group ZEUS. До її складу ввійшли двоканальні DDR3 DIMM-модулі загальною ємністю 8 ГБ (2 х 4 ГБ), номінальна частота роботи яких становить 1600 МГц. Робоча напруга новинок знаходиться на рівні 1,45-1,5 В, а схема таймінгів – 9-9-9-24.
Фахівці компанії Team Group вказують на значний оптимізаційний потенціал модулів пам'яті серії Team Group ZEUS. Для стабільної роботи в умовах підвищених тактових частот і робочих напруг новинки оснащені алюмінієвими радіаторами, які дозволяють більш ефективно розсіювати надлишкове тепло. При цьому висота самих модулів не перевищує 3-х см, що суттєво розширює їхню сумісність із високопродуктивними повітряними процесорними кулерами.
У продаж рішення серії Team Group ZEUS надійшли з довічною гарантією за орієнтовною ціною від €69,90. Зведена таблиця технічної специфікації новинок виглядає наступним чином:
Назва |
Team Group ZEUS |
Тип |
DDR3 DIMM |
Обсяг, ГБ |
8 (2 х 4) |
Тактова частота, МГц |
1600 |
Таймінги |
9-9-9-24 |
Робоча напруга живлення, В |
1,45 – 1,5 |
Висота, см |
3 |
Колір радіатора |
Червоний / синій / золотий |
Гарантія виробника |
Довічна |
Орієнтовна ціна, € |
69,90 |
Team Group
Сергій Буділовський
Samsung повідомляє про старт серійного виробництва передових 20-нм модулів пам'яті DDR4
Компанія Samsung Electronics оголосила про старт серійного виробництва передових модулів пам'яті DDR4 для корпоративних серверів, які працюють у складі центрів обробки даних (ЦОД) наступного покоління. За допомогою цих високопродуктивних і високоємних модулів пам'яті Samsung зможе задовольнити потреба ринку в прогресивних DDR4-рішеннях для ЦОД і корпоративних серверів.
Більш рання поява на ринку 4-гігабітних (Гб) DDR4-пристроїв, створених на основі 20-нанометрового техпроцесу, посприяє зростанню попиту на модулі пам'яті ємністю 16 ГБ і 32 ГБ, які зможуть у майбутньому замінити традиційні DRAM-версії ємністю 8 ГБ на основі 30-нм техпроцесу, що найпоширеніші на даний момент. Швидкість передачі даних 4-гігабітним чіпом пам'яті DDR4 становить 2667 Мбіт/с, що в 1,25 рази більше швидкості модулів DDR3, у яких також використовуються мікросхеми 20-нанометрового класу. При цьому енергоспоживання чіпа знижене більш ніж на 30%.
Використання високошвидкісних чіпів пам'яті DRAM у роботі корпоративних серверів наступного покоління значно підвищує продуктивність системи та знижує рівень енергоспоживання. Застосовуючи технології модулів пам'яті DDR4 на ранньому етапі, ОЕМ-виробники можуть звести до мінімуму експлуатаційні витрати та значно збільшити продуктивність, забезпечивши таким чином більш швидке повернення інвестицій.
Створивши на базі модуля 20-нм класу найпродуктивніший і найменший 4-гігабітний чіп DRAM-пам'яті у світі, компанія Samsung Electronics у цей час має найбільшу в індустрії лінійку продуктів, призначених для застосування як у серверах, так і в мобільних пристроях. Це забезпечить клієнтам по усьому світу найширший вибір передових екологічних рішень для пам'яті, які відрізняються низьким енергоспоживанням та високою продуктивністю.
Постійне посилання на новинуНа виставці IDF 2013 G.SKILL анонсує плани появи модулів DDR4-пам'яті
У рамках форуму IDF 2013, який пройде з 10-ого по 12-е вересня в Сан-Франциско (США), компанія G.SKILL планує продемонструвати на своєму стенді лінійку високопродуктивної оперативної пам'яті DDR3, яка буде включати й чотирьохканальні модулі для використання в парі з новими процесорами Intel Ivy Bridge-E. Також вона обіцяє поділитися планами випуску модулів пам'яті стандарту DDR4, які будуть офіційно представлені вже в наступному році.
Нагадаємо, що на даний момент заявлену підтримку нового стандарту оперативної пам'яті мають високопродуктивні процесори лінійки Intel Haswell-E, дебют яких очікується наприкінці 2014 року. Для більш широких мас користувачів вони стануть доступними разом із процесорами Intel Skylake, які в другій половині 2015 року прийдуть на зміну моделям лінійки Intel Broadwell.
Що ж стосується компанії AMD, то підтримка пам'яті стандарту DDR4 у її процесорах і APU очікується з появою рішень серії AMD Carrizo з мікроархітектурою AMD Excavator, які повинні замінити APU AMD Kaveri в 2015 році.
http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський
Представлені високопродуктивні модулі оперативної пам'яті G.SKILL Ripjaws DDR3 SO-DIMM
Власники стандартних десктопних систем уже давно відкрили для себе високу якість та відмінні функціональні можливості модулів оперативної пам'яті серії G.SKILL Ripjaws DDR3 DIMM. А тепер у цьому зможуть переконатися і власники компактних десктопних і мобільних систем, завдяки новій серії G.SKILL Ripjaws DDR3 SO-DIMM.
До її складу ввійшли одиночні модулі та двоканальні конфігурації загальним обсягом від 4 до 16 ГБ. Їхня тактова частота становить 1600 (таймінги 9-9-9-28) або 1866 МГц (таймінги 10-10-10-32), а робоча напруга – 1,35 В, що у свою чергу гарантує низьке енергоспоживання та високу продуктивність.
Відзначимо, що всі рішення серії G.SKILL Ripjaws DDR3 SO-DIMM оснащені компактними радіаторами для кращого відведення зайвого тепла. Також у процесі виготовлення вони проходять ряд суворих випробувань на відповідність високим фірмовим стандартам якості та надійності роботи, тому покупці можуть бути впевнені в їхній високій ефективності.
Зведена таблиця технічної специфікації модулів оперативної пам'яті серії G.SKILL Ripjaws DDR3 SO-DIMM виглядає наступним чином:
Частота, МГц |
Таймінги |
Обсяг, ГБ |
Робоча напруга, В |
Ідентифікаційний номер |
1866 |
10-10-10-32 |
16 (2 х 8) |
1,35 |
F3-1866C10D-16GRSL |
1866 |
10-10-10-32 |
8 (1 х 8) |
1,35 |
F3-1866C10S-8GRSL |
1866 |
10-10-10-32 |
8 (2 х 4) |
1,35 |
F3-1866C10D-8GRSL |
1866 |
10-10-10-32 |
4 (1 х 4) |
1,35 |
F3-1866C10S-4GRSL |
1600 |
9-9-9-28 |
16 (2 х 8) |
1,35 |
F3-1600C9D-16GRSL |
1600 |
9-9-9-28 |
8 (1 х 8) |
1,35 |
F3-1600C9S-8GRSL |
1600 |
9-9-9-28 |
8 (2 х 4) |
1,35 |
F3-1600C9D-8GRSL |
1600 |
9-9-9-28 |
4 (1 х 4) |
1,35 |
F3-1600C9S-4GRSL |
http://www.gskill.com
Сергій Буділовський
Модулі оперативної пам'яті G.SKILL TridentX досягли частоти DDR3-4400 МГц
Професійному оверклокеру Джеймсу Треваскісу (James "YoungPro" Trevaskis) вдалося встановити новий світовий рекорд у дисципліні оверклокінгу оперативної пам'яті. Використовуючи для своїх цілей один 4-гігабайтний модуль серії G.SKILL TridentX (DDR3-3000 МГц C12) він збільшив його частоту до позначки 2202 МГц (DDR3-4400 МГц), що виявилося вище попереднього показника 2145,2 МГц (DDR3-4290 МГц).
Тестова система Джеймса Треваскіса також включала до свого складу материнську плату ASUS Maximus VI Impact і процесор Intel Core i7-4770K, тактова частота якого була знижена з 3,5 ГГц до 1,8 ГГц. Охолодження ж ключових вузлів здійснювалося на основі рідкого азоту.
http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський
Елегантні оверклокерські модулі оперативної пам'яті Avexir Core GOLD
Компанія Avexir представила новий двоканальний набір оперативної пам'яті Avexir Core GOLD. До його складу ввійшли пара 4-х ГБ модулів, які функціонують на частоті 2133 МГц із максимальною напругою живлення 1,65 В і таймінгами 9-11-10-27.
Для більш стабільної роботи вони оснащені барвистим радіатором золотавого кольору, що в парі із чорним кольором друкованої плати самих модулів забезпечує елегантний зовнішній вигляд новинок. Більше того, вони додатково оснащені жовтим LED-підсвічуванням, що особливо сподобається модерам і власникам корпусів з оглядовим вікном.
Відзначимо, що оперативна пам'ять Avexir Core GOLD підтримує технологію Intel XMP 1.3 для роботи в оверклокерських системах. Також вона повністю сумісна з усіма актуальними процесорами компаній AMD і Intel. А завдяки проходженню кожним модулем суворого тестування в процесі виробництва, компанія Avexir поширила на них довічну гарантію. У продажі новинки доступні за орієнтовною ціною €89,98.
Зведена таблиця технічної специфікації модулів оперативної пам'яті Avexir Core GOLD виглядає наступним чином:
Модель |
Avexir Core GOLD |
|
Код EAN |
713757467230 |
|
Тип |
DDR3 |
|
Тактова частота, МГц |
2133 |
|
Обсяг, ГБ |
8 (2 х 4) |
|
Схема таймінгів |
На частоті 1333 МГц |
9-9-9-24 |
На частоті 2133 МГц |
9-11-10-27 |
|
Робоча напруга, В |
1,5 – 1,65 |
|
Підтримка XMP |
XMP 1.3 |
|
Висота, мм |
38 |
|
Тип підсвічування |
Жовте LED |
|
Гарантія |
Довічна |
|
Орієнтовна ціна, € |
89,98 |
Показати ще