Samsung візьметься за серійне виробництво чіпів мобільної пам'яті LPDDR4 обсягом 4 ГБ уже в 2015 році

Недавно компанія Samsung Electronics оголосила про початок масового виробництва перших чіпів пам'яті LPDDR4 для смартфонів і планшетів.

Згідно із заявами виробників, нові чіпи випускаються за 20-нанометровою технологією й пропонують швидкість передачі даних на рівні 3200 Мбіт/с. Завдяки останньому показнику, який удвічі вищий швидкості пам'яті DDR3, тепер стає можливим записувати й відтворювати відео формату UHD, здійснювати серійну зйомку з роздільною здатністю понад 20 Мп, а також знизити енергоспоживання на 40% у порівнянні з LPDDR3.

Також віце-президент компанії Джу Сан Чой (Joo Sun Choi) повідомляє, що завдяки використанню фірмової технології LVSTL (low-voltage swing-terminated logic) вдалося додатково зменшити енергоспоживання й у той же час забезпечити роботу на високій швидкості при низькій напрузі живлення.   

Відомо, що компанія Samsung уже почала поставки чіпів LPDDR4 обсягом 2 і 3 ГБ на ринок мобільних пристроїв. Що стосується мікросхем обсягом 4 ГБ, виробник повідомляє, що перші поставки відбудуться уже в першому кварталі 2015 року. 

http://www.phonearena.com
Мартинець Марія

В 2015 році смартфони перейдуть на пам'ять LPDDR4

У наступному році пам'ять стандарту DDR4 завойовуватиме все більше шанувальників у сегменті десктопних ПК, а її аналог на мобільному ринку – LPDDR4 – почне свою ходу в сфері смартфонів і планшетів. Існують усі передумови для того, щоб перехід з LPDDR3 на LPDDR4 відбувся суттєво швидше, аніж з DDR3 на DDR4. По-перше, швидкість передачі даних вводу / виводу в LPDDR3 заявлена на рівні 2133 MT/s, а в LPDDR4 вона складе для початку 3200 MT/s з наступним підняттям до 4266 MT/s. Робоча частота збільшиться у два рази (з 800 МГц для LPDDR3 до 1600 МГц для LPDDR4), аналогічно зросте й пропускна здатність (з 12,8 до 25,6 ГБ/с), а от споживання енергії знизиться практично на 10% (з 1,2 до 1,1 В). Усе це більш суттєво вплине на продуктивність і енергоефективність нових смартфонів, тому ключові гравці захочуть швидше інтегрувати даний стандарт.

Відомо, що флагманський процесор Qualcomm Snapdragon 810 підтримуватиме двоканальну пам'ять LPDDR4-1600 МГц, а от версії з індексами «808», «805» і «801» позбавлені такої можливості. Очікується, що новий процесор компанії NVIDIA (NVIDIA Erista) також запропонує підтримку цього стандарту пам'яті. З подібними пропозиціями повинні вийти також компанії Intel, MediaTek і навіть Apple. Що ж стосується виробників самих чіпів, то аналітики пророкують компанії Samsung 30% ринку пам'яті LPDDR4 за результатами 4 кварталу 2015 року. В Sk Hynix буде близько 18%, а Micron забере собі 25%.

http://www.fudzilla.com
Сергій Буділовський

Оперативна пам'ять GOODRAM DDR4 офіційно в Україні!

Польська фірма Wilk Elektronik, єдиний виробник пам'яті в Центрально-Східній Європі, представила в Україні новітню пам'ять RAM четвертого покоління під брендом GOODRAM, орієнтовану на найвимогливіших користувачів. Сам виробник називає її «інноваційним рішенням», побудованим на базі нових платформ Intel, які використовують чіпсет X99 і процесори сімейства Intel Haswell-E.

Пам'ять GOODRAM DDR4 використовують особливу конструкцію плати PCB, яка значно збільшує опір механічним пошкодженням і стрибкам напруги. На жаль, точні дані про умови тестування плат не повідомляються, але виробник повідомляє, що вони залишаються стабільними навіть у найекстремальніших умовах. Також, практично на 40% скоротилося енергоспоживання в порівнянні з попередніми рішеннями типу DDR3.

Якщо коротко, основні характеристики пам'яті GOODRAM DDR4 наступні:

• Напруга живлення – 1,2 В;
• Тактова частота – 2133 МГц;
• Пропоновані ємності – 4 ГБ і 8 ГБ;
• Випускається в одно- і двоканальних варіантах.

На українському ринку нова пам'ять GOODRAM DDR4 уже доступна в обох варіантах. Орієнтовна вартість планки обсягом 4 ГБ становить $80, 8 ГБ – $150.

Серверні модулі DDR4-пам'яті від компанії Transcend

Компанія Transcend представила три нові модулі оперативної пам'яті стандарту DDR4, які націлені на використання в серверних системах. Мова йде про моделі RDIMM обсягом 8 і 16 ГБ, а також про 16-ГБ VLP RDIMM-рішення.

Усі три новинки повністю сумісні із процесорами серії Intel Xeon E5-2600 v3 і стандартами асоціації JEDEC. Вони працюють при напрузі 1,2 В і частоті 2133 МГц, що забезпечує пропускну здатність на рівні 17 ГБ/с. Тобто нові модулі гарантують високу продуктивність при більш низькому енергоспоживанні (на 40% менше, аніж в 1,5-В DDR3-модулів). Додатково рішення компанії Transcend формату VLP RDIMM має дуже низький профіль (висота – 18,8 мм). Це дозволяє встановлювати його в компактних системах, наприклад, у блейд-серверах.

У продаж усі новинки надійдуть з обмеженою довічною гарантією.

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

KINGMAX анонсувала модулі оперативної пам'яті стандарту DDR4

На ринку гравців DDR4-пам'яті чергове поповнення – свою лінійку анонсувала компанія KINGMAX. Вона представила свої рішення відразу для багатьох ключових сегментів: unbuffered DIMM, SO-DIMM, registered DIMM, ECC unbuffered DIMM і VLP registered DIMM. На думку компанії, уже в 2015 році відбудеться значне підвищення попиту на ринку DDR4-пам'яті.

Що ж стосується десктопних планок DDR4 unbuffered DIMM, то вони представлені в традиційному 288-контактом корпусі загальним обсягом від 4 до 16 ГБ (в одноканальному виконанні) і від 8 до 32 ГБ (у двоканальних наборах). Ефективна тактова частота новинок знаходиться в діапазоні від 1866 до 3200 МГц, а робоча напруга при цьому не перевищує 1,2 В. Також дані рішення відповідають усім нормам стандарту DDR4 організації JEDEC і сумісні з платформою Intel Socket LGA2011-v3.

Більш докладна таблиця технічної специфікації десктопної DIMM DDR4-пам'яті компанії KINGMAX:

http://www.kingmax.com
Сергій Буділовський

Samsung почала масове виробництво 20-нм мобільних мікросхем LPDDR3-пам'яті ємністю 6 Гбіт

Компанія Samsung з радістю повідомила про початок масового виробництва мобільних мікросхем LPDDR3-пам'яті обсягом 6 Гбіт, які створені із застосуванням 20-нм техпроцесу. Новинки мають збільшену до 2133 Мбіт/с швидкість передачі даних на контакт. До того ж чотири подібні чіпи легко об'єднати в один набір обсягом 3 ГБ для застосування в смартфонах і планшетах.

Завдяки більш тонкому техпроцесу кінцевий 3-ГБ набір займає на 20% менше місця, що дозволяє знизити габарити кінцевих пристроїв. На додаток вони споживають на 10% менше енергії, що приводить до економії заряду акумулятора, а також забезпечують 30% приріст у продуктивності. Усе це суттєво підвищує ефективність і доцільність їхнього використання, тому компанія Samsung і далі продовжить розробки в даній сфері.

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

IDF 2014: Intel анонсувала розробку модулів UniDIMM для DDR3 і DDR4 пам'яті

Високопродуктивні процесори компанії Intel уже перейшли на використання DDR4-пам'яті. Тепер на черзі мейнстрім-сегмент ринку, який охоплює дуже велику кількість користувачів. І тут уже перехід буде здійснений у два етапи: в 2015 році нас очікує платформа Intel Skylake, інтегрований контролер якої підтримуватиме DDR3 і DDR4 пам'ять. І лише в 2016 році вийде на ринок платформа Intel Cannonlake, рішення якої працюватимуть винятково з DDR4-пам'яттю.

У зв'язку з цим компанія Intel вирішила розробити новий стандарт модулів оперативної пам'яті – UniDIMM, які дозволять усій індустрії легше перейти від DDR3 до DDR4 пам'яті. У чому ж його суть? Він передбачає стандартизовану друковану плату для модулів оперативної пам'яті. На першому етапі виробники зможуть оснащувати подібні рішення DDR3-мікросхемами, щоб скоріше використовувати наявні запаси. А вже в майбутньому перейти винятково до застосування DDR4-чіпів. При цьому стандартизована друкована плата та роз’єм дозволять суттєво скоротити витрати виробникам оперативної пам'яті та материнських плат кінцевих пристроїв (комп'ютерів, ноутбуків і т.д.).

Передбачається, що модулі DDR3 / LPDDR3 UniDIMM будуть підтримувати тактову частоту 1866 МГц у якості стандарту. Версії DDR4 / LPDDR4 UniDIMM уже перейдуть до частот 2666 МГц. Також будуть представлені й більш продуктивні рішення: DDR3 / LPDDR3-2133 МГц UniDIMM і DDR4 / LPDDR4-2933 МГц UniDIMM. При цьому їхні розміри складуть 69,9 х 20 мм для звичайних варіантів і 69,9 х 30 мм – для більш ємних. Також важливо відзначити, що UniDIMM-модулі використовують існуючий 260-контактний роз’єм SODIMM, однак перемичка в них встановлена в іншому місці, що робить нові слоти й модулі несумісними з існуючими аналогами.

У виробництві новинок зацікавилися лідери ринку оперативної пам'яті – компанії Kingston і Micron.

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

IDF 2014: G.SKILL демонструє роботу DDR4-пам'яті в чотирьохканальному режимі

У рамках виставки IDF 2014 компанія G.SKILL вирішила продемонструвати на практиці роботу своїх високопродуктивних модулів оперативної пам'яті лінійки G.SKILL Ripjaws 4. Для цього на своєму стенді вона використовувала процесор Intel Core i7-5960X, материнські плати ASUS Rampage V Extreme X99 і ASUS X99-Deluxe та два чотирьохканальні комплекти серії G.SKILL Ripjaws 4 загальним обсягом 32 ГБ: DDR4 3333 МГц 4 ГБ х 8 і DDR4 3200 МГц 8 ГБ х 4.

При цьому використовувався відкритий стенд, але для охолодження самих модулів ніяких додаткових засобів не застосовувалося. У такій конфігурації обидві тестові системи пройшли бенчмарк AIDA64 Cache & Memory, продемонструвавши стабільну роботу на своїх номінальних частотах, що й було метою експерименту: демонстрація стабільної та надійної роботи на підвищених швидкостях.

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський