Комп'ютерні новини
Оперативна пам’ять
Розширена лінійка оперативної пам'яті DDR4 від компанії Transcend
Компанія Transcend суттєво збільшила власний модельний ряд оперативної пам'яті стандарту DDR4. Серед представлених новинок є рішення форматів UDIMM, RDIMM, ECC-DIMM і ECC SO-DIMM, які націлені на використання в серверних системах (із застосуванням процесорів серії Intel Xeon E5-2600) і в десктопних конфігураціях (на основі процесорів Intel Haswell-E).
Усі новинки характеризуються високою робочою частотою (2133 МГц) і порівняно низькою робочою напругою (1,2 В). Це дуже важливо, особливо в середовищі серверних систем, де підвищена швидкість забезпечить швидку обробку великих обсягів даних, а знижене споживання зменшить витрати електроенергії й поліпшить тепловий режим.

Представлені модулі оперативної пам'яті компанії Transcend доступні в різних варіантах обсягу: від 4 до 32 ГБ. Деякі з них (серій Transcend ECC-DIMM і ECC SO-DIMM) характеризуються підтримкою технології автоматичного виправлення помилок при передачі даних (Error Correcting Code).
Приємно відзначити, що всі новинки повністю сумісні з вимогами організації JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council). У процесі виробництва вони пройшли ряд суворих випробувань на стабільність і надійність роботи з 64-бітними системами при використанні одноядерних і багатоядерних систем. Це дозволяє компанії Transcend бути впевненою в якості виготовленої продукції і наділити всі DDR4-модулі обмеженою довічною гарантією.
Зведена таблиця технічної специфікації оперативної пам'яті DDR4 від компанії Transcend:
|
Найменування |
Об’єм |
Опис |
|
Long-DIMM |
||
|
TS512MLH64V1H |
4 ГБ |
DDR4 2133 U-DIMM 1Rx8 |
|
TS1GLH64V1H |
8 ГБ |
DDR4 2133 U-DIMM 2Rx8 |
|
R-DIMM |
||
|
TS512MHR72V1H |
4 ГБ |
DDR4 2133 REG-DIMM 1Rx8 |
|
TS512MHR72V1HL |
4 ГБ |
DDR4 2133 REG-DIMM 1Rx8 VLP |
|
TS1GHR72V1Z |
8 ГБ |
DDR4 2133 REG-DIMM 1Rx4 |
|
TS1GHR72V1H |
8 ГБ |
DDR4 2133 REG-DIMM 2Rx8 |
|
TS1GHR72V1HL |
8 ГБ |
DDR4 2133 REG-DIMM 2Rx8 VLP |
|
TS2GHR72V1Z |
16 ГБ |
DDR4 2133 REG-DIMM 2Rx4 |
|
TS2GHR72V1PL |
16 ГБ |
DDR4 2133 REG-DIMM 2Rx4 VLP |
|
TS4GHR72V1C |
32 ГБ |
DDR4 2133 REG-DIMM 2Rx4 |
|
ECC-DIMM |
||
|
TS512MLH72V1H |
4 ГБ |
DDR4 2133 ECC-DIMM 1Rx8 |
|
TS1GLH72V1H |
8 ГБ |
DDR4 2133 ECC-DIMM 2Rx8 |
|
ECC SO-DIMM |
||
|
TS512MSH72V1H |
8 ГБ |
DDR4 2133 ECC-SO-DIMM 1Rx8 |
|
TS1GSH72V1H |
8 ГБ |
DDR4 2133 ECC-SO-DIMM 2Rx8 |
http://www.transcend-info.com
Сергій Буділовський
Оновлення рекорду: оперативна пам'ять G.SKILL Ripjaws 4 розігнана до 4355 МГц
У середині січня модуль оперативної пам'яті серії G.SKILL Ripjaws 4 в одноканальному режимі був розігнаний до частоти DDR4-4255 МГц, що стало новим світовим рекордом. Однак йому не судилося протриматися довго. Днями частоту аналогічної планки обсягом 4 ГБ в одноканальному режимі вдалося підвищити до DDR4-4355 МГц. Таймінги при цьому склали 19-21-21-63, що дещо вище, аніж у попередньому досягненні (18-18-18-63).

Для підкорення нового рекорду використовувався комп'ютер на базі материнської плати ASUS RAMPAGE V EXTREME та інженерний зразок процесора Intel Core i7-5960X (Socket LGA2011-v3), частота якого була зменшена до 1769,23 МГц. За охолодження відповідала модифікована система на основі рідкого азоту.
Також згідно зі статистикою популярного порталу HWBOT.org, у січні модулі оперативної пам'яті компанії G.SKILL допомогли встановити 9 світових рекордів (6 із використанням G.SKILL TridentX і 3 за допомогою G.SKILL Ripjaws 4). Усе це говорить про високу якість їх виконання, стабільну роботу навіть при підвищених частотах і популярність серед користувачів.
http://www.gskill.com
Сергій Буділовський
Оперативна пам'ять ADATA XPG Z1 DDR4-3333 поставила рекорд розгону
Компанія ADATA, яка займається виробництвом високопродуктивних DRAM-модулів і NAND-флеш пам'яті, повідомила, що її оперативна пам'ять поставила новий рекорд розгону. Мова йде про набір оверклокерської пам'яті ADATA XPG Z1 DDR4-3333 Gold Edition, призначеної для платформи Intel X99 і процесорів Intel Haswell-E.

Встановлена в материнську плату ASUS ROG Rampage V Extreme з восьмиядерним процесором Intel Core i7-5960X оперативна пам'ять запрацювала з тактовою частотою 4255 МГц. Затримки пам'яті з такою частотою склали 17-25-29-50. Як вказує виробник, рекордного результату вдалося досягнути завдяки тісній співпраці з виробниками материнських плат і чіпсету.
Технічні специфікації оперативної пам'яті ADATA XPG Z1 DDR4-3333 Gold Edition:
|
Швидкість |
Доступні набори |
Затримки |
Напруга, В |
Колір |
|
DDR4-3333 (PC4-26600) |
2 х 4 ГБ 4 х 4 ГБ |
CL16-16-16 |
1,35 |
Золотий |
http://www.techpowerup.com
Андрій Серебрянський
Компанія Samsung Electronics розпочала масове виробництво 8-гігабітних мікросхем пам'яті GDDR5
Компанія Samsung Electronics першою серед виробників приступила до випуску мікросхем пам'яті типу GDDR5 із пропускною здатністю 8 гігабіт. Вони виконані за 20-нанометровим техпроцесом й призначені для використання в дискретних графічних прискорювачах.

Завдяки збільшеній пропускній здатності з'являється можливість обробляти великий потік графічних даних, що буде актуально при повсюдному впровадженні роздільної здатності 4K Ultra HD для ігор і відео. Крім відеокарт дана пам'ять також призначена для ігрових консолей і ноутбуків.

У порівнянні з найпоширенішою зараз пам'яттю DDR3, якою комплектується більшість сучасних ноутбуків, нові мікросхеми GDDR5 дозволяють досягнути и практично чотирьохразового збільшення швидкості.
Також планується подальше розширення лінійки 20-нанометровими мікросхемами із пропускною здатністю 6 і 4 гігабіт для забезпечення потреб усіх сегментів ринку.
http://global.samsungtomorrow.com
Альберт Шаповалов
Два нові набори оперативної пам'яті G.SKILL Ripjaws 4 DDR4 із частотами вище 3000 МГц
Компанія G.SKILL з гордістю вивела на ринок пару нових наборів оперативної пам'яті: G.SKILL Ripjaws 4 DDR4 3400MHz 16GB (4GBx4) і G.SKILL Ripjaws 4 DDR4 3200MHz 16GB (4GBx4). Як видно з назви, новинки належать до серії DDR4-пам'яті G.SKILL Ripjaws 4 і працюють на ефективній частоті 3400 і 3200 МГц відповідно. Обидва набори складаються із 4 модулів обсягом 4 ГБ кожний. Їхня робоча напруга становить 1,35 В, а таймінги знаходяться на порівняно низькому рівні: 16-16-16-36 для G.SKILL Ripjaws 4 DDR4 3400MHz і 15-15-15-35 для G.SKILL Ripjaws 4 DDR4 3200MHz 16GB (4GBx4).

Для досягнення настільки високих показників був задіяний ручний відбір мікросхем пам'яті та система ефективного тестування готових модулів, у тому числі й на сумісність із різними платформами. У продаж новинки надійдуть зі спеціальними вентиляторами (Turbulence III), які допоможуть попередньо встановленим радіаторам у більш ефективному відведення надлишку тепла.
Порівняльна таблиця технічної специфікації нових наборів оперативної пам'яті серії G.SKILL Ripjaws 4 DDR4:
|
Модель |
G.SKILL Ripjaws 4 DDR4 3400MHz 16GB (4GBx4) (F4-3400C16Q-16GRKD) |
G.SKILL Ripjaws 4 DDR4 3200MHz 16GB (4GBx4) (F4-3200C16Q-16GRKD) |
|
Тип |
DDR4 |
|
|
Загальний обсяг, ГБ |
16 (4 х 4) |
|
|
Робоча напруга, В |
1,35 |
|
|
Тактова частота, МГц |
3400 |
3200 |
|
Таймінги |
16-16-16-36 |
15-15-15-35 |
http://www.gskill.com
Сергій Буділовський
CES 2015: Kingston представила оперативну пам'ять серій HyperX Predator DDR4 і HyperX Fury DDR4
Виставки CES, MWC, CeBIT, Computex і багато інших подібні до далеких яскравих зірок на небозводі: світло від представлених на них продуктів ще тривалий час після їхнього закриття опромінює світ технологій і дає нам їжу для роздумів.

Наприклад, лише днями стало відомо, що компанія Kingston у рамках CES 2015 анонсувала нові серії оперативної пам'яті: HyperX Predator DDR4 і HyperX Fury DDR4. Перші новинки націлені на оверклокерів і ентузіастів. Високі тактові частоти (DDR4-3000 МГц і вище) та мінімально-необхідні затримки (15-16-16-39 і кращі) у них будуть поєднуватися з 10-шаровою друкованою платою й високими радіаторами, що повинно сприяти встановленню нових світових рекордів.

Рішення серії Kingston HyperX Fury DDR4 націлені на використання у високопродуктивних ігрових ПК. Їхні швидкості не так значні (до DDR4-3000 МГц), але низькопрофільна конструкція, добірні компоненти, висока якість виконання й привабливий дизайн обов'язково привернуть увагу багатьох користувачів.
http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський
ADATA XPG Z1 Gold Edition DDR4 – стильна та продуктивна оперативна пам'ять
У серпні 2014 року на ринку з'явилася нова серія оперативної пам'яті стандарту DDR4 - ADATA XPG Z1. Вона була представлена модулями із частотою від DDR4-2133 МГц до DDR4-2800 МГц, які працюють при напрузі 1,2 В.

Днями ця лінійка поповнилася новими рішеннями - ADATA XPG Z1 Gold Edition DDR4. По-перше, вони відрізняються підвищеним рівнем продуктивності, адже їхні тактові частоти знаходяться у діапазоні від DDR4-3000 МГц до DDR4-3333 МГц. Для досягнення таких показників довелося підвищити номінальну робочу напругу до 1,35 В, однак це суттєво нижче рівня 1,5 – 1,65 В, необхідного для DDR3-пам'яті.
По-друге, ADATA XPG Z1 Gold Edition DDR4 відрізняється золотистим кольором радіатора, у той час як інші модулі доступні із червоним теплорозподілювачем. Приємно відзначити, що в новинках використовується технологія Thermal Conductive і 10-шарова друкована плата зі збільшеним обсягом міді в провідних доріжках. Завдяки цьому забезпечується стабільна й надійна робота новинок на настільки високих частотах, а також реалізується ефективне охолодження самих мікросхем пам'яті.

У продаж модулі надійдуть із довічною гарантією. Зведена таблиця технічної специфікації оперативної пам'яті ADATA XPG Z1 Gold Edition DDR4:
|
Модель |
ADATA XPG Z1 Gold Edition DDR4 |
|
Тип |
DDR4 |
|
Частота, МГц |
3000 / 3200 / 3300 / 3333 |
|
Робоча напруга, В |
1,35 |
|
Таймінги |
CL16-16-16 |
|
Максимальна пропускна здатність, ГБ/с |
26,6 |
|
Підтримка Intel XMP 2.0 |
Є |
|
Гарантія |
Довічна |
http://www.adata.com
Сергій Буділовський
Samsung візьметься за серійне виробництво чіпів мобільної пам'яті LPDDR4 обсягом 4 ГБ уже в 2015 році
Недавно компанія Samsung Electronics оголосила про початок масового виробництва перших чіпів пам'яті LPDDR4 для смартфонів і планшетів.

Згідно із заявами виробників, нові чіпи випускаються за 20-нанометровою технологією й пропонують швидкість передачі даних на рівні 3200 Мбіт/с. Завдяки останньому показнику, який удвічі вищий швидкості пам'яті DDR3, тепер стає можливим записувати й відтворювати відео формату UHD, здійснювати серійну зйомку з роздільною здатністю понад 20 Мп, а також знизити енергоспоживання на 40% у порівнянні з LPDDR3.
Також віце-президент компанії Джу Сан Чой (Joo Sun Choi) повідомляє, що завдяки використанню фірмової технології LVSTL (low-voltage swing-terminated logic) вдалося додатково зменшити енергоспоживання й у той же час забезпечити роботу на високій швидкості при низькій напрузі живлення.
Відомо, що компанія Samsung уже почала поставки чіпів LPDDR4 обсягом 2 і 3 ГБ на ринок мобільних пристроїв. Що стосується мікросхем обсягом 4 ГБ, виробник повідомляє, що перші поставки відбудуться уже в першому кварталі 2015 року.
http://www.phonearena.com
Мартинець Марія
Показати ще














