28-03-2012 14:00

Нові модулі пам’яті ADATA стандарту DDR3L ECC SO-DIMM для мікро-серверів

З другої половини 2009 більшість дата-центрів і інформаційні служби почали використовувати мікро-сервери, зараз вони також займають важливу роль у сфері виділеного хостінга. Все більше використання  мікро-сєверів обумовило підвищення попиту на енергоефективні модулі пам'яті, що стимулювало багатьох виробників пам'яті. Першим таким виробником, який почав захоплювати новий ринок, стала компанія ADATA, що випустила нову серію серверної пам'яті стандарту DDR3L ECC SO-DIMM. Даний стандарт має велику ємність для зберігання даних і високу швидкість роботи, але при цьому низьке значення напруги живлення (1,35 В), а виходить, споживає менше енергії. Завдяки всім цим характеристикам, нові модулі пам'яті від ADATA гарно підходять для широкого спектра мережних систем, для яких важлива низьке енергоспоживання.

Технічні специфікації:

http://www.techpowerup.com
Андрій Серебрянський

Постійне посилання на новину

14-03-2012 11:00

Контрактні ціни на оперативну пам’ять в березні зросли на 5-10%

Як і передбачали деякі аналітики, банкрутство компанії Elpida не призвело до різкого збільшення контрактних цін на оперативну пам’ять в зв’язку з наявністю достатніх запасів та низьким попитом на ринку. В першій половині березня рівень цін зріс в середньому на 5-10%, однак таке підвищення було спрогнозовано раніше і воно пов’язане з появою нових планшетників / смартфонів та очікуваним дебютом нових процесорів від Intel та AMD. Більш того, реальний рівень збільшення контрактних цін на модулі DRAM-пам’яті є меншим, ніж очікувався раніше.

Переходячи до конкретних цифр відзначимо, що контрактна ціна 4 ГБ модулів в середньому зросла на 5,7% (до $18,5). Середня ціна 2 ГБ планок збільшилася на 5,13% (з $9,75 до $10,25). Контрактна ціна 2 Гб DDR3-чіпів вперше з початку року перевищила позначку $1.

http://www.digitimes.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

01-03-2012 16:10

Розширення ігрової серії оперативної пам’яті ADATA XPG Gaming v2.0

Модельний ряд ігрової оперативної пам’яті серії ADATA XPG Gaming v2.0 розширився новими десктопними модулями стандарту DDR3 DIMM. Вони виготовлені на базі високоякісних 4 Гб мікросхем пам’яті, що пройшли ряд суворих тестових випробувань, та 8-шарової друкованої плати з подвійним вмістом міді. Новинки представленні в двох варіантах: одноканальні модулі об’ємом 8 ГБ або двоканальний набір загальною ємністю 16 ГБ.

Тактова частота нових планок оперативної пам’яті серії ADATA XPG Gaming v2.0 складає 1600 МГц. При цьому напруга живлення знаходиться на рівні 1,35 В і використовуються таймінги схеми CL9 (9-11-9-27). Таким чином новинки характеризуються не лише високою продуктивністю, але й низькою потужністю споживання.

Охолодження нових модулів серії ADATA XPG Gaming v2.0 реалізовано на базі унікального радіатору, що використовує технологію Thermal Conductive. Вона забезпечує безпосередній контакт кожної мікросхеми з поверхнею радіатору, що дозволяє підтримувати їх температуру на низькому рівні, навіть при високих навантаженнях.

У продаж новинки надійдуть з довічною гарантією. Таблиця технічної специфікації нових модулів оперативної пам’яті серії ADATA XPG Gaming v2.0 має наступний вигляд: 

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

01-03-2012 10:32

Встановлено новий рекорд для тактової частоти модулів оперативної пам’яті

На початку грудня минулого року, об’єднана команда фахівців компанії Kingston та сайту Lab 501встановила новий рекорд для тактової частоти модулів оперативної пам’яті. Їх результат склав 1800,1 МГц (DDR3-3600).

Однак нещодавно, оверклокеру під ніком «Christian Ney» вдалося перевищити це досягнення на 3,8 %. Таким чином він зміг збільшити тактову частоту модулів пам’яті до 1868,3 МГц.

Для встановлення нового рекорду, «Christian Ney» використав систему, створену на базі APU AMD A8-3870K, материнської плати GIGABYTE GA-A75-UD4H та модулів оперативної пам’яті G.SKILL RipjawsZ. Охолодження здійснювалося за допомогою модифікованої системи із застосуванням рідкого азоту.

Заради справедливості відзначимо, що попередній рекорд був встановлений при використанні схеми таймінгів 10-13-13-31, а в новому вони виставлені на рівні 11-13-13-36. Як відомо, чим менші таймінги, тим важче досягти вищих показників тактової частоти.

Офіційна сторінка валідації результатів нового досягнення знаходиться за цим посиланням.

http://en.expreview.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

27-02-2012 12:00

Демонстрація оперативної пам’яті стандарту DDR4

На конференції International Solid-State Circuits, компанії Hynix та Samsung продемонстрували перші зразки оперативної пам’яті стандарту DDR4. Мікросхеми від Hynix були створені з використанням 38-нм техпроцесу. Моделі працювали на тактовій частоті 2400 МГц при напрузі живлення 1,2 В.

DDR4-чіпи компанії Samsung виготовлені на базі 30-нм техпроцесу. Тактова частота їх роботи склала 2133 МГц, а напруга живлення – 1,2 В. Таким чином, нові модулі оперативної пам’яті будуть швидші та енергоефективніші за існуючі рішення стандарту DDR3. Їх масове виробництво повинно розпочатися в наступному році. В 2014 новинки повинні з’явитися на ринку. Згідно попередніх прогнозів, до кінця 2014 року їх частка на ринку оперативної пам’яті складе усього 12%. Однак вже в 2015 модулі стандарту DDR4 домінуватимуть з показником 56%, зростаючі в наступних роках, поки на зміну DDR4 не прийдуть модулі наступного покоління.    

http://news.softpedia.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

22-02-2012 09:40

Нова лінійка серверних модулів пам’яті від компанії ADATA

Компанія ADATA розширила лінійку серверних модулів DDR3-оперативної пам’яті рядом новинок, які орієнтовані на використання в «хмарних» бізнес-рішеннях. Ключова їх особливість полягає у високій ефективності, що поєднує хороші показники продуктивності з оптимізованим рівнем потужності споживання. Таким чином вдасться скоротити використання електроенергії і покращити температурний баланс всередині серверних систем, не приносячи у жертву рівень їх продуктивності.

До складу нових серверних модулів від компанії ADATA увійшли 4 ГБ і 8 ГБ планки, що функціонують на тактовій частоті від 1066 до 1600 МГц при напрузі живлення 1,35 або 1,5 В. При цьому, усі новинки відповідають нормам стандартів RoHS і JEDEC, а також сумісні з платформами Intel «Nehalem»/ «Westmere»/ «Sandy-Bridge»/ «Ivy-Bridge» та AMD «Interlagos»/ «Valencia».

Зведена таблиця технічної специфікації нових серверних модулів оперативної пам’яті від компанії ADATA має наступний вигляд: 

http://www.adata.com.tw
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

17-02-2012 09:30

Ціна модулів оперативної пам’яті почала зростати

Після затяжного періоду падіння ціни на модулі оперативної пам’яті, за результатами першої половини лютого, вартість 4 ГБ планок DDR3-пам’яті зросла з $17,25 до $18. В той же час ціна 2 ГБ модулів практично не змінилася.

Аналітики пояснюють це зростання тим, що після дебюту процесорів лінійки Intel «Ivy Bridge» та APU серії AMD «Trinity» очікується підвищення попиту на нові системи. Тому деякі виробники кінцевої продукції вирішили збільшити власні запаси модулів оперативної пам’яті, щоб уникнути можливих ризиків з їх постачанням в найближчому майбутньому.

Що ж стосується подальшого розвитку подій, то думки фахівців розходяться. Одні стверджують, що період падіння цін на модулі оперативної пам’яті позаду і до кінця року їх рівень постійно зростатиме. Інші запевняють, що це лише тимчасове підвищення цін і їх рівень в наступних кварталах може знову знизитися.

http://news.softpedia.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

10-02-2012 11:30

Компанія Micron представила нові мікросхеми енергоефективної DDR3Lm-пам’яті

Незабаром на ринку енергоефективної оперативної пам’яті з’явиться нова категорія продуктів, про яку анонсувала компанія Micron. Це мікросхеми стандарту DDR3Lm, які орієнтовані на використання в планшетниках та ультратонких ноутбуках. Новинки створені з використанням 30-нм техпроцесу і володіють об’ємом 2 Гб та 4 Гб. При цьому тактові частоти новинок досягають 1866 МГц.

Ключова особливість чіпів пам’яті Micron DDR3Lm полягає в оптимізації режиму регенерації, який дозволяє їм заощаджувати до 50% більше електроенергії, ніж це здатні зробити аналогічні мікросхеми стандарту DDR3L. Як наслідок – зменшується навантаження на батарею та підвищується час автономної роботи.

На даний момент розпочато виготовлення зразків нових мікросхем, а їх масове виробництво стартує в другому кварталі поточного року. Зведена таблиця технічної специфікації нових мікросхем оперативної пам’яті Micron DDR3Lm має наступний вигляд: 

http://www.xbitlabs.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину