Оновлення рекорду: оперативна пам'ять G.SKILL Ripjaws 4 розігнана до 4355 МГц

У середині січня модуль оперативної пам'яті серії G.SKILL Ripjaws 4 в одноканальному режимі був розігнаний до частоти DDR4-4255 МГц, що стало новим світовим рекордом. Однак йому не судилося протриматися довго. Днями частоту аналогічної планки обсягом 4 ГБ в одноканальному режимі вдалося підвищити до DDR4-4355 МГц. Таймінги при цьому склали 19-21-21-63, що дещо вище, аніж у попередньому досягненні (18-18-18-63).

Для підкорення нового рекорду використовувався комп'ютер на базі материнської плати ASUS RAMPAGE V EXTREME та інженерний зразок процесора Intel Core i7-5960X (Socket LGA2011-v3), частота якого була зменшена до 1769,23 МГц. За охолодження відповідала модифікована система на основі рідкого азоту.

Також згідно зі статистикою популярного порталу HWBOT.org, у січні модулі оперативної пам'яті компанії G.SKILL допомогли встановити 9 світових рекордів (6 із використанням G.SKILL TridentX і 3 за допомогою G.SKILL Ripjaws 4). Усе це говорить про високу якість їх виконання, стабільну роботу навіть при підвищених частотах і популярність серед користувачів.

http://www.gskill.com
Сергій Буділовський

Оперативна пам'ять ADATA XPG Z1 DDR4-3333 поставила рекорд розгону

Компанія ADATA, яка займається виробництвом високопродуктивних DRAM-модулів і NAND-флеш пам'яті, повідомила, що її оперативна пам'ять поставила новий рекорд розгону. Мова йде про набір оверклокерської пам'яті ADATA XPG Z1 DDR4-3333 Gold Edition, призначеної для платформи Intel X99 і процесорів Intel Haswell-E.

Встановлена в материнську плату ASUS ROG Rampage V Extreme з восьмиядерним процесором Intel Core i7-5960X оперативна пам'ять запрацювала з тактовою частотою 4255 МГц. Затримки пам'яті з такою частотою склали 17-25-29-50. Як вказує виробник, рекордного результату вдалося досягнути завдяки тісній співпраці з виробниками материнських плат і чіпсету.

Технічні специфікації оперативної пам'яті ADATA XPG Z1 DDR4-3333 Gold Edition:

http://www.techpowerup.com
Андрій Серебрянський

Компанія Samsung Electronics розпочала масове виробництво 8-гігабітних мікросхем пам'яті GDDR5

Компанія Samsung Electronics першою серед виробників приступила до випуску мікросхем пам'яті типу GDDR5 із пропускною здатністю 8 гігабіт. Вони виконані за 20-нанометровим техпроцесом й призначені для використання в дискретних графічних прискорювачах.

Завдяки збільшеній пропускній здатності з'являється можливість обробляти великий потік графічних даних, що буде актуально при повсюдному впровадженні роздільної здатності 4K Ultra HD для ігор і відео. Крім відеокарт дана пам'ять також призначена для ігрових консолей і ноутбуків.

У порівнянні з найпоширенішою зараз пам'яттю DDR3, якою комплектується більшість сучасних ноутбуків, нові мікросхеми GDDR5 дозволяють досягнути и практично чотирьохразового збільшення швидкості.

Також планується подальше розширення лінійки 20-нанометровими мікросхемами із пропускною здатністю 6 і 4 гігабіт для забезпечення потреб усіх сегментів ринку.

http://global.samsungtomorrow.com
Альберт Шаповалов

Два нові набори оперативної пам'яті G.SKILL Ripjaws 4 DDR4 із частотами вище 3000 МГц

Компанія G.SKILL з гордістю вивела на ринок пару нових наборів оперативної пам'яті: G.SKILL Ripjaws 4 DDR4 3400MHz 16GB (4GBx4) і G.SKILL Ripjaws 4 DDR4 3200MHz 16GB (4GBx4). Як видно з назви, новинки належать до серії DDR4-пам'яті G.SKILL Ripjaws 4 і працюють на ефективній частоті 3400 і 3200 МГц відповідно. Обидва набори складаються із 4 модулів обсягом 4 ГБ кожний. Їхня робоча напруга становить 1,35 В, а таймінги знаходяться на порівняно низькому рівні: 16-16-16-36 для G.SKILL Ripjaws 4 DDR4 3400MHz і 15-15-15-35 для G.SKILL Ripjaws 4 DDR4 3200MHz 16GB (4GBx4).

Для досягнення настільки високих показників був задіяний ручний відбір мікросхем пам'яті та система ефективного тестування готових модулів, у тому числі й на сумісність із різними платформами. У продаж новинки надійдуть зі спеціальними вентиляторами (Turbulence III), які допоможуть попередньо встановленим радіаторам у більш ефективному відведення надлишку тепла.

Порівняльна таблиця технічної специфікації нових наборів оперативної пам'яті серії G.SKILL Ripjaws 4 DDR4:

http://www.gskill.com
Сергій Буділовський

CES 2015: Kingston представила оперативну пам'ять серій HyperX Predator DDR4 і HyperX Fury DDR4

Виставки CES, MWC, CeBIT, Computex і багато інших подібні до далеких яскравих зірок на небозводі: світло від представлених на них продуктів ще тривалий час після їхнього закриття опромінює світ технологій і дає нам їжу для роздумів.

Наприклад, лише днями стало відомо, що компанія Kingston у рамках CES 2015 анонсувала нові серії оперативної пам'яті: HyperX Predator DDR4 і HyperX Fury DDR4. Перші новинки націлені на оверклокерів і ентузіастів. Високі тактові частоти (DDR4-3000 МГц і вище) та мінімально-необхідні затримки (15-16-16-39 і кращі) у них будуть поєднуватися з 10-шаровою друкованою платою й високими радіаторами, що повинно сприяти встановленню нових світових рекордів.

Рішення серії Kingston HyperX Fury DDR4 націлені на використання у високопродуктивних ігрових ПК. Їхні швидкості не так значні (до DDR4-3000 МГц), але низькопрофільна конструкція, добірні компоненти, висока якість виконання й привабливий дизайн обов'язково привернуть увагу багатьох користувачів.

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

ADATA XPG Z1 Gold Edition DDR4 – стильна та продуктивна оперативна пам'ять

У серпні 2014 року на ринку з'явилася нова серія оперативної пам'яті стандарту DDR4 - ADATA XPG Z1. Вона була представлена модулями із частотою від DDR4-2133 МГц до DDR4-2800 МГц, які працюють при напрузі 1,2 В.

Днями ця лінійка поповнилася новими рішеннями - ADATA XPG Z1 Gold Edition DDR4. По-перше, вони відрізняються підвищеним рівнем продуктивності, адже їхні тактові частоти знаходяться у діапазоні від DDR4-3000 МГц до DDR4-3333 МГц. Для досягнення таких показників довелося підвищити номінальну робочу напругу до 1,35 В, однак це суттєво нижче рівня 1,5 – 1,65 В, необхідного для DDR3-пам'яті.

По-друге, ADATA XPG Z1 Gold Edition DDR4 відрізняється золотистим кольором радіатора, у той час як інші модулі доступні із червоним теплорозподілювачем. Приємно відзначити, що в новинках використовується технологія Thermal Conductive і 10-шарова друкована плата зі збільшеним обсягом міді в провідних доріжках. Завдяки цьому забезпечується стабільна й надійна робота новинок на настільки високих частотах, а також реалізується ефективне охолодження самих мікросхем пам'яті.

У продаж модулі надійдуть із довічною гарантією. Зведена таблиця технічної специфікації оперативної пам'яті ADATA XPG Z1 Gold Edition DDR4:

http://www.adata.com
Сергій Буділовський

Samsung візьметься за серійне виробництво чіпів мобільної пам'яті LPDDR4 обсягом 4 ГБ уже в 2015 році

Недавно компанія Samsung Electronics оголосила про початок масового виробництва перших чіпів пам'яті LPDDR4 для смартфонів і планшетів.

Згідно із заявами виробників, нові чіпи випускаються за 20-нанометровою технологією й пропонують швидкість передачі даних на рівні 3200 Мбіт/с. Завдяки останньому показнику, який удвічі вищий швидкості пам'яті DDR3, тепер стає можливим записувати й відтворювати відео формату UHD, здійснювати серійну зйомку з роздільною здатністю понад 20 Мп, а також знизити енергоспоживання на 40% у порівнянні з LPDDR3.

Також віце-президент компанії Джу Сан Чой (Joo Sun Choi) повідомляє, що завдяки використанню фірмової технології LVSTL (low-voltage swing-terminated logic) вдалося додатково зменшити енергоспоживання й у той же час забезпечити роботу на високій швидкості при низькій напрузі живлення.   

Відомо, що компанія Samsung уже почала поставки чіпів LPDDR4 обсягом 2 і 3 ГБ на ринок мобільних пристроїв. Що стосується мікросхем обсягом 4 ГБ, виробник повідомляє, що перші поставки відбудуться уже в першому кварталі 2015 року. 

http://www.phonearena.com
Мартинець Марія

В 2015 році смартфони перейдуть на пам'ять LPDDR4

У наступному році пам'ять стандарту DDR4 завойовуватиме все більше шанувальників у сегменті десктопних ПК, а її аналог на мобільному ринку – LPDDR4 – почне свою ходу в сфері смартфонів і планшетів. Існують усі передумови для того, щоб перехід з LPDDR3 на LPDDR4 відбувся суттєво швидше, аніж з DDR3 на DDR4. По-перше, швидкість передачі даних вводу / виводу в LPDDR3 заявлена на рівні 2133 MT/s, а в LPDDR4 вона складе для початку 3200 MT/s з наступним підняттям до 4266 MT/s. Робоча частота збільшиться у два рази (з 800 МГц для LPDDR3 до 1600 МГц для LPDDR4), аналогічно зросте й пропускна здатність (з 12,8 до 25,6 ГБ/с), а от споживання енергії знизиться практично на 10% (з 1,2 до 1,1 В). Усе це більш суттєво вплине на продуктивність і енергоефективність нових смартфонів, тому ключові гравці захочуть швидше інтегрувати даний стандарт.

Відомо, що флагманський процесор Qualcomm Snapdragon 810 підтримуватиме двоканальну пам'ять LPDDR4-1600 МГц, а от версії з індексами «808», «805» і «801» позбавлені такої можливості. Очікується, що новий процесор компанії NVIDIA (NVIDIA Erista) також запропонує підтримку цього стандарту пам'яті. З подібними пропозиціями повинні вийти також компанії Intel, MediaTek і навіть Apple. Що ж стосується виробників самих чіпів, то аналітики пророкують компанії Samsung 30% ринку пам'яті LPDDR4 за результатами 4 кварталу 2015 року. В Sk Hynix буде близько 18%, а Micron забере собі 25%.

http://www.fudzilla.com
Сергій Буділовський