CES 2015: Kingston представила оперативну пам'ять серій HyperX Predator DDR4 і HyperX Fury DDR4

Виставки CES, MWC, CeBIT, Computex і багато інших подібні до далеких яскравих зірок на небозводі: світло від представлених на них продуктів ще тривалий час після їхнього закриття опромінює світ технологій і дає нам їжу для роздумів.

Наприклад, лише днями стало відомо, що компанія Kingston у рамках CES 2015 анонсувала нові серії оперативної пам'яті: HyperX Predator DDR4 і HyperX Fury DDR4. Перші новинки націлені на оверклокерів і ентузіастів. Високі тактові частоти (DDR4-3000 МГц і вище) та мінімально-необхідні затримки (15-16-16-39 і кращі) у них будуть поєднуватися з 10-шаровою друкованою платою й високими радіаторами, що повинно сприяти встановленню нових світових рекордів.

Рішення серії Kingston HyperX Fury DDR4 націлені на використання у високопродуктивних ігрових ПК. Їхні швидкості не так значні (до DDR4-3000 МГц), але низькопрофільна конструкція, добірні компоненти, висока якість виконання й привабливий дизайн обов'язково привернуть увагу багатьох користувачів.

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

ADATA XPG Z1 Gold Edition DDR4 – стильна та продуктивна оперативна пам'ять

У серпні 2014 року на ринку з'явилася нова серія оперативної пам'яті стандарту DDR4 - ADATA XPG Z1. Вона була представлена модулями із частотою від DDR4-2133 МГц до DDR4-2800 МГц, які працюють при напрузі 1,2 В.

Днями ця лінійка поповнилася новими рішеннями - ADATA XPG Z1 Gold Edition DDR4. По-перше, вони відрізняються підвищеним рівнем продуктивності, адже їхні тактові частоти знаходяться у діапазоні від DDR4-3000 МГц до DDR4-3333 МГц. Для досягнення таких показників довелося підвищити номінальну робочу напругу до 1,35 В, однак це суттєво нижче рівня 1,5 – 1,65 В, необхідного для DDR3-пам'яті.

По-друге, ADATA XPG Z1 Gold Edition DDR4 відрізняється золотистим кольором радіатора, у той час як інші модулі доступні із червоним теплорозподілювачем. Приємно відзначити, що в новинках використовується технологія Thermal Conductive і 10-шарова друкована плата зі збільшеним обсягом міді в провідних доріжках. Завдяки цьому забезпечується стабільна й надійна робота новинок на настільки високих частотах, а також реалізується ефективне охолодження самих мікросхем пам'яті.

У продаж модулі надійдуть із довічною гарантією. Зведена таблиця технічної специфікації оперативної пам'яті ADATA XPG Z1 Gold Edition DDR4:

http://www.adata.com
Сергій Буділовський

Samsung візьметься за серійне виробництво чіпів мобільної пам'яті LPDDR4 обсягом 4 ГБ уже в 2015 році

Недавно компанія Samsung Electronics оголосила про початок масового виробництва перших чіпів пам'яті LPDDR4 для смартфонів і планшетів.

Згідно із заявами виробників, нові чіпи випускаються за 20-нанометровою технологією й пропонують швидкість передачі даних на рівні 3200 Мбіт/с. Завдяки останньому показнику, який удвічі вищий швидкості пам'яті DDR3, тепер стає можливим записувати й відтворювати відео формату UHD, здійснювати серійну зйомку з роздільною здатністю понад 20 Мп, а також знизити енергоспоживання на 40% у порівнянні з LPDDR3.

Також віце-президент компанії Джу Сан Чой (Joo Sun Choi) повідомляє, що завдяки використанню фірмової технології LVSTL (low-voltage swing-terminated logic) вдалося додатково зменшити енергоспоживання й у той же час забезпечити роботу на високій швидкості при низькій напрузі живлення.   

Відомо, що компанія Samsung уже почала поставки чіпів LPDDR4 обсягом 2 і 3 ГБ на ринок мобільних пристроїв. Що стосується мікросхем обсягом 4 ГБ, виробник повідомляє, що перші поставки відбудуться уже в першому кварталі 2015 року. 

http://www.phonearena.com
Мартинець Марія

В 2015 році смартфони перейдуть на пам'ять LPDDR4

У наступному році пам'ять стандарту DDR4 завойовуватиме все більше шанувальників у сегменті десктопних ПК, а її аналог на мобільному ринку – LPDDR4 – почне свою ходу в сфері смартфонів і планшетів. Існують усі передумови для того, щоб перехід з LPDDR3 на LPDDR4 відбувся суттєво швидше, аніж з DDR3 на DDR4. По-перше, швидкість передачі даних вводу / виводу в LPDDR3 заявлена на рівні 2133 MT/s, а в LPDDR4 вона складе для початку 3200 MT/s з наступним підняттям до 4266 MT/s. Робоча частота збільшиться у два рази (з 800 МГц для LPDDR3 до 1600 МГц для LPDDR4), аналогічно зросте й пропускна здатність (з 12,8 до 25,6 ГБ/с), а от споживання енергії знизиться практично на 10% (з 1,2 до 1,1 В). Усе це більш суттєво вплине на продуктивність і енергоефективність нових смартфонів, тому ключові гравці захочуть швидше інтегрувати даний стандарт.

Відомо, що флагманський процесор Qualcomm Snapdragon 810 підтримуватиме двоканальну пам'ять LPDDR4-1600 МГц, а от версії з індексами «808», «805» і «801» позбавлені такої можливості. Очікується, що новий процесор компанії NVIDIA (NVIDIA Erista) також запропонує підтримку цього стандарту пам'яті. З подібними пропозиціями повинні вийти також компанії Intel, MediaTek і навіть Apple. Що ж стосується виробників самих чіпів, то аналітики пророкують компанії Samsung 30% ринку пам'яті LPDDR4 за результатами 4 кварталу 2015 року. В Sk Hynix буде близько 18%, а Micron забере собі 25%.

http://www.fudzilla.com
Сергій Буділовський

Оперативна пам'ять GOODRAM DDR4 офіційно в Україні!

Польська фірма Wilk Elektronik, єдиний виробник пам'яті в Центрально-Східній Європі, представила в Україні новітню пам'ять RAM четвертого покоління під брендом GOODRAM, орієнтовану на найвимогливіших користувачів. Сам виробник називає її «інноваційним рішенням», побудованим на базі нових платформ Intel, які використовують чіпсет X99 і процесори сімейства Intel Haswell-E.

Пам'ять GOODRAM DDR4 використовують особливу конструкцію плати PCB, яка значно збільшує опір механічним пошкодженням і стрибкам напруги. На жаль, точні дані про умови тестування плат не повідомляються, але виробник повідомляє, що вони залишаються стабільними навіть у найекстремальніших умовах. Також, практично на 40% скоротилося енергоспоживання в порівнянні з попередніми рішеннями типу DDR3.

Якщо коротко, основні характеристики пам'яті GOODRAM DDR4 наступні:

• Напруга живлення – 1,2 В;
• Тактова частота – 2133 МГц;
• Пропоновані ємності – 4 ГБ і 8 ГБ;
• Випускається в одно- і двоканальних варіантах.

На українському ринку нова пам'ять GOODRAM DDR4 уже доступна в обох варіантах. Орієнтовна вартість планки обсягом 4 ГБ становить $80, 8 ГБ – $150.

Серверні модулі DDR4-пам'яті від компанії Transcend

Компанія Transcend представила три нові модулі оперативної пам'яті стандарту DDR4, які націлені на використання в серверних системах. Мова йде про моделі RDIMM обсягом 8 і 16 ГБ, а також про 16-ГБ VLP RDIMM-рішення.

Усі три новинки повністю сумісні із процесорами серії Intel Xeon E5-2600 v3 і стандартами асоціації JEDEC. Вони працюють при напрузі 1,2 В і частоті 2133 МГц, що забезпечує пропускну здатність на рівні 17 ГБ/с. Тобто нові модулі гарантують високу продуктивність при більш низькому енергоспоживанні (на 40% менше, аніж в 1,5-В DDR3-модулів). Додатково рішення компанії Transcend формату VLP RDIMM має дуже низький профіль (висота – 18,8 мм). Це дозволяє встановлювати його в компактних системах, наприклад, у блейд-серверах.

У продаж усі новинки надійдуть з обмеженою довічною гарантією.

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

KINGMAX анонсувала модулі оперативної пам'яті стандарту DDR4

На ринку гравців DDR4-пам'яті чергове поповнення – свою лінійку анонсувала компанія KINGMAX. Вона представила свої рішення відразу для багатьох ключових сегментів: unbuffered DIMM, SO-DIMM, registered DIMM, ECC unbuffered DIMM і VLP registered DIMM. На думку компанії, уже в 2015 році відбудеться значне підвищення попиту на ринку DDR4-пам'яті.

Що ж стосується десктопних планок DDR4 unbuffered DIMM, то вони представлені в традиційному 288-контактом корпусі загальним обсягом від 4 до 16 ГБ (в одноканальному виконанні) і від 8 до 32 ГБ (у двоканальних наборах). Ефективна тактова частота новинок знаходиться в діапазоні від 1866 до 3200 МГц, а робоча напруга при цьому не перевищує 1,2 В. Також дані рішення відповідають усім нормам стандарту DDR4 організації JEDEC і сумісні з платформою Intel Socket LGA2011-v3.

Більш докладна таблиця технічної специфікації десктопної DIMM DDR4-пам'яті компанії KINGMAX:

http://www.kingmax.com
Сергій Буділовський

Samsung почала масове виробництво 20-нм мобільних мікросхем LPDDR3-пам'яті ємністю 6 Гбіт

Компанія Samsung з радістю повідомила про початок масового виробництва мобільних мікросхем LPDDR3-пам'яті обсягом 6 Гбіт, які створені із застосуванням 20-нм техпроцесу. Новинки мають збільшену до 2133 Мбіт/с швидкість передачі даних на контакт. До того ж чотири подібні чіпи легко об'єднати в один набір обсягом 3 ГБ для застосування в смартфонах і планшетах.

Завдяки більш тонкому техпроцесу кінцевий 3-ГБ набір займає на 20% менше місця, що дозволяє знизити габарити кінцевих пристроїв. На додаток вони споживають на 10% менше енергії, що приводить до економії заряду акумулятора, а також забезпечують 30% приріст у продуктивності. Усе це суттєво підвищує ефективність і доцільність їхнього використання, тому компанія Samsung і далі продовжить розробки в даній сфері.

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський