Пошук по сайту

up

Комп'ютерні новини

Оперативна пам’ять

128-ГБ комплект найшвидшої оперативної пам'яті G.SKILL Ripjaws 4

Компанія G.SKILL з радістю й захопленням анонсувала новий набір оперативної пам'яті серії G.SKILL Ripjaws 4. Він позиціонується в якості найшвидшого комплекту 128-ГБ DDR4-пам'яті, який працює на частоті 2800 МГц. Тобто до його складу увійшли вісім модулів ємністю 16 ГБ кожний. Вони можуть функціонувати в 4-канальному режимі при затримках 16-16-16-36 і напрузі 1,35 В.

G.SKILL Ripjaws 4

У складі нового набору G.SKILL Ripjaws 4 застосовуються 20-нм мікросхеми пам'яті компанії Samsung Electronics обсягом 8 Гбіт. Саме завдяки ним на ринку масових користувацьких систем тепер можна буде побачити модулі обсягом 16 ГБ. Нагадаємо, що для DDR3-пам'яті максимальна ємність одного модуля досягала 8 ГБ.

G.SKILL Ripjaws 4

Також компанія G.SKILL повідомила, що новий комплект уже пройшов валідацію при роботі із заявленими параметрами. Для тестування використовувалася материнська плата ASUS X99 Rampage V Extreme і процесор Intel Core i7-5820K. У майбутньому в продаж надійдуть 128-ГБ набори із частотами від 2133 МГц до 2800 МГц.

Зведена таблиця технічної специфікації нового набору оперативної пам'яті серії G.SKILL Ripjaws 4:

Серія

G.SKILL Ripjaws 4

Тип

DDR4

Кількість модулів у комплекті

8

Обсяг, ГБ

Одного модуля

16

Усього комплекту

128

Використовувані мікросхеми пам'яті

Виробник

Samsung Electronics

Техпроцес, нм

20

Обсяг, Гбіт

8

Тактова частота, МГц

2800

Таймінги

16-16-16-36

Робоча напруга, В

1,35

http://www.gskill.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

Ігрова оперативна пам'ять GeIL DDR4 SUPER LUCE з пульсуючим підсвічуванням

Компанія GeIL анонсувала дуже цікаву лінійку оперативної пам'яті – GeIL DDR4 SUPER LUCE. Вона доступна у двох- і чотирьохканальному виконанні обсягом від 8 до 64 ГБ. При цьому тактові частоти модулів знаходяться у діапазоні від 2666 до 3400 МГц, а робоча напруга не перевищує 1,35 В. Тобто новинки відмінно впишуться у концепцію продуктивних ігрових або робочих систем.

GeIL DDR4 SUPER LUCE

Однією з головних прикрас дизайну рішень серії GeIL DDR4 SUPER LUCE є радіатор з активною підсвіткою (SUPER LUCE), який використовує запатентовану технологію iLUCE Thermal-beaming. Вона доступна в трьох варіантах кольору: білому, червоному та блакитному. Унікальність полягає в залежності швидкості мерехтіння підсвічування від внутрішньої температури: частота змінюється в межах п'яти рівнів.

  • рівень 1 (<40°C): 13 ударів/хв;
  • рівень 2 (40-45°C): 60 ударів/хв;
  • рівень 3 (45-50°C): 80 ударів/хв;
  • рівень 4 (50-55°C): 120 ударів/хв;
  • рівень 5 (>55°C): 200 ударів/хв.

GeIL DDR4 SUPER LUCE GeIL DDR4 SUPER LUCE

Докладна таблиця технічної специфікації оперативної пам'яті GeIL DDR4 SUPER LUCE:

Назва серії

GeIL DDR4 SUPER LUCE

Тип

DDR4

Обсяг, ГБ

8 / 16 / 32 / 64

Тактова частота, МГц

2666 – 3400

Таймінги

15-15-15-35 / 16-16-16-36

Робоча напруга, В

1,2 / 1,35

Підсвічування

iLUCE Thermal-beaming (біле / червоне / блакитне)

Технології

Intel XMP 1.3/DBT/ MTCD

Дата виходу на ринок

Травень 2015

http://www.geil.com.tw
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

Оперативна пам'ять Kingston HyperX FURY DDR4 з функцією автоматичного оверклокінгу

Компанія Kingston продовжує активно розвивати свій підрозділ HyperX. Днями були анонсовані дві серії оперативної пам'яті: HyperX FURY DDR4 і HyperX Predator DDR4. Обидві вони на даний момент призначені для використання в складі високопродуктивних систем, основаних на базі процесорів серії Intel Haswell-E і чіпсету Intel X99.

В серію HyperX FURY DDR4 увійшли низькопрофільні моделі та набори загальним обсягом від 8 до 64 ГБ. Їхня тактова частота знаходиться на рівні від 2133 до 2666 МГц, а робоча напруга становить усього лише 1,2 В. Для відведення тепла використовується компактний радіатор, який лише незначно збільшує розміри модулів, що робить їх сумісними навіть із габаритними системами охолодження.

HyperX FURY DDR4

В офіційному прес-релізі компанія Kingston також повідомляє, що рішення серії HyperX FURY DDR4 забезпечують автоматичний оверклокінг: необхідно лише встановити планки й система самостійно підбере максимально доступну частоту із записаних в SPD-профілів. Ніяких додаткових маніпуляцій від користувача у BIOS не буде потрібно.

HyperX Predator DDR4

Друга серія, HyperX Predator DDR4, уже націлена на ентузіастів і оверклокерів. Вона представлена в якості багатоканальних наборів обсягом від 32 до 64 ГБ. Робочі тактові частоти її модулів досягають 3000 МГц. Для відведення додаткового тепла використовуються вже радіатори з високим гребенем, тому потрібно попередньо враховувати сумісність із процесорним кулером.

Зведена таблиця технічної специфікації оперативної пам'яті серій Kingston HyperX FURY DDR4 і HyperX Predator DDR4:

Назва

Kingston HyperX FURY DDR4

Kingston HyperX Predator DDR4

Тип

DDR4

Обсяг, ГБ

8 / 16 / 32 / 64

32 / 64

Тактові частоти, МГц

2133 / 2400 / 2666

до 3000

Номінальна напруга, В

1,2

-

Таймінги

CL14 – CL15

-

Діапазон робочих температур / температур зберігання, °С

0…+55 / -55…+100

-

Розміри, мм

133,35 х 34,24

-

Гарантія

Довічна

-

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

Samsung eMMC 5.1 – високошвидкісні чіпи пам'яті для портативної електроніки

Багато хто погодиться, що пам'ять стандарту eMMC, яка все частіше використовується для компактної електроніки, має аж ніяк не найвищу продуктивність. Але недавно організація JEDEC прийняла специфікацію eMMC 5.1, яка націлена поліпшити ситуацію, що склалася. І першою компанією, яка вже встигла презентувати нові чіпи флеш-пам'яті нового стандарту, є південнокорейська Samsung, а точніше відділ з розробки напівпровідників. До того ж повідомляється, що виробник уже готовий відвантажити стартові партії нового продукту своїм партнерам. 

Samsung eMMC 5.1

Нові чіпи доступні в трьох варіантах обсягу: 16 ГБ, 32 ГБ і 64 ГБ. Відзначимо, що останній варіант здатний забезпечити послідовну швидкість читання та запису на рівні 250 і 125 МБ/с відповідно. Що стосується послідовних операцій читання та запису, вони рівні 11 тисяч і 13 тисяч IOPS. Для порівняння візьмемо значення карти eMMC 5.0, яке становить лише 1500 і 500 IOPS відповідно.

Samsung eMMC 5.1

Також важливо відзначити, що новий стандарт eMMC 5.1 має технологію черговості команд NCQ, яка покликана поліпшити продуктивність у випадку роботи з відео формату Ultra HD. Нагадаємо, що серійне виробництво й поставки чіпів Samsung eMMC 5.1 почнуться найближчим часом.

http://www.nextpowerup.com
http://www.samsungsemiblog.com
Мартинець Марія

Постійне посилання на новину

Розширена лінійка оперативної пам'яті DDR4 від компанії Transcend

Компанія Transcend суттєво збільшила власний модельний ряд оперативної пам'яті стандарту DDR4. Серед представлених новинок є рішення форматів UDIMM, RDIMM, ECC-DIMM і ECC SO-DIMM, які націлені на використання в серверних системах (із застосуванням процесорів серії Intel Xeon E5-2600) і в десктопних конфігураціях (на основі процесорів Intel Haswell-E).

Усі новинки характеризуються високою робочою частотою (2133 МГц) і порівняно низькою робочою напругою (1,2 В). Це дуже важливо, особливо в середовищі серверних систем, де підвищена швидкість забезпечить швидку обробку великих обсягів даних, а знижене споживання зменшить витрати електроенергії й поліпшить тепловий режим.

Transcend DDR4

Представлені модулі оперативної пам'яті компанії Transcend доступні в різних варіантах обсягу: від 4 до 32 ГБ. Деякі з них (серій Transcend ECC-DIMM і ECC SO-DIMM) характеризуються підтримкою технології автоматичного виправлення помилок при передачі даних (Error Correcting Code).

Приємно відзначити, що всі новинки повністю сумісні з вимогами організації JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council). У процесі виробництва вони пройшли ряд суворих випробувань на стабільність і надійність роботи з 64-бітними системами при використанні одноядерних і багатоядерних систем. Це дозволяє компанії Transcend бути впевненою в якості виготовленої продукції і наділити всі DDR4-модулі обмеженою довічною гарантією.

Зведена таблиця технічної специфікації оперативної пам'яті DDR4 від компанії Transcend:

Найменування

Об’єм

Опис

Long-DIMM

TS512MLH64V1H

4 ГБ

DDR4 2133 U-DIMM 1Rx8

TS1GLH64V1H

8 ГБ

DDR4 2133 U-DIMM 2Rx8

R-DIMM

TS512MHR72V1H

4 ГБ

DDR4 2133 REG-DIMM 1Rx8

TS512MHR72V1HL

4 ГБ

DDR4 2133 REG-DIMM 1Rx8 VLP

TS1GHR72V1Z

8 ГБ

DDR4 2133 REG-DIMM 1Rx4

TS1GHR72V1H

8 ГБ

DDR4 2133 REG-DIMM 2Rx8

TS1GHR72V1HL

8 ГБ

DDR4 2133 REG-DIMM 2Rx8 VLP

TS2GHR72V1Z

16 ГБ

DDR4 2133 REG-DIMM 2Rx4

TS2GHR72V1PL

16 ГБ

DDR4 2133 REG-DIMM 2Rx4 VLP

TS4GHR72V1C

32 ГБ

DDR4 2133 REG-DIMM 2Rx4

ECC-DIMM

TS512MLH72V1H

4 ГБ

DDR4 2133 ECC-DIMM 1Rx8

TS1GLH72V1H

8 ГБ

DDR4 2133 ECC-DIMM 2Rx8

ECC SO-DIMM

TS512MSH72V1H

8 ГБ

DDR4 2133 ECC-SO-DIMM 1Rx8

TS1GSH72V1H

8 ГБ

DDR4 2133 ECC-SO-DIMM 2Rx8

http://www.transcend-info.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

Оновлення рекорду: оперативна пам'ять G.SKILL Ripjaws 4 розігнана до 4355 МГц

У середині січня модуль оперативної пам'яті серії G.SKILL Ripjaws 4 в одноканальному режимі був розігнаний до частоти DDR4-4255 МГц, що стало новим світовим рекордом. Однак йому не судилося протриматися довго. Днями частоту аналогічної планки обсягом 4 ГБ в одноканальному режимі вдалося підвищити до DDR4-4355 МГц. Таймінги при цьому склали 19-21-21-63, що дещо вище, аніж у попередньому досягненні (18-18-18-63).

G.SKILL Ripjaws 4

Для підкорення нового рекорду використовувався комп'ютер на базі материнської плати ASUS RAMPAGE V EXTREME та інженерний зразок процесора Intel Core i7-5960X (Socket LGA2011-v3), частота якого була зменшена до 1769,23 МГц. За охолодження відповідала модифікована система на основі рідкого азоту.

G.SKILL Ripjaws 4

Також згідно зі статистикою популярного порталу HWBOT.org, у січні модулі оперативної пам'яті компанії G.SKILL допомогли встановити 9 світових рекордів (6 із використанням G.SKILL TridentX і 3 за допомогою G.SKILL Ripjaws 4). Усе це говорить про високу якість їх виконання, стабільну роботу навіть при підвищених частотах і популярність серед користувачів.

G.SKILL Ripjaws 4

http://www.gskill.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

Оперативна пам'ять ADATA XPG Z1 DDR4-3333 поставила рекорд розгону

Компанія ADATA, яка займається виробництвом високопродуктивних DRAM-модулів і NAND-флеш пам'яті, повідомила, що її оперативна пам'ять поставила новий рекорд розгону. Мова йде про набір оверклокерської пам'яті ADATA XPG Z1 DDR4-3333 Gold Edition, призначеної для платформи Intel X99 і процесорів Intel Haswell-E.

ADATA XPG Z1 DDR4-3333 Gold Edition

Встановлена в материнську плату ASUS ROG Rampage V Extreme з восьмиядерним процесором Intel Core i7-5960X оперативна пам'ять запрацювала з тактовою частотою 4255 МГц. Затримки пам'яті з такою частотою склали 17-25-29-50. Як вказує виробник, рекордного результату вдалося досягнути завдяки тісній співпраці з виробниками материнських плат і чіпсету.

ADATA XPG Z1 DDR4-3333 Gold Edition

Технічні специфікації оперативної пам'яті ADATA XPG Z1 DDR4-3333 Gold Edition:

Швидкість

Доступні набори

Затримки

Напруга, В

Колір

DDR4-3333 (PC4-26600)

2 х 4 ГБ

4 х 4 ГБ

CL16-16-16

1,35

Золотий

http://www.techpowerup.com
Андрій Серебрянський

Постійне посилання на новину

Компанія Samsung Electronics розпочала масове виробництво 8-гігабітних мікросхем пам'яті GDDR5

Компанія Samsung Electronics першою серед виробників приступила до випуску мікросхем пам'яті типу GDDR5 із пропускною здатністю 8 гігабіт. Вони виконані за 20-нанометровим техпроцесом й призначені для використання в дискретних графічних прискорювачах.

Samsung Electronics

Завдяки збільшеній пропускній здатності з'являється можливість обробляти великий потік графічних даних, що буде актуально при повсюдному впровадженні роздільної здатності 4K Ultra HD для ігор і відео. Крім відеокарт дана пам'ять також призначена для ігрових консолей і ноутбуків.

Samsung Electronics

У порівнянні з найпоширенішою зараз пам'яттю DDR3, якою комплектується більшість сучасних ноутбуків, нові мікросхеми GDDR5 дозволяють досягнути и практично чотирьохразового збільшення швидкості.

Також планується подальше розширення лінійки 20-нанометровими мікросхемами із пропускною здатністю 6 і 4 гігабіт для забезпечення потреб усіх сегментів ринку.

http://global.samsungtomorrow.com
Альберт Шаповалов

Постійне посилання на новину

Показати ще