Використання DDR3-пам'яті небажане в процесорах Intel Skylake

Фахівці авторитетного веб-сайту поспілкувалися з офіційними представниками компанії Intel для прояснення деяких важливих моментів щодо контролера оперативної пам'яті процесора Intel Skylake. Як відомо, він гарантовано підтримує оперативну пам'ять стандартів DDR3L з робочою напругою 1,35 В і DDR4 з напругою 1,2 В. Встановлювати модулі з більш високою робочою напругою компанія Intel не радить, оскільки згодом це може привести до деградації самого контролера й необхідності заміни всього процесора.

Деякі виробники материнських плат випускають моделі з підтримкою DDR3-пам'яті з робочою напругою 1,5 – 1,65 В. Представники компанії Intel заявляють, що для самої материнської плати ніяких негативних наслідків від використання високовольтних модулів не буде, чого не можна сказати про процесори Intel Skylake. Звичайно, протягом деякого часу вони будуть працювати коректно, однак у довгостроковій перспективі постійно висока напруга на вбудованому контролері оперативної пам'яті може привести до істотного пошкодження кристала.

Також деякі обмеження є для DDR4-пам'яті. Максимальна робоча частота не повинна перевищувати 4133 МГц. І хоча зараз більшість виробників обмежуються позначкою 3000 МГц, деякі все-таки намагаються на свій страх і ризик намацати вершину. Подолання позначки 4133 МГц приведе до збільшення кількості помилок, що може викликати нестабільну роботу всієї системи. У майбутніх поколіннях процесорів компанія Intel планує поліпшити їхнє функціонування на підвищених частотах, а поки бажано не перевищувати позначку 4133 МГц.

http://www.tomshardware.com
Сергій Буділовський

Готується до виходу оперативна пам'ять G.Skill Trident Z DDR4-4400

Незабаром на ринку з'явиться оперативна пам'ять G.Skill Trident Z DDR4-4400. Тобто її тактова частота складе вражаючі 4,40 ГГц. При цьому виробник обіцяє реалізувати підтримку технології Intel XMP 2.0, що дозволить деяким флагманським платформам автоматично підхопити даний профіль без додаткових маніпуляцій з боку користувача.

Відомо, що модулі G.Skill Trident Z DDR4-4400 побудовані на мікросхемах пам'яті компанії Samsung загальним об’ємом 4 ГБ. Також будуть представлені двоканальні набори сумарною ємністю 8 ГБ. Робоча напруга новинок досягне 1,4 В.

Повідомляється, що зараз компанія G.Skill проводить тестування даного продукту з деякими топовими платформами. Зведена таблиця технічної специфікації модулів пам'яті G.Skill Trident Z DDR4-4400:

http://www.kitguru.net
Сергій Буділовський

Оперативна пам'ять серії GeIL Dragon DDR4 у білому виконанні

Чорно-біла тема оформлення внутрішніх компонентів усе ще залишається актуальною. На ринку вже присутні системні корпуси, блоки живлення, материнські плати, відеокарти та процесорні кулери в даному кольоровому виконанні. Тепер же компанія GeIL може запропонувати для цього комплекти та модулі оперативної пам'яті.

Серія GeIL Dragon DDR4 представлена в якості наборів загальним об’ємом від 8 до 128 ГБ або індивідуальних модулів ємністю до 16 ГБ. Тактові частоти стартують від 2400 МГц і досягають 3200 МГц. При цьому модулі DDR4-3000 і DDR4-3200 МГц використовують білі мікросхеми пам'яті на білому текстоліті, а рішення DDR4-2400, DDR4-2666 і DDR4-2800 МГц – чорні чіпи на білому текстоліті. У кожному разі використовується якісна 10-шарова плата. До того ж модулі різняться між собою за робочою напругою: 1,2 В для DDR4-2400 – 2800 МГц і 1,35 В для DDR4-3000 і вище. Cхема затримок також залежить від частоти і знаходиться в діапазоні від CL13 до CL16.

Вартість новинок стартує від €71,90 (8 ГБ DDR4-2400 МГц). А, наприклад, за 4-канальний набір об’ємом 64 ГБ і частотою 3000 МГц доведеться викласти €930.

http://www.computerbase.de
Сергій Буділовський

Apacer NOX DDR4 SO-DIMM – продуктивна оперативна пам'ять для ноутбуків

Компанія Apacer анонсувала новий комплект оперативної пам'яті – Apacer NOX DDR4 SO-DIMM, який у першу чергу націлений на використання в ноутбуках, моноблоках і міні-ПК нового покоління.

Загальний об’єм новинки становить 64 ГБ. До його складу увійшли 4 модулі об’ємом 16 ГБ кожен. Працює Apacer NOX DDR4 SO-DIMM на частотах від 2400 до 3000 МГц при напрузі живлення 1,2 В. Це дозволяє підвищити загальний рівень продуктивності системи разом із одночасним зниженням навантаження на акумулятор мобільного пристрою.

Окремо варто відзначити, що компанія Apacer дуже ретельно підходить до питання якості: усі мікросхеми пам'яті проходять інтенсивний процес сортування, що гарантує стабільну та надійну роботу модулів навіть при високих навантаженнях.

http://ru.apacer.com
Сергій Буділовський

Оперативна пам'ять лінійки HyperX Savage DDR4 об’ємом від 4 до 64 ГБ

HyperX, підрозділ компанії Kingston, анонсував випуск лінійки оперативної пам'яті HyperX Savage DDR4. До її складу ввійшли як одиночні модулі об’ємом 4 і 8 ГБ, так і набори загальною ємністю від 8 до 64 ГБ. Новинки працюють на частотах від 2133 до 3000 МГц при напрузі 1,2 або 1,35 В.

Для поліпшеного охолодження мікросхем пам'яті використовується стильний низькопрофільний радіатор, пофарбований у чорний колір. Оскільки він лише трохи піднімається над текстолітом самих модулів, то особливих проблем із сумісністю з габаритними процесорними кулерами бути не повинно.

У процесі виробництва абсолютно всі планки лінійки HyperX Savage DDR4 проходять повне тестування, включаючи перевірку на сумісність із актуальними платформами, які підтримують стандарт DDR4 (Intel X99, Z170, H170, B150, H110). Завдяки цьому виробник впевнений у їхній високій якості, що виражається в довічній гарантії.

Зведена таблиця технічної специфікації оперативної пам'яті лінійки HyperX Savage DDR4:

http://www.hyperxgaming.com
http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Samsung почала виробництво LPDDR4-чіпів об’ємом 12 Гбіт

Компанія Samsung першою у світі почала виробництво мікросхем LPDDR4-пам'яті ємністю 12 Гбіт (1,5 ГБ). Вони побудовані на основі 20-нм техпроцесу і працюють на частоті 2133 МГц. При цьому новинки використовують на 20% менше енергії, аніж традиційні чіпи DDR4-пам'яті, що дуже важливо в мобільних пристроях для економії заряду акумулятора.

У першу чергу компанія Samsung позиціонує нові мікросхеми в якості оптимальних рішень для флагманських смартфонів і планшетів. Об'єднавши два або чотири чіпи в одному модулі, компанії зможуть інтегрувати у свої пристрої 3 або 6 ГБ оперативної пам'яті, чого буде достатньо навіть для найбільш вимогливих користувачів. До того ж 6-ГБ модуль займає стільки ж місця, скільки зараз потрібно для 3-ГБ, тобто виробникам не потрібно буде коректувати дизайн у даному питанні.

http://www.dvhardware.net
Сергій Буділовський

Розширення лінійки пам'яті HyperX FURY DDR3L DIMM і нова серія HyperX Impact DDR4 SO-DIMM

HyperX, підрозділ іменитої компанії Kingston Technology, представив нові модулі оперативної пам'яті, розширивши серію HyperX FURY і презентувавши лінійку HyperX Impact, які націлені на використання в різних категоріях комп'ютерів.

Серія HyperX FURY у цьому випадку представлена DIMM-модулями стандарту DDR3L зі зниженою робочою напругою (1,35 В). Новинки доступні в обсязі 4 і 8 ГБ у якості окремих планок, а загальна ємність двоканальних наборів досягає 8 і 16 ГБ. Працюють же вони на частоті 1600 або 1866 МГц. Для забезпечення комфортного температурного режиму застосовується низькопрофільний радіатор, який відмінно гармонує із чорним кольором друкованої плати модулів.

Лінійка HyperX Impact створена у форматі SO-DIMM у рамках стандарту DDR4. Вона націлена на використання в різних ноутбуках, неттопах та інших компактних ПК. На момент анонсу до її складу увійшли одиночні модулі ємністю 4 і 8 ГБ, а також двоканальні комплекти загальним обсягом 8 і 16 ГБ. Робочі частоти новинок лежать у межах від 2133 до 2666 МГц, а напруга живлення знижена до 1,2 В.

Приємно відзначити, що оперативна пам'ять серій HyperX FURY і HyperX Impact підтримує технологію Plug-and-Play (PnP), забезпечуючи автоматичне встановлення найбільш продуктивного режиму відразу ж після підключення. До того ж новинки повністю пройшли ряд суворих внутрішніх тестів, що гарантують високий рівень їх надійності, тому в продаж вони надійдуть із довічною гарантією.

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Представлені комплекти пам'яті G.SKILL DDR4-4133 і DDR4-4266

Тайванська компанія G.SKILL, світовий провідний виробник високоефективної твердотільної пам'яті, блоків живлення й ігрової периферії, продемонстрував двоканальні надшвидкі комплекти пам'яті типу DDR4-4133 і DDR4-4266 обсягом 2 х 4 ГБ. Відбулася ця подія на цьому тижні в рамках заходу Intel Developer Forum (IDF) 2015. 

Для демонстрації можливостей новинок компанія вибрала наступні складові частини: для DDR4 4266 МГц обсягом 8 ГБ (2 х 4 ГБ) використовувався новий процесор Intel Core i7-6700K і оверклокерська материнська плата ASRock Z170 OC Formula, а комплект DDR4 4133 МГц був представлений на стенді із процесором Intel Core i7-6700K і материнською платою ASUS ROG Maximus VIII Hero. Комплекти пам'яті доповнювалися повітряним охолодженням, а набір затримок склав 19-25-25-45 для DDR4 обох моделей.

«Завдяки такому експерименту ми можемо спостерігати дивовижний потенціал продуктивності пам'яті DDR4 на новітній платформі Intel, і будемо раді відслідковувати його застосування в найближчому майбутньому» – повідомив менеджер із маркетингу продукції G.SKILL Френк Хунг (Frank Hung).

http://www.techpowerup.com
Мартинець Марія