Team Group представила комплекти пам'яті DDR5 об'ємом 256 ГБ для геймерів та творців контенту

Team Group анонсувала випуск нових комплектів оперативної пам'яті DDR5 надвисокої місткості 256 ГБ (4×64 ГБ). Вони будуть доступні під ігровим брендом T-FORCE та креативним брендом T-CREATE.

Ці рішення розроблені у співпраці з провідними виробниками материнських плат та протестовані на новітній платформі AMD X870, обіцяючи стабільну роботу та високу ефективність.

T-CREATE EXPERT DDR5: для професіоналів

Для творців контенту Team Group пропонує чотириканальний комплект T-CREATE EXPERT DDR5-5600 CL42 256 ГБ (4×64 ГБ). Ця пам'ять розроблена для роботи з ресурсомісткими завданнями, такими як:

• Редагування відео у роздільній здатності 4K/8K.
• Професійний 3D-рендеринг.
• Інтенсивна багатозадачність та тривалі творчі сесії.

Це рішення допоможе професіоналам повністю розкрити свій творчий потенціал, забезпечуючи надійну та стабільну підтримку.

T-FORCE DELTA RGB DDR5: для геймерів

Ігровий сегмент отримав чотириканальний комплект T-FORCE DELTA RGB DDR5-6000 CL32 256 ГБ (4×64 ГБ). Він створений для забезпечення високої швидкості, великої місткості та стабільності системи, зміцнюючи позиції бренду на ринку високопродуктивних ігрових рішень.

Завдяки підтримці технології розгону пам'яті AMD EXPO, гравці зможуть легко активувати профіль EXPO через BIOS для оптимізованої продуктивності та надзвичайно плавного ігрового процесу.

Доступність

Нові комплекти пам'яті високої місткості DDR5 від T-FORCE та T-CREATE заплановані на світовий реліз на початок вересня 2025 року. Слідкуйте за оновленнями Team Group на всіх основних каналах збуту.

Наразі інформація про ціни на ці комплекти пам'яті не розголошується.

techpowerup.com 
Павлик Олександр

Пам'ять DDR6 очікується у 2027 році: швидкість до 17600 МТ/с та нова архітектура

Напівпровідникова промисловість активно прискорює розробку нового стандарту пам'яті – DDR6, який, за прогнозами, стане доступним для споживачів у 2027 році.

Провідні виробники, такі як Samsung, Micron та SK Hynix, вже перейшли від прототипування до етапів ретельної перевірки, працюючи в партнерстві з Intel, AMD та NVIDIA.

Значний приріст продуктивності та архітектурні зміни

Початкова пропускна здатність DDR6 становитиме 8800 МТ/с, з планами масштабування до разючих 17600 МТ/с. Це майже вдвічі перевищує максимальну швидкість сучасної пам'яті DDR5. Збільшення продуктивності досягається завдяки новій архітектурі DDR6 з чотирма 24-бітними підканалами, яка потребує абсолютно нових методів для стабільності сигналу. Ця архітектура також відрізняється від поточної двоканальної 32-бітної структури DDR5.

Для подолання фізичних обмежень, з якими стикаються формфактори DIMM на вищих швидкостях, галузь активно впроваджує стандарт CAMM2. Очікується, що серверні платформи першими отримають цю технологію, а згодом її підхоплять високопродуктивні ноутбуки.

Етапи впровадження та ринкові перспективи

Валідація платформ з DDR6 запланована на 2026 рік, розгортання на серверах – на 2027 рік, після чого відбудеться ширша доступність для споживачів. Цей поетапний шлях нагадує впровадження DDR5, проте аналітики прогнозують, що архітектурний стрибок DDR6 може прискорити її адаптацію, особливо в середовищах штучного інтелекту (ШІ) та високопродуктивних обчислень (HPC).

Початкові модулі DDR6, ймовірно, матимуть високі ціни, подібні до цін на DDR5 під час її дебюту у 2021 році. Це може обмежити раннє впровадження масштабними центрами обробки даних та дослідницькими лабораторіями ШІ. Однак, з огляду на зростальний попит ШІ та HPC на пропускну здатність пам'яті, виробники прагнуть прискорити випуск DDR6 для задоволення потреб масових обчислень. До 2027 року модулі на базі CAMM2, що працюють на швидкості DDR6, цілком можуть встановити новий стандарт для високопродуктивних систем.

techpowerup.com 
Павлик Олександр

Samsung і SK Hynix відкладають відмову від DDR4 через високий попит

Наприкінці минулого місяця на ринку пам'яті спостерігалося неочікуване зростання спотових цін на мікросхеми DDR4 DRAM. Це сталося саме тоді, коли провідні виробники, включаючи тайванські та південнокорейські компанії, вже оголосили про плани поступової відмови від цього стандарту, залишаючи лише мінімальні запаси для задоволення залишкового попиту. 

Виявилося, що майже десятирічна присутність стандарту DDR4 на ринку, починаючи з процесорів Intel Core 6-го покоління "Skylake" (2013 рік) і до поточного Core 14-го покоління "Raptor Lake Refresh", а також сумісність з платформою AMD Ryzen Socket AM4, створили величезну базу пристроїв. Це означає, що існує значно більше користувачів, які все ще шукають оновлення для своїх систем на базі DDR4, ніж очікувалося.

За інформацією Digitimes, південнокорейські гіганти SK Hynix та Samsung Electronics призупинили свої плани щодо згортання виробництва мікросхем DDR4. Вони можуть продовжувати постачання, доки спотові ціни на DDR4 не почнуть суттєво відставати від DDR5. Водночас обидві компанії будуть діяти обережно, щоб уникнути надмірного накопичення запасів.

techpowerup.com
Павлик Олександр

JEDEC представила новий стандарт пам'яті LPDDR6

JEDEC оголосила про публікацію нового стандарту пам'яті LPDDR6 (JESD209-6). Цей стандарт розроблено для значного підвищення швидкості та ефективності пам'яті, що критично важливо для майбутніх мобільних пристроїв та додатків зі штучним інтелектом.

LPDDR6 є кроком вперед у технології пам'яті, покращуючи продуктивність, енергоефективність та безпеку. Для підтримки ШІ-програм та інших ресурсоємних завдань, LPDDR6 використовує двоканальну архітектуру. Це забезпечує гнучкість роботи та невелику гранулярність доступу у 32 байти.

Ключові покращення LPDDR6:

• Продуктивність: Двоканальна архітектура з 2 підканалами на кристал та 12 лініями даних на підканал для оптимізації. Кожен підканал має 4 сигнали команд/адрес для зменшення розміру та підвищення швидкості. Гнучкий доступ до даних підтримує пакети 32B та 64B. Динамічне завершення на кристалі (NT-ODT) покращує цілісність сигналу.
• Енергоефективність: Працює з нижчою напругою VDD2 та потребує двох блоків живлення VDD2. Використовує команди чергування годинника для ефективності та динамічне масштабування напруги/частоти (DVFSL) для зменшення споживання енергії на низьких частотах. Підтримує часткове та активне оновлення для економії енергії.
• Безпека та надійність: Включає підрахунок активацій на рядок (PRAC) для цілісності даних, мета-режим виділення для критичних завдань, програмовану схему захисту каналу зв'язку та вбудовану корекцію помилок (ECC). Підтримує перевірку парності команд/адрес та вбудоване самотестування пам'яті (MBIST).

Ці нововведення роблять LPDDR6 ідеальним вибором для пристроїв наступного покоління, яким потрібен баланс енергоефективності, безпеки та високої продуктивності.

tweaktown.com
Павлик Олександр

G.SKILL випустила комплекти DDR5 пам'яті великого обсягу для розгону

G.SKILL оголосила про доступність нових комплектів високопродуктивної пам'яті DDR5 великого обсягу. Серед них — DDR5-6000 CL32 256 ГБ (64 ГБ x 4) та DDR5-6400 CL36 128 ГБ (64 ГБ x 2). Ці модулі призначені для високопродуктивних обчислень, створення контенту, завдань ШІ та професійних робочих станцій, поєднуючи низьку затримку з великою місткістю.

G.SKILL пропонує лінійку комплектів на основі модулів пам'яті DDR5 обсягом 64 ГБ. Зокрема, комплект DDR5-6000 CL32-44-44-96 загальною місткістю 256 ГБ (64 ГБ x4) оптимізований для настільних платформ AMD Ryzen DDR5 та підтримує профіль розгону AMD EXPO. Він увійде до серій G.SKILL Trident Z5 Neo RGB та Flare X5.

Крім комплекту 256 ГБ, доступний також високошвидкісний комплект пам'яті DDR5-6400 CL36-44-44-102 обсягом 128 ГБ (64 ГБ x2). Ця специфікація перевірена на сумісність з платформами Intel DDR5 і підходить для професійних застосувань та завдань ШІ.

Важливо зазначити, що ці комплекти, засновані на нових мікросхемах великого обсягу 64 ГБ, потребуватимуть оновлення BIOS материнської плати (датованого 2025 роком або новішої версії) з підтримкою 64 ГБ модулів.

Нові комплекти пам'яті вже постачаються партнерам G.SKILL по всьому світу. Деякі моделі вже представлені у роздрібній торгівлі, асортимент конфігурацій буде розширюватися.

techpowerup.com  
Павлик Олександр

Модуль пам'яті G.Skill CAMM2 DDR5 досяг швидкості розгону DDR5-10000 на платі ASUS Z890

G.SKILL у співпраці з командою ASUS ROG успішно розігнала модуль пам'яті у новому формфакторі DDR5 CAMM2, досягнувши стабільної роботи на швидкості DDR5-10000.

Цей результат був отриманий за допомогою модуля CAMM2 об'ємом 64 ГБ на модифікованій материнській платі ASUS ROG Maximus Z890 Hero CAMM2 та настільному процесорі Intel Core Ultra 7 265K.

Під час тестування модуль CAMM2 від G.SKILL було розігнано до DDR5-10000 з таймінгами CL52. Стабільність роботи системи підтверджено 100% покриттям у програмі Memtest.

Ця демонстрація є важливим кроком у дослідженні потенціалу розгону пам'яті CAMM2. G.SKILL постійно прагне до підвищення продуктивності пам'яті, і співпраця з ASUS ROG дозволяє їм забезпечити підтримку високих частот на майбутніх апаратних платформах.

techpowerup.com
Павлик Олександр

Ціни на DDR4 вперше перевищили DDR5 на тлі скорочення виробництва

Вперше з моменту появи DDR5, ціни на модулі пам'яті DDR4 стали вищими. Це незвичайне явище викликане поєднанням невизначеності тарифів та швидкого вичерпання запасів DDR4.

За даними TrendForce, ціни на деякі популярні комплекти DDR4 зросли на 40% всього за тиждень. DRAMeXchange повідомляє, що середня спотова ціна на 16-гігабітний модуль DDR4 (3200 МТ/с) від Samsung та SK Hynix досягла $12,50, з піковими пропозиціями до $24. Натомість комплекти DDR5 на 8 ГБ (4800-5600 МТ/с) коштують в середньому близько $6, рідко перевищуючи $9.

Цей сплеск цін на DDR4 стався після оголошення Micron про скорочення її виробництва до кінця року, що прискорить виснаження запасів протягом наступних 6-9 місяців. Samsung також заявила про плани припинити виробництво DDR4, зосередившись на DDR5 та високошвидкісній пам'яті. Китайська CXMT також скорочує випуск DDR4, попри нещодавнє досягнення пікових обсягів виробництва.

Тайванська Nanya Technology стала одним з головних вигодонабувачів цієї ситуації, маючи значні запаси DDR4. Компанія навіть призупинила публічне котирування цін, щоб краще керувати продажами в умовах підвищеного попиту.

У технологічній галузі існують побоювання, що відновлення торгівельної напруженості між США та Китаєм може спровокувати нову хвилю панічних покупок. Якщо будуть введені додаткові тарифи на постачання DDR4 з Китаю, вартість цих модулів може зрости більш ніж утричі порівняно з ціною DDR5, продовживши цю цінову інверсію на довший термін.

techpowerup.com
Павлик Олександр

Micron припиняє виробництво DDR4, попри високий попит

Micron повідомила своїх клієнтів про припинення виробництва пам'яті DDR4 в найближчі квартали, очікуючи скорочення постачання протягом наступних шести-дев'яти місяців. Це рішення узгоджується з планами Samsung та SK Hynix, які також зосереджуються на пам'яті наступного покоління, як-от DDR5, LPDDR5 та високошвидкісній пам'яті.

Виконавчий віцепрезидент Micron, Суміт Садана, зазначив, що поступове припинення виробництва відбувається в умовах неочікувано високого попиту на DDR4. Дефіцит модулів DDR4 та LPDDR4 вже призвів до зростання спотових цін, які подекуди перевищують вартість новіших DDR5 рішень.

Щоб впоратися з цим дисбалансом, Micron зосередиться на постачанні для довгострокових партнерів в автомобільній, промисловій та мережевій галузях, де надійність і стабільність контрактів є ключовими. Частково рішення про зняття DDR4 з виробництва зумовлене конкуренцією з боку китайських виробників, які заполонили ринок дешевшими модулями. Однак, зазначається, що цим новачкам може бути складно відповідати якості, довгостроковій підтримці та обсягам від відомих гравців ринку.

Micron активно закликає клієнтів переходити на продукти DDR5 та LPDDR5, які вже досягли конкурентних цін та пропонують кращу пропускну здатність й енергоефективність.

techpowerup.com
Павлик Олександр