Комп'ютерні новини

Kingston FURY представляє нові дизайни модулів пам’яті DDR4

Фаунтен-Веллі, Каліфорнія (США) — 17 жовтня 2023 року –

Спеціалізований підрозділ американської компанії  Kingston Technology — Kingston FURY — оголосив про старт продажів оперативної пам’яті Kingston FURY™ Renegade DDR4 в новому дизайні.

Як зазначила, представляючи новинки, менеджер підрозділу DRAM компанії Kingston Крісті Ернт: «Нові модулі пам’яті мають на меті не лише підвищити продуктивність систем в іграх, стрімінгу, монтажі відео та інших сферах, але й відкрити користувачам нові можливості в прояві себе та свого персонального стилю.  Задля цього, ми оновили дизайн розсіювачів тепла та підвищили кількість світлодіодів в модулях з підсвічуванням, щоб зробити світлові ефекти ще більш різноманітними та дивовижними».

Пам’ять Kingston FURY Renegade DDR4 здатна працювати на вражаючій швидкості до 5333 МТ/с, що робить її ідеальним вибором для користувачів, яким потрібна максимальна продуктивність. Стильні розсіювачі тепла в корпусах, що поєднують графітовий та чорний кольори, підкреслюють естетику персонального комп’ютера, та ефективно відводять тепло, забезпечуючи оптимальну продуктивність системи.

Моделі лінійки Kingston FURY Renegade DDR4 RGB доповнені RGB-підсвічуванням, що містить 10 світлодіодів та ультрасучасний розсіювач світла, які дозволяють створювати плавні світлові ефекти, що синхронізуються за допомогою запатентованої технології  Kingston FURY Infrared Sync Technology™. При цьому, модулі пам’яті забезпечують швидкість до  4600 МТ/с, надаючи користувачам можливість підвищити частоту кадрів трансляції та продуктивність робочого процесу, а також отримати додаткову перевагу в іграх за рахунок більш швидкої реакції на зміну ситуації.

Варто зазначити, що випуск оновлених модулів пам’яті Kingston FURY Renegade DDR4 відбувся невдовзі після оновлення моделі Kingston FURY Beast DDR4 RGB, що також поєднує високу продуктивність (аж до 3733 МТ/с) з ексклюзивним дизайном в чорних відтінках та динамічним RGB-підсвічуванням.

Динамічне підсвічування модулів Kingston FURY Renegade DDR4 RGB та Kingston FURY Beast DDR4 RGB можна додатково персоналізувати за допомогою спеціалізованого ПЗ Kingston FURY CTRL, обравши та налаштувавши один з 18 попередньо встановлених світлових ефектів.

Пристрої лінійок Kingston FURY Renegade DDR4 та Kingston FURY Beast DDR4 пройшли сертифікацію Ready for AMD Ryzen та Intel® XMP Certified або XMP Ready — пам’ять вже готова до роботи з профілями, оптимізованими для найновіших чипсетів AMD та Intel. Також доступні профілі для автоматичного розгону Plug N Play³ при швидкості 2666 МТ/с.

Нова пам’ять Kingston FURY Renegade DDR4 представлена в продажі як у вигляді окремих модулів ємністю від 8 до 32 ГБ, так і в комплектах з двох, чотирьох та восьми модулів загальною ємністю від 16 до 256 ГБ.

Всі модулі пам’яті проходять ретельне заводське тестування на робочій швидкості та забезпечені обмеженою гарантією на весь період використання.

Додаткова інформація доступна на kingston.com.

Особливості Kingston FURY Renegade DDR4 RGB:

• Стильне RGB-підсвічування: Оживіть свою робочу станцію вражаюче плавними динамічними ефектами RGB-підсвічування.

• Запатентована технологія  Kingston FURY™ Infrared Sync Technology™:      Динамічні ефекти RGB-підсвічування ідеально синхронізовані, завдяки фірмовій технології  Infrared Sync Technology.
  
  
• Ефективний алюмінієвий розсіювач тепла з плавними ефектами підсвічування: Чорний алюмінієвий розсіювач тепла, виконаний в графітовому та чорному кольорах, та чорна друкована плата підкреслюють вражаючі ефекти RGB, що надають системі особливий неповторний стиль.

• Профілі  Intel XMP Certified або Ready: Технологія Intel Extreme Memory Profile робить розгін простим, як ніколи раніше. Щоб отримати всі переваги оверклокінгу, достатньо обрати в BIOS Setup один з вбудованих профілів, що вже попередньо налаштовані професійними інженерами.
• Ready for AMD Ryzen™: Пам’ять готова до використання з Ryzen та легко інтегрується в системи на платформі AMD.

Специфікація Kingston FURY Renegade DDR4 RGB:

• Ємність:
                 Одиночний модуль – 8, 16 та 32 ГБ
                 Комплект з 2 модулів – 16, 32 та 64 ГБ
                 Комплект з 4 модулів – 32, 64 та 128 ГБ
                 Комплект з 8 модулів – 256 ГБ
  • Швидкість: 3200, 3600, 4000, 4266 та 4600 MT/с
  • Схеми таймінгів: CL16, CL18, CL19
  • Напруга живлення: 1.35, 1.4 та 1.5 В
  • Робоча температура: від 0 до +70 °C
  • Габарити модуля: 133.35 x 45.76 x 8.29 мм

Особливості Kingston FURY Renegade DDR4:

• Високі швидкості та низькі затримки для екстремальної продуктивності: Зі швидкостями до 5333 МТ/с, у поєднанні з короткими схемами таймінгів CL16-CL20, модулі Kingston FURY Renegade DDR4 забезпечують системам на базі AMD або Intel найвищу продуктивність в іграх, монтажі відео та під час стрімінгу.

• Профілі Intel XMP Certified або Ready: Технологія Intel Extreme Memory Profile робить розгін простим, як ніколи раніше. Щоб отримати всі переваги оверклокінгу, достатньо обрати в BIOS Setup один з вбудованих профілів, що вже попередньо налаштовані професійними інженерами.

• Ready for AMD Ryzen™: Пам’ять готова до використання з Ryzen та легко інтегрується в системи на платформі AMD.

• Ефективний алюмінієвий розсіювач тепла: Чорний алюмінієвий розсіювач тепла, виконаний в графітовому та чорному кольорах, та чорна друкована плата надають системі особливу естетику та підкреслюють індивідуальний стиль її власника.

Специфікація Kingston FURY Renegade DDR4 RGB:

• Ємність:
                 Одиночний модуль – 8, 16 та 32 ГБ
                 Комплект з 2 модулів – 16, 32 та 64 ГБ
                 Комплект з 4 модулів – 32, 64 та 128 ГБ
                 Комплект з 8 модулів – 256 ГБ
  • Швидкість: 3200, 3600, 4000, 4266, 4600, 4800 та 5333 MT/с
  • Схеми таймінгів: CL16, CL18, CL19, CL20
  • Напруга живлення: 1.35, 1.4, 1.5 та 1.6 В
  • Робоча температура: від 0 до +85 °C
  • Габарити модуля:    133.35 x 41.98 x 8.29 мм

Kingston.com
Паровишник Валерій

Samsung зазначає: пам'ять HBM4 з'явиться у 2025 році з новою технологією збирання

Згідно з редакційним повідомленням, опублікованим у блозі Samsung Санджуном Хваном, виконавчим віце-президентом і керівником групи продуктів і технологій DRAM у Samsung Electronics, у нас є інформація про те, що пам'ять з високою пропускною здатністю 4 (HBM4) з'явиться у 2025 році. У нещодавньому графіку розробки HBM ми побачили першу появу пам'яті HBM у 2015 році з AMD Radeon R9 Fury X. Друге покоління HBM2 вийшло з NVIDIA Tesla P100 у 2016 році, а третє покоління HBM3 побачило світ із  графічним процесором NVIDIA Hopper GH100 у 2022 році. В даний час Samsung розробила пам'ять HBM3E зі швидкістю 9,8 Гбіт/с,  які незабаром будуть запропоновані клієнтам.

Однак цього разу Samsung більш амбітна з точки зору термінів розробки і планує анонсувати HBM4 у 2025 році, можливо, з комерційними продуктами в тому ж календарному році. Цікаво, що в пам'яті HBM4 будуть реалізовані деякі технології, оптимізовані для високих теплових властивостей, такі як збірка з застосуванням непровідної плівки (NCF) і гібридне склеювання міді (HCB). NCF - це полімерний шар, який покращує стабільність мікровиступів і TSV в мікросхемі, тому пластини для пайки пам'яті ударостійкі. Гібридне мідне з'єднання — це вдосконалений метод упаковки напівпровідників, який створює прямі мідно-мідні зв'язки між напівпровідниковими компонентами, що дозволяє створювати тривимірну упаковку високої щільності. Він забезпечує високу щільність вводу/виводу, збільшену пропускну здатність і підвищену енергоефективність. Він використовує мідний шар як провідник і оксидний ізолятор замість звичайних мікровиступів для збільшення щільності зв'язку, необхідного для HBM-подібних структур.

techpowerup.com
Паровишник Валерій

SK hynix розробляє найпотужнішу у світі пам'ять HBM3E

Сьогодні компанія SK hynix Inc. оголосила про успішну розробку наступного покоління HBM3E DRAM з найвищими специфікаціями для додатків штучного інтелекту, доступними в даний час, і заявила, що зразки в даний час оцінюються замовником. SK hynix планує почати серійне виробництво HBM3E з першої половини наступного року і зміцнити своє неперевершене лідерство на ринку пам'яті AI.

За словами компанії, останній продукт не тільки відповідає найвищим галузевим стандартам швидкості, що є ключовою специфікацією для продуктів пам'яті штучного інтелекту, але і всім категоріям, включаючи ємність, тепловіддачу і зручність у використанні. З точки зору швидкості, HBM3E може обробляти дані зі швидкістю до 1,15 терабайт в секунду, що еквівалентно обробці понад 230 5 ГБ фільмів Full-HD кожен в секунду.

Крім того, продукт має 10% поліпшення тепловіддачі завдяки впровадженню в останній продукт передової технології лиття під тиском Mass Reflow Injection Molded Casting (MR-MUF). Він також забезпечує зворотну сумісність, що дозволяє впроваджувати новітній продукт навіть в системах, підготовлених для HBM3, без зміни конструкції або структури.

«Ми маємо довгу історію співпраці з SK hynix пам'яттю з високою пропускною здатністю для передових прискорених обчислювальних рішень», — сказав Ян Бак, віце-президент Hyperscale and High Performance Computing в NVIDIA. Ми з нетерпінням чекаємо продовження нашої співпраці з HBM3E, щоб забезпечити наступне покоління обчислень штучного інтелекту».

Сунгсу Рю, керівник відділу планування продукції DRAM в SK hynix, сказав, що компанія завдяки розробці HBM3E зміцнила своє лідерство на ринку за рахунок подальшого розширення лінійки продуктів HBM, яка знаходиться в центрі уваги на тлі розвитку технології штучного інтелекту. «Збільшуючи частку поставок високовартісної продукції HBM, SK hynix також буде прагнути до швидкого відновлення бізнесу».

techpowerup.com
Паровишник Валерій

Samsung обіцяє випустити 300-шарову пам'ять V-NAND у 2024 році

Схоже, Samsung готується перемогти SK Hynix в гонці за більш ніж 300-шаровий NAND Flash, принаймні, згідно з повідомленнями, що надходять з Південної Кореї. Seoul Economic Daily стверджує в ексклюзивному звіті, що Samsung матиме чіп V-NAND з більш ніж 300 шарами (V для вертикальної або 3D NAND), готовий до виробництва в 2024 році і, таким чином, може перевершити SK Hynix на цілий рік. В даний час найсучасніша пам'ять Samsung NAND - це 236-шаровий продукт, який на чотири шари більше,  ніж у Micron і YMTC, але на два менше, ніж у SK Hynix.

Що кидається в очі в новинах Seoul Economic Daily, так це те, що на відміну від SK Hynix, який збирається використовувати сендвіч з потрійним стеком, Samsung, очевидно, буде використовувати два стекa. Це означає, що Samsung прагне до більш ніж 150 шарів NAND, що здається  великим ризиком, коли справа доходить до продуктивності. Чим вище стек, тим вище ймовірність невдачі, але, можливо, Samsung знайшла рішення цієї потенційної проблеми. Оскільки сучасний 3D NAND заснований на наскрізних отворах кремнієвих переходів, що полегшує виробництво щільних стеків, ніж у минулому, коли використовувалося дротове з'єднання, але навіть у цьому випадку Samsung може піти на великий ризик. Однак, враховуючи поточний низький попит і новини про подальше скорочення виробництва, Samsung може використовувати свої заводи для тестування цієї нової,  щільнішої NAND, щоб побачити, чи зможе компанія виробляти її без проблем. Дорожня карта Samsung передбачає випуск продукту V-NAND з більш ніж 1000 шарами до 2030 року, але, схоже, шлях до цього все ще довгий і важкий.

techpowerup.com
Паровишник Валерій

Пам'ять Samsung GDDR7 працює при більш низькій напрузі і  побудована на тому ж чіпі, що і G6 24 Гбіт/с

Samsung в середу оголосила про масове виробництво перших в світі чіпів пам'яті GDDR7 наступного покоління, а Райан Сміт з AnandTech отримав кілька технічних подробиць від компанії. Судячи з усього, перша серійна версія пам'яті компанії GDDR7 побудована на тому ж кремнієвому вузлі D1z, що і чіп пам'яті 24Gbps GDDR6 – найшвидший чіп GDDR6 у виробництві. D1z - це ливарна збірка класу 10 нм, яка використовує літографію EUV.

Сміт також отримав деякі електричні характеристики. Чіп пам'яті GDDR7 першого покоління забезпечує швидкість передачі даних 32 Гбіт/с при 1,2В DRAM, в порівнянні з 1,35 В, з якими працюють деякі високошвидкісні чіпи GDDR6. У той час як pJpb (пікоджоулі на біт) на 7% вище, ніж поточне покоління в абсолютному вираженні, для пропонованої швидкості передачі даних 32 Гбіт/с вона на 20% нижче в порівнянні з чіпом 24 Гбіт/с GDDR6. Сміт зазначає, що такий приріст енергоефективності є чисто архітектурним і не є наслідком будь-яких поліпшень вузла D1z. GDDR7 використовує схему  сигналів PAM3 порівняно зі схемою сигналів  NRZ GDDR6  та схемою сигналів PAM4,  що не належить до JEDEC GDDR6X.

techpowerup.com
Паровишник Валерій

Team Group розширює ємність промислової пам'яті DDR5

Провідний бренд пам'яті Team Group збільшив ємність своїх продуктів промислової пам'яті серії DDR5, використовуючи свої видатні можливості досліджень і розробок і дизайну продуктів, взявши на себе ініціативу в запуску модуля на 48 ГБ, а також на 24 ГБ. Збільшена ємність застосовується до всіх типів продуктів DDR5, включаючи модулі пам'яті DDR5 без ECC U/SO-DIMM, модулі пам'яті DDR5 ECC U/SO-DIMM і DDR5 ECC R-DIMM. Вони забезпечують кращу продуктивність для додатків, які використовують високопродуктивні периферійні обчислення, вбудовані комп'ютери, персональні робочі станції тощо.

Поточна промислова пам'ять DDR5, представлена на ринку, має максимальну ємність близько 32 ГБ на модуль. Однак з розвитком таких технологій, як хмарні обчислення, обчислення ШІ, Інтернет речей і великі бази даних, потреба в ємності пам'яті зростає. Периферійні обчислювальні системи повинні обробляти великі обсяги даних з різних датчиків і пристроїв, а також виконувати складні обчислення та аналізи, які вимагають великих обсягів пам'яті та продуктивності. Щоб задовольнити цей попит, Team Group збільшила ємність своєї промислової пам'яті DDR5, запропонувавши нові модулі на 24 ГБ і 48 ГБ. Вони забезпечують більшу гнучкість додатків і дозволяють користувачам краще обробляти великі набори даних, складне моделювання та аналітичні завдання. Розширені можливості значно підвищать продуктивність і обчислювальну потужність периферійних обчислювальних систем, надаючи користувачам можливість більш ефективно запускати різні додатки і алгоритми.

На додаток до збільшення ємності, вся промислова пам'ять Team Group DDR5 може бути оснащена запатентованими графеновими радіаторами, які забезпечують більш високу і стабільну продуктивність читання і запису, ніж звичайні радіатори при стійких високотемпературних умовах. Таким чином, модулі мають збільшений термін служби, і клієнти можуть насолоджуватися підвищеною надійністю та довговічністю в промислових застосуваннях. Team Group продовжить впроваджувати інновації та створювати найбільш надійні рішення для мінливого середовища та потреб ринку промислових сховищ.

techpowerup.com
Паровишник Валерій

G.SKILL запускає білу серію Trident Z5 RGB DDR5

G.SKILL International Enterprise Co., Ltd., провідний світовий бренд високопродуктивної розгінної пам'яті та компонентів для ПК, радий представити нову білу версію своєї флагманської пам'яті серії Trident Z5 RGB DDR5, що забезпечує екстремальну швидкість розгону DDR5. -8200 при ємністі 24 ГБ x 2.

Нова біла версія серії Trident Z5 RGB може похвалитися гладким білим алюмінієвим теплорозподільником і чорною полірованою алюмінієвою смужкою, вставленою в центр, що дає ентузіастам ПК ідеальний високопродуктивний розігнаний комплект пам'яті в білій тематичній збірці ПК.

Після великого успіху флагманської пам'яті DDR5 серії Trident Z5 RGB, ця нова біла версія поєднує в собі як розігнану продуктивність, так і преміальну естетику в одному пакеті пам'яті. Зі специфікаціями, що досягають рівнів DDR5-8200 CL40 24 ГБ x 2, а також популярними специфікаціями DDR5-6000 CL30 або CL32 з низькою затримкою, він призначений для ентузіастів ПК та оверклокерів, які шукають найкращу продуктивність та стиль для своїх ПК. Список специфікацій, запланованих для запуску білої версії серії Trident Z5 RGB, дивіться в наступній таблиці:

Ці нові білі комплекти пам'яті DDR5 серії Trident Z5 RGB підтримують профілі розгону пам'яті Intel XMP 3.0 і будуть доступні авторизованим дистриб'юторським партнерам G.SKILL у третьому кварталі 2023 року.

techpowerup.com
Паровишник Валерій

G.SKILL готує небінарні модулі пам'яті DDR5 об’ємом 24 ГБ з підтримкою AMD EXPO

MEGAsizeGPU завантажив фотографії невипущених DIMM G.Skill - вони стверджують, що отримане обладнання "є першим у світі виставковим модулем 24G*2 DDR5: F5-6000J4048F24GX2-TZ5NR". Пам'ять наступного покоління Trident Z5 розрахована на 6000 МТ/с, а крупні плани етикеток на радіаторах вказують на те, що семпли є небінарними модулями пам'яті DDR5 об’ємом 24 ГБ,  які можуть підтримувати профілі EXPO для процесорів серії AMD Ryzen 7000. MEGAsizeGPU стверджує, що "6000 МГц - найкраще рішення для Ryzen" (AM5).

Закулісні зображення показують, як система ПК завантажується в режимі DDR5-6000 – в середовищі Windows CPU-Z демонструє, що ці нові модулі Trident Z5 засновані на чіпах DRAM на 24 ГБ виробництва SpecTek (замість двійкових 16 ГБ) – підрозділ SpecTek під управлінням Micron Technology. G.SKILL, ймовірно, буде продавати небінарну пам'ять Z5 парами, тому ми очікуємо, що відповідні двоканальні комплекти на 48 ГБ незабаром з'являться на ринку. MEGAsizeGPU нічого не згадав про ціну чи доступність. Kingston представила власні пропозиції небінарної пам'яті на Computex 2023, але в доступних презентаційних матеріалах не згадувалося, чи підтримують їхні нові моделі розширені профілі AMD для розгону (EXPO).

techpowerup.com
Паровишник Валерій