Комп'ютерні новини
Накопичувачі
GOODRAM M1A5 – універсальний і компактний пристрій для обміну інформацією
Компанія Wilk Elektronik, більш відома під брендом GOODRAM, представила друге покоління рішення All-in-One, що характеризується функціональністю п'яти інтерфейсів. Йдеться про модель GOODRAM M1A5, яка поєднує в собі підтримку трьох USB-роз'ємів (USB 2.0, micro-USB, USB Type-C) і двох стандартів карт пам'яті (SD і microSD).
В результаті GOODRAM M1A5 дозволяє вільно обмінюватися даними між десктопними ПК, ноутбуками, смартфонами, планшетами, фотоапаратами, відеокамерами або дронами. До комплекту постачання новинки входить карта пам'яті з об'ємом від 8 до 128 ГБ. Вона підтримує специфікацію UHS-I, тому швидкість читання даних сягає 60 МБ/с, а запису – 10 МБ/с. На комплектну карту пам'яті надається довічна гарантія, а на сам пристрій – 2-річна.
http://www.goodram.com
Сергій Буділовський
Представлено бюджетний твердотілий накопичувач Apacer AS350 Panther
Компанія Apacer представила твердотілий накопичувач початкового рівня – Apacer AS350 Panther зі стильним зовнішнім виглядом, стилізованим під забарвлення чорної пантери.
Новинка побудована в 2,5-дюймовому форматі з товщиною корпусу 7 мм і для підключення використовує інтерфейс SATA 6 Гбіт/с. Вона створена на базі мікросхем пам'яті TLC NAND з об'ємом від 120 ГБ.
Максимальна швидкість послідовного читання та запису даних в Apacer AS350 Panther становить 440 і 125 МБ/с відповідно. В свою чергу довільна швидкість при роботі з даними з об'ємом 4 КБ сягає 26 000 IOPS при читанні та запису.
Новинка постачатиметься з 3-річною гарантією, однак точна дата виходу та її ціна поки невідомі.
Постійне посилання на новинуApacer PT920 Commando – високошвидкісний SSD з оригінальним дизайном
Високий рівень конкуренції на ринку змушує компанії експериментувати не лише з характеристиками своїх продуктів, але й з їх дизайном. Оригінальний у цьому плані твердотілий накопичувач з'явився в портфоліо компанії Apacer. Йдеться про модель Apacer PT920 Commando, зовнішній вигляд якої стилізований під штурмову гвинтівку. Правда, джерело інформації не уточнює, чи використовується він в ролі радіатора для відведення додаткового тепла від чіпів пам'яті. Проте геймерам і модерам такий варіант повинен сподобатися.
Всередині Apacer PT920 Commando використовуються NAND флеш-мікросхеми з загальним об'ємом 240 або 480 ГБ. А оскільки в ролі інтерфейсу застосовується PCI Express 3.0 x4 з протоколом NVMe 1.2, можна розраховувати на доволі високі показники продуктивності. Зокрема, послідовна швидкість читання та запису для 480-гігабайтової моделі заявлена на рівні 2500 і 1300 МБ/с відповідно. У 240-гігабайтової версії швидкість запису сягає лише 860 МБ/с. При довільному запису блоків з об'ємом 4 КБ продуктивність старшої моделі сягає 175 000 IOPS, а молодшої – 160 000 IOPS.
Додатково Apacer PT920 Commando підтримує технології ECC, NCQ і TRIM, а в продаж він надійде з 3-річною гарантією. Ціна новинки поки не повідомляється.
https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський
Оновлена серія зовнішніх накопичувачів WD My Passport Ultra об’ємом до 4 ТБ
У минулому році була представлена оновлена серія зовнішніх накопичувачів WD My Passport, дизайн якої розробив всесвітньо відомий фахівець Ів Беар (Yves Béhar). Запропонована концепція сподобалася користувачам, тому компанія WDC вирішила оновити в аналогічному дизайні і серію WD My Passport Ultra.
До її складу увійшли моделі об'ємом 1, 2, 3 і 4 ТБ, які використовують два варіанти забарвлення корпусу: біло-золотистий і чорно-сірий. В якості зовнішнього інтерфейсу застосовується USB 3.0, зворотно сумісний з USB 2.0. Розміри корпусу складають 110 х 81,5 х 13,5 мм для версії об'ємом 1 ТБ і 110 х 81,5 х 21,5 мм для інших.
У продаж новинки надійдуть з 3-річною гарантією в комплекті з кабелем USB 3.0 для передачі інформації та живлення внутрішніх компонентів, а також з набором корисних утиліт (WD Discovery, WD Backup, WD Security і WD Drive Utilities). Їх орієнтовні цінники складуть $79,99 (1 ТБ), $99,99 (2 ТБ), $129,99 (3 ТБ) і $139,99 (4 ТБ).
https://www.eteknix.com
https://www.wdc.com
Сергій Буділовський
Toshiba представила першу в світі мікросхему пам'яті QLC 3D NAND об’ємом 96 ГБ
Компанія Toshiba зробила ще один крок на шляху повної заміни HDD на SSD, представивши першу в світі мікросхему BiCS FLASH 3D зі стековою структурою комірок і можливістю зберігання 4 біт в комірці (QLC). Тобто нова технологія є подальшим розвитком пам'яті TLC (3 біта в комірці).
Готовий прототип нової пам'яті Toshiba QLC 3D NAND використовує 64-шарову структуру з ємністю ядра на рівні 768 Гбіт / 96 ГБ. Перші поставки нових мікросхем для виробників SSD і контролерів твердотільних накопичувачів для вивчення їх можливостей стартували в червні. А вже в рамках заходу Flash Memory Summit 2017 (7-10 серпня) компанія Toshiba планує представити готовий SSD об'ємом 1,5 ТБ, який буде створений на базі 16 мікросхем QLC 3D NAND.
У своєму прес-релізі Toshiba ледь торкається технічних складнощів, з якими їй довелося зіткнутися при створенні QLC-пам'яті. Згадується про необхідність підвищення акуратності роботи з комірками в два рази в порівнянні з TLC-пам'яттю. Тобто можна припустити, що нові мікросхеми вимагають ще більш складних алгоритмів для коректної роботи з даними, що в свою чергу підвищує затримки і знижує швидкісні характеристики. Залишається почекати ще трохи і дізнатися офіційні дані щодо рівня продуктивності і надійності їх служби.
https://www.dvhardware.net
Сергій Буділовський
Серія твердотільних накопичувачів Intel SSD 545s на базі 64-шарових 3D TLC-мікросхем
Компанія Intel вивела на ринок нову серію 2,5"твердотільних накопичувачів − Intel SSD 545s. Вона побудована на зв'язці контролера Silicon Motion SM2259 і 64-бітних мікросхем 3D TLC об'ємом 256 Гбіт від IM Flash Technologies (спільного підприємства Intel і Micron).
Першою на ринку з'явиться модель об'ємом 512 ГБ, але згодом до неї приєднаються версії ємністю від 128 ГБ до 2 ТБ. Всі вони оснащені інтерфейсом SATA 6 Гбіт/с. До того ж 512-гігабайтна версія серії Intel SSD 545s характеризується гідними показниками продуктивності: максимальна швидкість послідовного читання і запису даних складає 550 і 500 МБ/с відповідно. При роботі з довільними блоками швидкість читання досягає 75 000 IOPS, а запису − 90 000 IOPS.
Орієнтовна вартість новинки на американському ринку складає $179,99. Цінники і технічні характеристики інших версій накопичувачів серії Intel SSD 545s поки не повідомляються.
http://techreport.com
Сергій Буділовський
Представлено твердотілий накопичувач ADATA IM2P3388 у форматі M.2
Компанія ADATA представила твердотілий накопичувач ADATA IM2P3388 у форматі M.2 2280 з 3D MLC NAND-пам'яттю і контролером від SMI. Новинка характеризується підтримкою інтерфейсу PCIe 3.0 x4 і протоколу NVMe. Вона розрахована на використання в корпоративному сегменті.
Накопичувач ADATA IM2P3388 буде доступний в об’ємах 128 ГБ, 256 ГБ, 512 ГБ і 1 ТБ, а його швидкісні показники послідовного читання та запису заявлені на рівні 2500 і 1100 МБ/с відповідно. Також новинка може працювати в умовах підвищеної вологості (5% ... 95%) і розширеного діапазону температур (-40°... +90°С). Не страшні їй вібрації (до 20G), струси (до 1500G / 0,5 мс), електростатичні й електромагнітні розряди. А за допомогою програми ADATA SSD Toolbox доступне видалення інформації з накопичувача без можливості її відновлення, шифрування даних і оптимізація дискового простору для продовження терміну служби SSD.
Орієнтовна ціна твердотілого накопичувача ADATA IM2P3388 поки не повідомляється.
Постійне посилання на новинуSamsung представила 64-шарову мікросхему пам'яті 3D V-NAND
Компанія Samsung анонсувала початок масового виробництва 64-шарової 256-гігабітової пам'яті 3D V-NAND, яка використовуватиметься в твердотільних накопичувачах для серверів, користувацьких ПК і мобільних пристроїв.
Новий 64-шаровий чіп підтримує швидкість передачі даних на рівні 1 Гбіт/с, яка є найшвидшою серед доступних на даний момент типів NAND-пам'яті. Загальні швидкісні показники новинки зросли на 30% у порівнянні з 48-шаровим V-NAND, енергоспоживання знизилося на ті ж 30%, а витривалість нових чарунок V-NAND підвищилася на 20% у порівнянні з попередником. До того ж до 500 мс зменшився час циклу програмування сторінок, що в 4 рази швидше планарних 2D NAND і в 1,5 перевищує показник 48-шарових V-NAND.
Також Samsung повідомила, що основні технології, що використовуються при розробці 64-шарової мікросхеми пам'яті 3D V-NAND, також застосовуватимуться надалі при розробці 90-шарових чіпів.
Показати ще
