Серія оперативної пам'яті Corsair Vengeance LPX поповнилася наборами об’ємом від 32 до 128 ГБ

Підвищити рівень конкуренції на ринку DDR4-пам'яті вирішила компанія Corsair, яка розширила лінійку Corsair Vengeance LPX. Тепер у її складі можна знайти багатоканальні набори загальним об’ємом 32 ГБ (4 х 8 ГБ), 64 ГБ (4 х 16 ГБ) і 128 ГБ (8 х 16 ГБ). Усі представлені новинки використовують якісну пасивну систему охолодження та підтримують специфікацію Intel XMP 2.0, яка дозволяє швидко й легко активувати закладений у них потенціал.

32-гігабайтні набори серії Corsair Vengeance LPX представлені в чорному та червоно-чорному варіантах. Ефективна швидкість їх роботи досягає 3600 МГц при напрузі 1,35 В і таймінгах CL16-19-19-39. 64-гігабайтні комплекти також доступні у двох версіях, однак їхня ефективна частота становить лише 3333 МГц при аналогічній напрузі та затримках CL16-18-18-36. Флагманський 128-гігабайтний набір можна придбати лише в чорному кольорі. Швидкість його роботи досягає 3000 МГц, а таймінги та напруги відповідають показникам 64-гігабайтного набору.

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Samsung почала масове виробництво 4-гігабайтних мікросхем HBM2

З гордістю компанія Samsung представила перші в індустрії мікросхеми оперативної пам'яті стандарту HMB2 об’ємом 4 ГБ. Вони створені на основі 20-нм техпроцесу і призначені для використання в HPC-системах і відеокартах нового покоління.

Структура нових мікросхем Samsung 4GB HBM2 DRAM складається з буфера, поверх якого розміщені чотири 8-гігабітні ядра DRAM-пам'яті. У кожному з них зроблено понад 5000 TSV-отворів – це у понад 36 разів більше, аніж у найсучасніших мікросхемах 8 Gb TSV DDR4. Завдяки цьому суттєво підвищується продуктивність при передачі даних. Наприклад, у новинках цей показник досягає 256 ГБ/с, у рішеннях HBM DRAM він заявлений на рівні 128 ГБ/с, а для чіпів 4 Gb GDDR5 DRAM становить усього 36 ГБ/с.

Також мікросхеми Samsung 4GB HBM2 DRAM мають підтримку ECC-корекції й у два рази краще співвідношення пропускної здатності на ват, аніж 4-гігабітні чіпи GDDR5. У результаті вони забезпечують не тільки більш надійну та швидку роботу, але й вимагають менше енергії. Цього року Samsung планує почати масове виробництво ще й 8-гігабайтних мікросхем HBM2-пам'яті, призначених у першу чергу для топових відеокарт.

https://news.samsung.com
Сергій Буділовський

Серія оперативної пам'яті G.SKILL Ripjaws V поповнилася 128-гігабайтним набором із частотою 3000 МГц

У грудні 2015 року компанія G.SKILL вивела на ринок один із найшвидших 64-гігабайтних наборів оперативної пам'яті DDR4-3200 МГц для платформи Intel Skylake. Тепер вона представила не менш вражаючу новинку – 128-гігабайтний комплект серії G.SKILL Ripjaws V, який складається з восьми 16-гігабайтних модулів. Кожен з них може працювати на частоті DDR4-3000 МГц із затримками 14-14-14-34 і при напрузі 1,35 В. Це робить даний комплект одним із найшвидших у своєму класі.

Приємно відзначити, що новинки використовують алюмінієві радіатори для ефективного відведення тепла від самих мікросхем пам'яті. До того ж вони підтримують стандарт Intel XMP 2.0, що дозволить сумісним системам автоматично активувати оптимальний режим роботи. Націлений же новий набір на використання в парі із платформою Socket LGA2011-v3 (Intel X99) в ігрових, оверклокерських і робочих системах. У продаж він надійде до кінця січня.

Зведена таблиця технічної специфікації 128-гігабайтного комплекту оперативної пам'яті G.SKILL Ripjaws V:

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Швидкі і ємні набори DDR4-пам'яті серій G.Skill Trident Z і Ripjaws V

Ще до кінця поточного року в продажі з'являться високопродуктивні набори оперативної DDR4-пам'яті серій G.Skill Trident Z і G.Skill Ripjaws V. Флагманським стане комплект із чотирьох 16-гігабайтних модулів, які працюють на частоті DDR4-3200 МГц із затримками CL14 (14-14-14-35) при напрузі 1,35 В.

Незалежно від приналежності до різних серій (G.Skill Trident Z або G.Skill Ripjaws V), нові модулі побудовані на високоякісних мікросхемах компанії Samsung і оснащуються стильними й ефективними радіаторами для відведення надлишку тепла. При цьому охолоджувач модулів серії G.Skill Trident Z традиційно відрізняється збільшеними розмірами, що потребуватиме уважного добору процесорної системи охолодження. Вартість новинок не уточнюється.

http://www.guru3d.com
Сергій Буділовський

16-гігабайтний набір оперативної пам'яті Corsair Dominator Platinum у чорно-червоному виконанні

Абсолютна більшість наборів оперативної пам'яті серії Corsair Dominator Platinum представлена в сріблясто-чорному дизайні, але тепер у ній з'явився й чорно-червоний варіант. До його складу ввійшли чотири DIMM-модулі стандарту DDR4-3200 МГц загальною ємністю 16 ГБ. Робоча напруга набору становить 1,35 В, а гарантовані таймінги – 16-18-18-36.

Усі комплекти серії Corsair Dominator Platinum протестовані на сумісність із чіпсетами Intel X99 і Intel 100-ої серії. Також новинки можуть похвалитися ефективною та надійною фірмовою системою охолодження Dominator DHX Cooling і наявністю спеціального інтерфейсу для активації технології Corsair Link Interface. За допомогою фірмового ПЗ вона дозволяє моніторити коректні показники внутрішніх температур і напруги.

Новинка доступна в продажі за орієнтовною вартістю $234,99 з обмеженою довічною гарантією. Технічна специфікація набору Corsair Dominator Platinum:

http://www.cowcotland.com
http://www.corsair.com
Сергій Буділовський

Нова серія оперативної пам'яті Team Group Dark Pro DDR4

Своє положення на ринку оперативної пам'яті компанія Team Group вирішила зміцнити за допомогою серії Team Group Dark Pro DDR4, у яку ввійшли окремі модулі об’ємом 4 або 8 ГБ, а також двоканальні набори загальною ємністю 8 і 16 ГБ. У першу чергу вони націлені на використання в ігрових та оверклокерських системах із процесорами Intel Skylake на борту.

Новинки працюють на частотах 3000 МГц, 3200 МГц і 3300 МГц при напрузі 1,35 В і таймінгах CL15, CL16 і CL17 відповідно. Для швидкої активації максимальних параметрів використовується технологія Intel XMP 2.0.

Враховуючи підвищене тепловиділення самих мікросхем пам'яті від роботи при більш високій напрузі, моделі серії Team Group Dark Pro DDR4 оснащені алюмінієвими радіаторами, які помітно збільшують загальну висоту планок. Тому при використанні габаритних процесорних систем охолодження питанню сумісності слід приділити підвищену увагу.

У продаж новинки надійдуть в двох колірних варіантах (червоно-чорному та сіро-чорному) з довічною гарантією. Зведена таблиця технічної специфікації моделей оперативної пам'яті серії Team Group Dark Pro DDR4:

http://www.cowcotland.com
http://www.teamgroupinc.com
Сергій Буділовський

Серія ігрової оперативної пам'яті Apacer PANTHER DDR4

Ринок ігрових компонентів приваблює все нових і нових гравців. Ось і компанія Apacer вирішила зміцнити свої позиції в сегменті ігрової оперативної пам'яті шляхом випуску серії Apacer PANTHER DDR4.

У неї ввійшли одиночні модулі об’ємом 4 і 8 ГБ, у складі яких використані ретельно відібрані мікросхеми. Їхні тактові частоти можуть становити 2133 МГц, 2400 МГц або 2666 МГц при таймінгах 15-15-15-36 або 16-16-16-36. Робоча ж напруга заявлена на рівні 1,2 В. Завдяки підтримці профілів XMP 2.0 моделі серії Apacer PANTHER DDR4 забезпечують дуже простий оверклокінг своїх параметрів – достатньо лише вибрати попередньо встановлений профіль.

Щоб поліпшити температурний режим використовуваних чіпів пам'яті та надати більш агресивного вигляду у новинках використані невеликі радіатори. Гребінь піднімається над самим текстолітом модуля лише на кілька міліметрів, тому особливих проблем із сумісністю з габаритними процесорними системами охолодження бути не повинно.

http://ru.apacer.com
Сергій Буділовський

Samsung почала масове виробництво RDIMM-модулів пам'яті об’ємом 128 ГБ

Компанія Samsung з гордістю повідомила про старт масового виробництва RDIMM-модулів оперативної пам'яті стандарту DDR4 загальним об’ємом 128 ГБ. У першу чергу вони призначені для корпоративних серверів і дата-центрів.

Для досягнення настільки великого об’єму використано 144 20-нм DDR4-чіпів ємністю 8 Гбіт кожен, організованих в 36 4-гігабайтних DRAM-корпусів (по 4 мікросхеми в корпусі). При цьому для монтажу використана технологія TSV (Through Silicon Via), що дозволило суттєво збільшити швидкість проходження сигналів. У результаті пропускна здатність нових модулів зросла до 2400 Мбіт/с, що практично у два рази вище показника рішень попереднього покоління. А енергоспоживання знизилося на 50%. У майбутньому компанія Samsung планує представити модулі із пропускною здатністю 2667 і 3200 Мбіт/с, а також розширити сферу застосування технології TSV.

http://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський