Комп'ютерні новини
Оперативна пам’ять
Goodram анонсувала серію оперативної пам'яті Rival DDR4 Radiant
Польська Wilk Elektronik SA, яка володіє брендом Goodram, анонсувала випуск нової лінійки оперативної пам'яті Rival DDR4 Radiant.
Серія розроблена для геймерів та ентузіастів, які продовжують використовувати платформи з підтримкою пам'яті минулого покоління на базі процесорів AMD Ryzen 5000 або Intel Alder Lake та Raptor Lake.
Технічні характеристики та особливості:
- Робочі параметри: Модулі типу UDIMM працюють на тактовій частоті 3200 МГц. Залежно від конкретної модифікації, затримки становлять CL16 або CL18, а робоча напруга дорівнює 1,2 В або 1,35 В. Для забезпечення стабільності під тривалим навантаженням виробник використовує ретельно відібрані мікросхеми DRAM.
- Місткість та конфігурації: Лінійка включає поодинокі планки об'ємом 4, 8, 16 та 32 ГБ. Також покупцям будуть доступні двоканальні комплекти загальною місткістю до 64 ГБ.
- Дизайн: Пам'ять збирається на друкованих платах чорного кольору та оснащується алюмінієвими радіаторами. На вибір користувачам пропонуються два варіанти забарвлення охолодження — червоне та зелене.
На всі модулі пам'яті серії Rival DDR4 Radiant поширюється довічна гарантія та повна технічна підтримка від виробника. Інформацію про точну вартість комплектів та терміни їх появи у магазинах компанія оприлюднить пізніше.
techpowerup.com
Павлик Олександр
SK Hynix фокусується на розширенні випуску DDR5 замість HBM4
SK Hynix, яка контролює близько 40% світового ринку високошвидкісної пам'яті HBM, вирішила змінити свої пріоритети.
Замість запланованого переведення ліній з випуску HBM3E на наступне покоління HBM4, вона перепрофілює ці потужності під виробництво стандартної оперативної пам'яті DDR5.
Головна причина такого кроку — критичний дефіцит на ринку загального призначення DRAM та вища маржинальність. Хоча HBM коштує дорожче, виробництво DDR5 є значно простішим і менш капіталомістким. Аналітики прогнозують, що норма операційного прибутку від продажу DDR5 для SK Hynix цього року може сягнути рекордних 90%. Впевненість у лідерських позиціях на ринку HBM дозволяє не поспішати з масовим розгортанням стеків HBM4 та HBM4E.
Для звичайних користувачів ПК це позитивна зміна, оскільки пам'ять HBM у споживчому сегменті не використовується. Збільшення обсягів виробництва DDR5 допоможе дещо пом'якшити глобальний дефіцит оперативної пам'яті, хоча повністю задовольнити попит з боку дата-центрів та ШІ-індустрії найближчим часом усе одно не вдасться.
overclock3d.net
Павлик Олександр
Китайські виробники оперативної пам'яті переходять на власні 24-гігабітні чипи DDR5
Китайські виробники оперативної пам'яті для споживчого ринку, зокрема Gloway та KingBank, почали активно інтегрувати у свої продукти мікросхеми DRAM DDR5 власного китайського виробництва від компанії CXMT.
Це знакова подія для внутрішнього ринку Китаю, оскільки вона фактично покладе край багаторічній залежності місцевих брендів від Micron, SK hynix та Samsung.
Нові комплекти постачаються у вигляді двоканальних наборів загальним об'ємом 48 ГБ. Кожна планка пам'яті на 24 ГБ використовує вісім нових 24-гігабітних чипов від CXMT. Наразі ці мікросхеми масово виробляються на дещо скромніших частотах близько 6000 МТ/с, хоча раніше цього року CXMT вже підтверджувала відвантаження менш містких 16-гігабітних чипів, здатних працювати на швидкості до 8000 МТ/с. Очікується, що для досягнення вищих частот на нових ємних модулях знадобляться додаткові драйвери тактової частоти та тонке налаштування таймінгів.
Виробники вже підготували перші комерційні серії на базі нових чипів, адаптовані під різні потреби користувачів.
Gloway випустила спеціальну серію Longwuyi Yi Special Edition. Цей комплект оптимізовано спеціально для процесорів AMD. Пам'ять працює на частоті 6000 МТ/с із таймінгами CL36-38-38-80 при напрузі 1,2 В. Для стабільного відведення тепла модулі оснащені кастомними радіаторами з термопрокладками теплопровідністю 5 Вт/мК.
Своєю чергою KingBank запропонувала альтернативне рішення з масивнішими 2-міліметровими алюмінієвими теплорозподільниками. У цих планках особливу увагу приділено охолодженню силової мікросхеми керування живленням (PMIC), де застосовано спеціальний термоінтерфейс. Додатково модулі оснащені двостороннім RGB-підсвічуванням, яким можна керувати за допомогою фірмового програмного забезпечення.
techpowerup.com
Павлик Олександр
Lexar прогнозує чергове двократне подорожчання оперативної пам'яті
Регіональний менеджер торгової марки Lexar по Австралії та Новій Зеландії Кріс Ся виступив із попередженням, що ціни на оперативну пам'ять DRAM подвояться до кінця поточного року.
Головною причиною чергової хвилі здорожчання залишається масштабне будівництво дата-центрів для систем ШІ, яке буквально поглинає світові запаси мікросхем напівпровідникової пам'яті та змушує провідних виробників перенаправляти майже всі свої потужності на випуск високосмугової пам'яті HBM.
Поточна стабілізація роздрібних цін на DDR5 та періодичні знижки у магазинах є тимчасовим явищем, оскільки дистриб'ютори та ритейлери просто намагаються максимально швидко розпродати старі складські запаси для звільнення місця под нові партії товару, які закуповуватимуться вже за значно вищою вартістю. Глибока криза на ринку напівпровідників уже призвела до суттєвого скорочення поставок комп'ютерів, падіння продажів материнських плат на 25%, а також створила фінансові проблеми для багатьох виробників споживчої електроніки.
Експерти зазначають, що падіння цін не варто чекати в найближчі роки, оскільки навіть у разі потенційного здуття інвестиційної бульбашки навколо ШІ, більшість великих брендів пов'язані довгостроковими контрактами на постачання сировини за поточними надвисокими тарифами.
overclock3d.net
Павлик Олександр
SK Hynix планує потроїти виробництво кремнієвих пластин для мікросхем пам'яті до 2034 року
Голова SK Group Че Тхэ Вон в інтерв'ю журналістам заявив про суттєве прискорення масштабного проєкту з розширення виробничих потужностей.
Згідно з новими розрахунками, обсяг випуску напівпровідникових пластин для чипів DRAM та NAND Flash подвоїться протягом найближчих п'яти років, а до 2034 року загальний обсяг виробництва зросте втричі відносно поточного рівня. Настільки агресивний темп нарощування потужностей зумовлений колосальним дефіцитом і постійно зростаючим попитом на передову пам'ять з боку дата-центрів та розробників систем ШІ.
Початковий план розвитку південнокорейського напівпровідникового кластера в Йон'іні, який передбачає будівництво чотирьох великих багатоповерхових заводів, був розрахований до 2045 року. Проте через гостру кризу постачання та чотирикратне зростання цін на пам'ять за останній рік, терміни завершення будівництва вдалося скоротити на ціле десятиліття.
Керівництво наголошує, що поточний графік із фінальною точкою у 2034 році є максимально можливим сценарієм і рухатися ще швидше фізично не вдасться. Окрім внутрішнього ринку, після завершення розгортання домашніх фабрик розглядається варіант будівництва додаткових потужностей за кордоном, де пріоритетним кандидатом є Японія завдяки розвиненій інфраструктурі постачання хімікатів та обладнання. Хоча анонсоване розширення є позитивним сигналом для індустрії в довгостроковій перспективі, поточну кризу дефіциту та високих цін на роздрібному ринку SSD та оперативної пам'яті воно найближчим часом не вирішить.
Постійне посилання на новинуМіф про дешеву китайську DDR5 розвінчано: ціни на чипи CXMT зрівнялися з лідерами ринку
Надія геймерів та збирачів ПК на те, що китайська компанія ChangXin Memory Technologies (CXMT) завалить ринок дешевою оперативною пам'яттю DDR5 і змусить конкурентів знизити цінники, виявилася міфом.
Як розповіли представники брендів на виставці Computex 2026, закупівельні ціни на кремнієві пластини та чипи від CXMT практично зрівнялися з прайсами «великої трійки» в особі Samsung, SK Hynix та Micron. Китайський виробник не планує займатися демпінгом чи вести цінові війни.
Попри відсутність низьких цін, залізо від CXMT все одно масово з'являється у роздрібних модулях пам'яті серед відомих брендів. Головний козир компанії зараз — це банальна наявність вільних обсягів кремнію. Поки Samsung, SK Hynix та Micron віддають пріоритет надприбутковим замовленням на HBM-пам'ять для ШІ-прискорювачів і майже повністю завантажили свої потужності під потреби ШІ-індустрії, CXMT зосередилася на класичній споживчій DRAM.
CXMT поки не може наздогнати світових гігантів за тонкістю техпроцесів, проте її продукція вже освоїла масовий сегмент зі швидкостями аж до 8000 МТ/с. Саме доступність чипів на складах, а не їхня вартість, робить китайського постачальника рятівним колом для виробників ОЗП в епоху дефіциту.
Постійне посилання на новинуG.Skill презентувала EXPO-ULL оперативну пам'ять DDR5-6000 із таймінгами CL26
На виставці Computex 2026 G.Skill продемонструвала свої перші комплекти оперативної пам'яті, які підтримують щойно анонсований компанією AMD стандарт профілів розгону EXPO-ULL (ultra-low latency).
Головною зіркою стенда став екстремальний набір DDR5-6000, що працює з безпрецедентно низькими затримками CL26. Цей комплект функціонує за формулою таймінгів 26-36-36-32 CR1.
Також у лінійці з'являться версії з формулами CL28 та CL30. Усі вони забезпечують значно вищу швидкодію порівняно зі стандартними специфікаціями JEDEC для DDR5-6000, де затримки зазвичай сягають рівня 38-44-44.
Через підвищену напругу та високий нагрів топовий модуль оснащено двослотовою системою активного охолодження, розробленою спільно з Cooler Master.
Через велику товщину цього кулера власнику ПК знадобиться материнська плата із зазором мінімум в один слот між каналами пам'яті.
Модифікації з таймінгами CL28 та CL30 збережуть класичний дизайн і поповнять оверклокерські лінійки Trident Z5 Neo та Trident Z5 Royal Neo. Офіційний запуск новинок заплановано на другу половину 2026 року.
techpowerup.com
Павлик Олександр
AMD представила новий стандарт EXPO‑ULL
AMD оголосила на Computex 2026 про EXPO‑ULL (Ultra Low Latency), який забезпечує наднизькі затримки для пам’яті DDR5‑6000 та DDR5‑6400 у системах Ryzen.
Це розширення SPD‑профілю, подібне до Intel XMP та оригінального EXPO, але з акцентом на максимально жорсткі таймінги. Оскільки процесори Ryzen 7000 та 9000 обмежені у частотах пам’яті порівняно з платформами Intel, AMD вирішила компенсувати це зменшенням затримок.
Раніше виробники продавали модулі DDR5‑6000 та DDR5‑6400 із типовими таймінгами, маркуючи їх як EXPO‑сумісні. Тепер у рамках EXPO‑ULL вони постачатимуть ті ж швидкості, але з істотно зменшеними таймінгами, що дає реальний приріст продуктивності для ентузіастів.
AMD повідомила, що EXPO‑ULL забезпечує середній приріст FPS на рівні 4 %, а в окремих іграх — до 13 %.
Серед партнерів програми — G.Skill, Kingston, Klevv, Lexar, Team Group, V‑Color та ADATA XPG. Очікується, що перші модулі з підтримкою EXPO‑ULL з’являться на ринку протягом 2026 року.
techpowerup.com
Павлик Олександр
Показати ще
