Seagate представила новий жорсткий диск Exos M з місткістю до 36 ТБ

Seagate оголосила про відправку зразків жорстких дисків Exos M вибраним клієнтам у галузі з максимальними обсягами до 36 терабайт (ТБ). Базуючись на платформі Mozaic 3+, яка використовує проривну технологію теплового магнітного запису (HAMR), Exos M забезпечує безпрецедентні масштаби зберігання даних для великих центрів обробки даних.

Основні моменти:

• Прийнято хмарними сервісами: Seagate поступово збільшує обсяги постачання Exos M до 32 ТБ для провідного хмарного провайдера. Окремо Seagate також надає зразки дисків на платформі Exos M до 36 ТБ.
• Інновація Mozaic 3+ та HAMR: На основі платформи Mozaic 3+ і технології теплового магнітного запису (HAMR), Exos M пропонує операторам дата-центрів значні переваги в масштабі, загальній вартості володіння (TCO) та стійкості, включаючи 300% збільшення обсягу зберігання в межах тієї ж площі дата-центру, зменшення вартості на 25% за терабайт та зменшення енергоспоживання на 60% за терабайт.
• Неперевершена щільність зберігання: Exos M, працюючи на платформі Mozaic 3+ на базі HAMR, зараз забезпечує обсяги до 36 ТБ за допомогою високоефективного дизайну з 10 пластинами. Seagate є єдиною компанією, яка наразі досягає щільності зберігання 3,6 ТБ на одну пластину жорсткого диска, з планами збільшення до 10 ТБ на пластину.

"Ми знаходимося на межі кардинальних змін у тому, як дані зберігаються та керуються," сказав Дев Мослі, генеральний директор Seagate. "Безпрецедентні рівні створення даних – завдяки подальшому розширенню хмарних технологій та ранньому впровадженню штучного інтелекту – вимагають довготривалого зберігання даних та доступу до них, щоб забезпечити надійні результати, засновані на даних. Від збереження контрольних точок навчання до архівування наборів вихідних даних – чим більше даних організації зберігають, тим більше вони можуть підтвердити, що їхні застосунки працюють так, як очікувалося – і коригувати курс, якщо це необхідно."

seagate.com
Павлик Олександр

Patriot Memory представляє iLuxe Stick

Компанія Patriot Memory анонсує запуск iLuxe Stick – нового портативного пристрою для зберігання даних у серії iLuxe. Пристрій поєднує в собі стильний дизайн та високу продуктивність. За допомогою додатку iLuxe фотографії та відео автоматично передаються на iLuxe Stick в режимі реального часу, що забезпечує розширення пам'яті для iPhone та iPad.

1

iLuxe Stick має два роз'єми - Type-C та Lightning, що забезпечує сумісність з Apple iPhone від моделі iPhone 6 до останньої iPhone 16. Інноваційна система шифрування Trust Circle підтримує до 16 зашифрованих користувачів, що дозволяє вибирати дозволи на спільний доступ зберігаючи при цьому конфіденційність та безпеку. Інтерфейс USB 3.2 Gen 1 забезпечує швидкість передачі до 5 Гбіт/с. Пристрій сертифіковано Apple MFi та використовує промислову вбудовану пам'ять H2+, що забезпечує надійне зберігання даних.

Особливості:

• Місткості: від 128 ГБ до 1 ТБ
• Інтерфейси: USB 3.2 Gen 1 Type-C та Lightning зі швидкістю передачі 5 Гбіт/с
• Запис відео безпосередньо на iLuxe Stick
• Автоматичне резервне копіювання відео, фотографій та файлів
• Ексклюзивна технологія Trust Circle для підвищеної безпеки
• 100% відновлення оригінальних резервних даних
• Пам'ять промислового класу H2+ для надійного резервного копіювання
• Сертифікація Apple MFi – розроблено для iPhone та iPad
• Сумісність з iOS 12 і новішими версіями, macOS 10.x і новішими версіями, та Windows XP і новішими версіями.

patriotmemory.com
Павлик Олександр

Phison представила новий контролер E28 для SSD накопичувачів з PCIe 5.0

На CES 2025 був представлений контролер Phison PS5028-E28 для NVMe накопичувачів. Тайванська компанія зазначила, що це їхня найшвидша платформа для NVMe накопичувачів з інтерфейсом PCIe 5.0 x4. За словами виробника, пристрої на основі цього контролера зможуть досягати швидкості читання та запису близько 14,5 ГБ/с.

Phison PS5028-E28 виробляється на фабриках TSMC за 6-нм технологією і працює з флеш-чипами в восьмиканальному режимі. Він підтримує чипи зі швидкістю до 4200 МТ/с і дозволяє створювати накопичувачі місткістю до 32 ТБ. Максимальна продуктивність під час обробки випадкових блоків становить приблизно 3 мільйони IOPS, а середнє енергоспоживання становить 8,5 Вт. На жаль, Phison поки що не розкриває дату виходу накопичувачів на цій новій платформі.

Компанія також підкреслила, що її контролер E31T став основою для NVMe накопичувачів Crucial P510. Це SSD середнього рівня з підтримкою PCIe 5.0, що забезпечують швидкості читання до 11 ГБ/с і запису до 9,5 ГБ/с. Контролер Phison E31T демонструє високу енергоефективність, завдяки чому накопичувачі на його основі можуть працювати без додаткового охолодження.

techpowerup.com 
Павлик Олександр

Patriot випустила SSD P400 V4 PCIe Gen 4 M.2

Компанія Patriot Memory випустила SSD P400 V4, високопродуктивний накопичувач PCIe Gen 4 x4 M.2, який забезпечує швидкість до 6200 МБ/с на читання і 5200 МБ/с на запис. Це універсальне рішення для зберігання оптимізовано як для ПК, так і для PlayStation 5, забезпечуючи геймерам та контент-створювачам продуктивність та надійність.

P400 V4 використовує передову технологію PCIe Gen 4 x4 NVMe для забезпечення швидкої передачі даних при збереженні ефективного споживання енергії. На PlayStation 5 накопичувач досягає послідовної швидкості читання до 6000 МБ/с, забезпечуючи швидке завантаження та плавний ігровий процес на всіх ігрових платформах. Накопичувач оснащений вдосконаленим графеновим тепловідводом, який ефективно керує тепловиділенням, забезпечуючи стабільну продуктивність під час інтенсивних операцій. Компактний формфактор M.2 2280 робить його ідеальним для систем з обмеженим простором, включаючи тонкі ноутбуки та ПК з малим формфактором.

Ключові особливості:

• Контролер PCIe Gen 4 x4 NVMe, що забезпечує до 6200 МБ/с швидкості читання
• Рейтинг Total Bytes Written (TBW) 1280 ТБ
• Варіанти обсягу зберігання від 500 ГБ до 4 ТБ
• Вдосконалений графеновий тепловідвід для оптимального теплового керування
• Технологія SmartECC для підвищеної надійності
• Сумісність з PS5 з послідовною швидкістю читання до 6000 МБ/с
• Робочий температурний діапазон від 0° до 70°C
• Гарантія на 5 років та підтримка операційних систем Windows 7, 8.0, 8.1, 10 та 11.

На цей час інформація про доступність та ціну P400 V4 відсутня.

techpowerup.com
Павлик Олександр

Kioxia представила Exceria Plus G4 M.2 NVMe Gen 5 SSD

Kioxia представила Exceria Plus G4, середньорівневий SSD формату M.2 NVMe Gen 5. Виготовлений у формфакторі M.2-2280, накопичувач використовує інтерфейс PCI-Express 5.0 x4 і доступний у варіантах об'єму 1 ТБ та 2 ТБ. Обидві моделі пропонують швидкість послідовного читання до 10 000 МБ/с, а швидкість послідовного запису для моделі на 1 ТБ досягає 7 900 МБ/с, тоді як для моделі на 2 ТБ – до 8 200 МБ/с. 

Продуктивність випадкового доступу для обох моделей складає до 1,3 мільйона IOPS для читання і до 1,4 мільйона IOPS для запису. Модель на 1 ТБ витримує до 600 ТБ запису, тоді як модель на 2 ТБ – до 1 200 ТБ.

Всередині Kioxia Exceria Plus G4 поєднується контролер NVMe Gen 5 серії Phison E31T без DRAM та флешпам'ять Kioxia BiCS з 218 шарами. Компанія підтримує накопичувач 5-річною гарантією на продукт. Інформація про ціну поки що не розкрита.

techpowerup.com
Павлик Олександр

SK hynix розпочала продажі SSD Platinum P51 PCIe 5.0 у Південній Кореї

Попри те, що новий Platinum P51 PCIe 5.0 від SK hynix був представлений ще в березні цього року, його продажі в Південній Кореї розпочалися лише зараз. Відтоді специфікації були значно покращені. Офіційна послідовна швидкість читання тепер становить 14.7 ГБ/с проти 13.5 ГБ/с у березні, а швидкість запису збільшилася до 13.4 ГБ/с з 11.5 ГБ/с. Також досягнуто виняткових показників випадкового читання – до 2,300k IOPS і випадкового запису – до 2,400k IOPS. Це значно випереджає SSD на базі Phison E26, особливо в плані випадкового IOPS. 

Але не все так райдужно. Максимальна стійкість накопичувача становить 1200 TBW для версії з 2 ТБ, що є стандартом для сучасних SSD, і дещо розчаровує, враховуючи, що тут використовується SK hynix 238-шарова 3D TLC NAND. Поки що найбільша доступна версія має об'єм 2 ТБ, але Platinum P51 також буде доступний у варіантах з 1 ТБ і 500 ГБ.

За результатами тестування південнокорейським апаратним сайтом Quasar Zone, накопичувач дійсно відповідає заявленим характеристикам, принаймні за результатами CrystalDiskMark.

Ціна поки не відома, тому нам доведеться почекати, щоб побачити, наскільки конкурентоспроможним буде цей накопичувач на вже перенасиченому ринку.

techpowerup.com
Павлик Олександр

PNY запускає SSD CS2150 з підтримкою Microsoft DirectStorage

PNY оголосила про додавання до свого асортименту твердотілих накопичувачів нового SSD CS2150 M.2 NVMe PCIe Gen 5 x4. Він використовує інтерфейс NVMe PCIe Gen 5 x4 для досягнення високих швидкостей передачі даних. Максимальні швидкості послідовного читання складають до 10 300 МБ/с, а запису - до 8 600 МБ/с, що значно підвищує продуктивність обчислень. Цей SSD ідеально підходить для професіоналів, технічних ентузіастів, творців контенту та всіх, хто потребує високопродуктивного зберігання даних. 

SSD CS2150 використовує можливості Microsoft DirectStorage, що прискорює завантаження ігор і покращує якість зображення.

Основні характеристики:

• Високі швидкості передачі даних: До 10 300 МБ/с для читання і до 8 600 МБ/с для запису.
• Продуктивність: Швидкі швидкості читання та запису, знижений час завантаження.
• Захист даних: Підтримка TCG Opal 2.0 для апаратного шифрування та безпеки зберігання даних.
• Надійність: Висока зносостійкість з п'ятирічною обмеженою гарантією або TBW.

Технічні характеристики:

• Інтерфейс: PCIe Gen 5 (NVMe Gen 5 x4)
• Швидкість: до 10 300 МБ/с (читання) і до 8 600 МБ/с (запис)
• Місткість: 1 ТБ, 2 ТБ
• Формфактор: M.2 2280
• Гарантія: 5 років

PNY CS2150 M.2 NVMe PCIe Gen 5 x4 SSD буде доступний з грудня 2024 року. Орієнтовні ціни:

• 1 ТБ: 109,99 долара США
• 2 ТБ: 199,99 долара США

techpowerup.com
Павлик Олександр

Samsung представить 400-шарову флешпам'ять 3D NAND у лютому

19 лютого на конференції IEEE International Solid-State Circuits Conference 2025 інженери Samsung анонсують нову 400-шарову 3D NAND пам'ять, якої наразі не має жоден виробник у світі. У документі зазначено, що майбутня пам'ять Samsung матиме понад 400 шарів. Виробництво здійснюватиметься з використанням технології WF-Bonding, яка спрощує випуск багатошарових мікросхем.

На сьогодні найбільша кількість шарів у пам'яті масово виробляється або є у вигляді зразків у компаній SK Hynix (321 шар), Samsung (286), Micron (276), Western Digital та Kioxia (218) і SK Hynix Solidigm (192). Western Digital, Kioxia та YMTC також працюють над створенням 300-шарової пам'яті, яку планують представити наступного року. Основна конкуренція відбувається між SK Hynix та Samsung, які прагнуть досягти межі у 400 шарів і більше.

Новий 400-шаровий чіп Samsung матиме об'єм 1 Тбіт з щільністю 28 Гбіт/мм². Кожна клітинка зберігатиме по три біти даних. Швидкість обміну даними досягатиме 5,6 Гбіт/с, що на 75% більше у порівнянні з актуальними чіпами пам'яті Samsung 9-го покоління (400-шарова пам'ять буде належати до 10-го покоління V-NAND Samsung). Така пам'ять буде підходити для виготовлення SSD з шиною PCIe 5.0 та PCIe 6.0.

Більш щільна пам'ять Samsung може стимулювати виробників випускати SSD об'ємом 256 ТБ або навіть 512 ТБ. Можливо, це станеться через рік або два. Чекаємо на лютневу доповідь і чіткі позиції керівництва Samsung щодо виробництва нової пам'яті.

blocksandfiles.com
Павлик Олександр