Комп'ютерні новини
Накопичувачі
8-терабайтний SSD від Samsung у новому форм-факторі NF1
Компанія Samsung першою у світі представила твердотілий накопичувач у форматі NF1 (він же NGSFF) загальною ємністю 8 ТБ. Новинка побудована на базі 16 3-бітних фірмових чипів V-NAND обсягом 512 ГБ кожен. Розміри моделі Samsung 8 ТБ NF1 NVMe SSD складають всього 30,5 х 110 мм. У порівнянні з більш звичними рішеннями формату M.2 22110 (22 х 110 мм) ми отримуємо подвійне збільшення в обсязі.
Крім підвищення загальної ємності, Samsung 8 ТБ NF1 NVMe SSD може похвалитися підтримкою протоколу NVMe 1.3 і інтерфейсу PCIe 4.0. У результаті послідовна швидкість читання досягає 3100 МБ/с, а записи - 2000 МБ/с. Швидкість довільних операцій читання складає 500 000 IOPS, а записи - 50 000 IOPS. Чималу роль у досягненні таких високих швидкісних показників зіграла наявність 12 ГБ LPDDR4-пам'яті.
Показник витривалості накопичувача Samsung 8 ТБ NF1 NVMe SSD знаходиться на рівні 1,3 записи в день (DWPD). Це означає, що компанія гарантує запис всіх 8 ТБ даних 1,3 рази в день протягом трирічного гарантійного терміну. Вартість новинки і дата початку продажів поки не повідомляється.
https://press.samsung.ua
Сергій Буділовський
MSI показала карту розширення для чотирьох M.2-накопичувачів з кулером від відеокарти
Усе більше користувачів замислюється про перехід на M.2-накопичувачі завдяки їх високим швидкісним характеристикам. Але іноді це пов'язано з фізичними обмеженнями, наприклад, відсутністю відповідного слоту на материнській платі. Іншим неприємним моментом для дуже швидких M.2-моделей є перегрів у процесі роботи, що призводить до автоматичного зниження швидкісних характеристик.
Виходом зі сформованої ситуації може стати нова карта розширення від компанії MSI. На перший погляд, вона нагадує відеокарту серії MSI AERO, кулер якої має алюмінієвий радіатор і один осьовий вентилятор. Під ним ховаються чотири слоти M.2, кожен з яких може працювати в режимі PCIe x4. При цьому SATA-накопичувачі не підтримуються, а саму карту розширення необхідно встановлювати в повноцінний слот PCI Express x16 для коректної роботи всіх внутрішніх пристроїв.
Кулер може відводити до 50 Вт теплової потужності при роботі в номінальному режимі. Якщо цього недостатньо, то слід підключити до карти додатковий 6-контактний конектор PCIe для підвищення швидкості роботи вентилятора. У такому випадку вже можна розраховувати на відведення до 75 Вт тепла. Терміни виходу цієї карти від MSI на ринок і її вартість поки не повідомляються.
https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський
Зовнішній накопичувач Seagate Game Drive for Xbox SSD для ігрової консолі
Спеціально для ігрової консолі Xbox One X був розроблений і представлений зовнішній твердотілий накопичувач Seagate Game Drive for Xbox SSD. Про його технічні характеристики відомо не багато. Розміри новинки складають 113,5 х 76 х 9,6 мм, а всередині ховаються не вказані мікросхеми флеш-пам'яті об'ємом 500 ГБ, 1 ТБ або 2 ТБ, якого вистачить для зберігання 15+, 25+ і 50+ ігор відповідно.
Максимальна продуктивність новинок заявлена на рівні 540 МБ/с, а для підключення використовується інтерфейс USB 3.0. Новинки надійдуть у продаж з наступними цінами:
- $150 (500 ГБ)
- $300 (1 ТБ)
- $600 (2 ТБ)
http://www.guru3d.com
https://www.seagate.com
Сергій Буділовський
Доступна серія NVMe-накопичувачів Toshiba RC100
NVMe SSD привертають увагу багатьох користувачів завдяки компактному форм-фактору і високим швидкісним характеристикам. Компанія Toshiba вирішила порадувати користувачів випуском порівняно доступних, дуже компактних і швидких накопичувачів серії Toshiba RC100.
Вони виготовлені в форматі M.2 2242-S3-BM з використанням 64-шарових мікросхем Toshiba 3D BiCS TLC, фірмового контролера і двох ліній PCIe 3.0. Обсяг новинок складає 120, 240 і 480 ГБ. Швидкісні показники також залежать від ємності. Для більшої наочності ми звели їх в одну таблицю:
Обсяг, ГБ |
120 |
240 |
480 |
Максимальна швидкість послідовного читання / запису, МБ/с |
1350 / 700 |
1600 / 1050 |
1600 / 1100 |
Максимальна швидкість довільного читання / запису (4KiB, QD32), IOPS |
80 000 / 95 000 |
130 000 / 110 000 |
150 000 / 110 000 |
Показник TBW (Total Bytes Written), ТБ |
60 |
120 |
240 |
Робоче навантаження, ГБ/день |
55 |
110 |
219 |
Орієнтовна вартість, € / $ |
49 / 54 |
69 / 74 |
129 / 134 |
Також новинки можуть похвалитися низьким енергоспоживанням (3,2 Вт в активному режимі і 5 мВт у режимі очікування), підтримкою специфікації NVM Express Revision 1.2.1 і можливістю використання корисної утиліти SSD Utility.
https://www.techpowerup.com
http://www.guru3d.com
https://ssd.toshiba-memory.com
Сергій Буділовський
Computex 2018: M.2-накопичувач ADATA XPG SX7100 з підтримкою інтерфейсу PCIe 3.0 x4
Користувачі все частіше віддають перевагу NVMe M.2-накопичувачам за їх високий рівень продуктивності. У боротьбі за покупця виробники намагаються наситити цей сегмент ринку моделями з різних цінових позиціонувань і рівнем продуктивності.
У рамках виставки Computex 2018 компанія ADATA представила одну з таких новинок - ADATA XPG SX7100, яка займе проміжний сегмент між доступнішими M.2-накопичувачами з інтерфейсом PCIe 3.0 x2 і більш дорогими і швидкими моделями з PCIe 3.0 x4. Цей SSD поєднує у своїй структурі 10-нм мікросхеми 3D TLC NAND другого покоління, контролер Realtek RTS5760 і інтерфейс PCIe 3.0 x4. Також він підтримує актуальні стандарти NVMe 1.3 і HMB.
ADATA XPG SX7100 представлений у різних за обсягом версіях: 120, 240, 480, 960 і 1920 ГБ. Максимальна послідовна швидкість читання у нього складе 2100 МБ/с, а записи - 1500 МБ/с, що істотно вище, ніж аналогічні показники його попередника - ADATA XPG SX7000 (1800/850 МБ/с відповідно). Вартість новинки і дата початку продажів поки не повідомляється.
https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський
Зовнішній накопичувач Seagate VR Power Drive з вбудованим акумулятором
Партнерство компаній Seagate і HTC у сфері віртуальної реальності привело до створення нового зовнішнього накопичувача - Seagate VR Power Drive, який стане відмінним доповненням до самодостатнього VR-шолому HTC VIVE FOCUS.
Новинка доступна в єдиному варіанті об'ємом 1000 ГБ. В якості зовнішнього інтерфейсу використовується порт USB Micro-B, а в комплект постачання входить кабель USB Micro-B ↔ USB Type-C. До того ж він зручно і надійно кріпиться за периметром корпусу накопичувача, тому буде завжди під рукою.
Додатково Seagate VR Power Drive оснащений акумулятором ємністю 5000 мА·год. Він не тільки забезпечує коректну роботу внутрішнього диска, але також може використовуватися для підзарядки батареї VR-шолома, щоб продовжити час занурення у віртуальну реальність. Для моніторингу заряду акумулятора на корпусі накопичувача розташовані чотири світлодіоди.
Шолом HTC VIVE FOCUS
Вартість Seagate VR Power Drive і дата надходження до продажу поки не повідомляються.
https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський
Micron 5210 ION SSD - перші твердотілі накопичувачі з пам'яттю QLC NAND
SSD усе частіше вторгаються на територію, раніше займану виключно жорсткими дисками. Чергову вилазку з метою відтіснити конкурента зробила компанія Micron, представивши першу в галузі модель з пам'яттю Quad-level Cell (QLC) NAND - Micron 5210 ION SSD. Завдяки можливості запису чотирьох біт інформації в кожному осередку, QLC забезпечує на 33% більш високу щільність запису інформації, досягаючи показника в 1 Тбіт/ядро за умови використання 64-шарової структури 3D NAND. Тому Micron 5210 ION першочергово націлений на використання у промисловому і корпоративному сегменті. Він підійде для потреб хмарних серверів, систем AI, Big Data, баз даних тощо.
Новинка створена у звичному 2,5-дюймовому форм-факторі (7 мм) з інтерфейсом SATA 6 Гбіт/с і буде доступна в обсязі від 1,92 до 7,68 ТБ. Оскільки перехід з TLC на QLC призводить до подальшого падіння швидкості запису і показника витривалості, то Micron розробила унікальну технологію Flex Capacity. Вона дозволяє вручну налаштувати витривалість і продуктивність запису в тих завданнях, в яких є висока частка операцій запису, хоча переважають операції читання. Більш конкретні подробиці цієї технології або швидкісні показники Micron 5210 ION SSD не повідомляються. Ціна також поки тримається в секреті.
https://www.anandtech.com
http://investors.micron.com
Сергій Буділовський
Зростаючий попит на SSD може призупинити падіння цін, а DRAM знову дорожчає
Цікаву аналітичну інформацію надав авторитетний тайванський IT-ресурс. З листопада 2017 року по кінець першого кварталу 2018 року ціни на SSD впали приблизно на 50%. Однак у другому кварталі помічено уповільнення цієї тенденції: зниження складе близько 10% у порівнянні з попереднім кварталом. Більш того, зростаючий попит з боку виробників твердотілих накопичувачів може ще більше сповільнити зниження вартості або зовсім зупинити його у третьому кварталі.
Справа в тому, що багато ODM-компанії почнуть масове виробництво PCIe NVMe SSD саме у третьому кварталі, адже користувачі все активніше переходять з традиційних SATA на більш швидкі PCIe-варіанти. Відповідно, є ймовірність нестачі NAND флеш-пам'яті для покриття всього попиту. Але в цілому аналітики прогнозують подальше падіння цін на твердотілі накопичувачі, навіть незважаючи на ситуацію у третьому кварталі.
А ось стан справ у сегменті оперативної пам'яті поки не радує споживачів: ціни продовжують рости через істотне перевищення попиту над пропозицією DRAM-чіпів. Подібна ситуація триватиме і у третьому кварталі, тому на швидке падіння цін модулів ОЗП розраховувати не доводиться.
https://www.digitimes.com
Сергій Буділовський
Показати ще