SK hynix запустить тотальне розширення фабрик пам'яті DRAM, щоб подолати дефіцит

Попри те що SK hynix вже розподілила всю виробничу квоту на пам'ять на 2026 рік за попередніми замовленнями, вона вживатиме рішучих заходів для усунення дефіциту, як повідомляє видання The Chosun Daily.

У наступному році SK hynix планує модернізувати лінії випуску пам'яті на всіх своїх підприємствах, а також шукатиме додаткові площі для розміщення обладнання для виробництва DRAM.

Головні плани SK hynix щодо розширення потужностей:

• Передове підприємство M15x зосередиться на випуску HBM (High Bandwidth Memory), і його потужності розширюються в першу чергу.
• На підприємстві M14 будуть модернізовані лінії з випуску пам'яті DDR.
• На фабриках M16, M8 та M10 вона займеться оптимізацією використання доступних площ для розміщення додаткового обладнання.

За оцінками аналітиків, наступного року попит на DRAM (включаючи HBM) зросте на 18%. Через це SK hynix прискорює план зі збільшення обсягів випуску цих мікросхем, який спочатку передбачав приріст з 70 000 до 100 000 щомісячно оброблюваних кремнієвих пластин. Ба більше, деякі джерела очікують, що на підприємствах SK hynix з виробництва NAND буде проведено переоснащення, що дозволить виділити частину потужностей під випуск DRAM. Шосте покоління 10-нм техпроцесу також відіграє в цій експансії певну роль.

biz.chosun.com
Павлик Олександр

Samsung розпочала тестування пам'яті GDDR7 зі швидкістю 36 Гбіт/с та місткістю 3 ГБ

Samsung розпочала випробування своєї найшвидшої пам'яті GDDR7, що працює на швидкості 36 Гбіт/с. З місткістю 24 Гбіт/с на чип це забезпечує загальну місткість 3 ГБ на модуль, готову для наступного покоління відеокарт.

Південнокорейська компанія також виробляє 3-гігабайтні модулі зі швидкістю 28,0 Гбіт/с і вже запустила їх у масове виробництво. Це перше підтвердження масового виробництва 3-гігабайтних модулів, які є рідкістю.

Також проходять випробування модулі GDDR7 середнього класу з пропускною здатністю 28 Гбіт/с. Швидші модулі з пропускною здатністю 32 та 36 Гбіт/с, ймовірно, будуть використовуватися у професійних картах, таких як лінійка Pro-Viz від NVIDIA.

Наприклад, графічний процесор NVIDIA RTX PRO 6000 "Blackwell" вже містить модулі на 3 ГБ. Нещодавно NVIDIA оновила графічний процесор RTX PRO 5000 "Blackwell", збільшивши його обсяг пам'яті до 72 ГБ GDDR7 ECC замість 48 ГБ. Це оновлення також використовує 24 модулі, що підтверджує місткість 3 ГБ на модуль.

Це важливо для NVIDIA, оскільки компанія, як повідомляється, ще не надала партнерам остаточні специфікації карт RTX 50 SUPER. Станом на листопад жоден партнер не отримав деталей дизайну, що може свідчити про очікування остаточного вибору модулів GDDR7. Спочатку NVIDIA планувала оновлення в середині життєвого циклу на кінець першого — початок другого кварталу 2026 року. Раніше передбачалося, що три нові моделі, ймовірно RTX 5070 SUPER, RTX 5070 Ti SUPER та RTX 5080 SUPER, замінять наявні, причому всі три карти матимуть на 50% більше пам'яті, ніж їхні аналоги без SUPER.

techpowerup.com
Павлик Олександр

Китайська CXMT представила пам'ять DDR5-8000 та LPDDR5X-10667

Китайська CXMT (Changxin Memory Technologies) продемонструвала свої перші модулі пам'яті DDR5-8000 та LPDDR5X-10667 на Китайській міжнародній виставці напівпровідників 2025 року. Ця продукція відповідає пропозиціям світових виробників пам'яті.

Пам'ять DDR5 від CXMT працює зі швидкістю 8000 МТ/с, тоді як пам'ять LPDDR5X досягає 10 667 МТ/с.

Ці модулі пам'яті доступні в місткостях LPDDR5X 12 Гбіт/с та 16 Гбіт/с. Модулі DDR5 масштабуються до форматів 16 Гбіт/с та 24 Гбіт/с. Пізніше вони упаковуються у різні формфактори для корпоративних серверів (RDIMM, MRDIMM, TFF MRDIMM), настільних комп'ютерів (UDIMM), ноутбуків (SODIMM) та високоякісних розгінних пристроїв (CUDIMM та CSODIMM).

У січні 2025 року були ідентифіковані нові 16-нм мікросхеми DRAM від CXMT у модулях Gloway DDR-6000 UDIMM. Ці 16-гігабітні мікросхеми DDR5 мають площу 67 квадратних міліметрів та щільність 0,239 Гбіт/с на квадратний міліметр. Комірки DRAM G4 на 20 відсотків менші, ніж у попереднього покоління G3 від CXMT. Ця розробка є результатом переходу компанії від 23-нм (G1) до 18-нм (G2) вузлів. Однак, попри цей прогрес, CXMT все ще приблизно на три роки відстає від Samsung, SK Hynix та Micron у виробничих можливостях, тому не очікуйте, що глобальний дефіцит DRAM буде вирішена найближчим часом.

techpowerup.com
Павлик Олександр

Samsung перерозподіляє виробництво NAND на DRAM на корейських заводах

Samsung готує значні зміни у своїй виробничій стратегії пам'яті. Це рішення обумовлене постійним зростанням попиту на DRAM, який стимулюється розвитком глобальної інфраструктури штучного інтелекту.

Згідно з корейськими галузевими звітами, компанія планує перевести частину своїх ліній флешпам'яті NAND у Пхьонтеку та Хвасоні на виробництво DRAM. Крім того, її майбутня фабрика Pyeongtaek Fab 4 (P4) буде запущена як лінія, виключно орієнтована на DRAM, використовуючи новітній процес 1c від Samsung.

Джерела в галузі зазначають, що Samsung стала обережною щодо ринку NAND, тоді як попит на стандартну DRAM різко зріс. Ціни швидко зростають; деякі клієнти серверів пропонують на 70% вищі ціни за модулі DDR5 об'ємом 96 ГБ та 128 ГБ, але все ще відчувають дефіцит постачання. Великі технологічні компанії очікують, що дефіцит триватиме роками, і вже ведуть переговори про розподіл DRAM на 2027 рік.

Наразі Samsung виробляє як DRAM, так і NAND на заводах Pyeongtaek Fab 1, Pyeongtaek Fab 3 та у своєму кампусі Хвасон. Гібридні лінії на заводах P1 та Хвасон будуть більше орієнтовані на DRAM, оскільки обладнання NAND буде поступово виводитися з експлуатації. Fab 4, яка зараз знаходиться на завершальній стадії будівництва, наступного року стартує як спеціалізована лінія 1c DRAM. Samsung також розглядає можливість використання другої зони P4, спочатку запланованої для ливарного виробництва, також для DRAM. Після впровадження змін очікується, що виробництво DRAM на заводах P1 та Fab 4 значно зросте вже у першій половині наступного року. Скорочення виробництва NAND у Кореї буде компенсовано збільшенням виробництва на заводі Samsung у Сіані, Китай.

techpowerup.com
Павлик Олександр

Samsung підвищила ціни на чипи пам'яті до 60% через обмежену пропозицію

За повідомленнями, Samsung підвищила ціни на низку модулів пам'яті DDR5 на величину до 60% цього місяця.

Це різке зростання відбувається на тлі скорочення пропозиції, спричиненого глобальним бумом будівництва центрів обробки даних зі ШІ.

Підвищення цін сталося після незвичайного кроку Samsung щодо відкладення жовтневого контрактного ціноутворення, яке компанія зазвичай встановлює щомісяця. Різке зростання цін на DDR5 серверного класу створює додатковий тиск на виробників оригінального обладнання (OEM), які вже відчувають дефіцит комплектуючих.

Президент Fusion Worldwide Тобі Гоннерман повідомив Reuters, що багато великих виробників серверів «тепер визнають, що вони не отримають достатньо продукції», а преміальні ціни досягли «екстремального» рівня.

Нещодавнє контрактне ціноутворення демонструє, наскільки швидко зростали витрати. Наприклад, ціна на модуль DDR5 від Samsung на 32 ГБ зросла зі 149 доларів США у вересні до 239 доларів у листопаді. Компанія також підвищила ціни на модулі DDR5 на 16 ГБ та 128 ГБ приблизно на 50%, до 135 доларів та 1194 доларів відповідно. Ціни на модулі на 64 ГБ та 96 ГБ зросли більш ніж на 30%, повідомили джерела.

Цей дефіцит спричинив панічні покупки у деяких клієнтів і порушує попит на інші напівпровідникові компоненти. Міжнародна корпорація з виробництва напівпровідників (SMIC) заявила, що щільний ринок DDR5 змусив покупців утримуватися від замовлень на додаткові типи чіпів, тоді як Xiaomi попередила, що зростання цін на пам'ять призводить до збільшення виробничих витрат смартфонів.

Поточний дефіцит перетворюється на значну перевагу для Samsung. Хоча компанія все ще відстає від конкурентів у сфері передових процесорів штучного інтелекту, її підрозділ пам'яті тепер має сильніший ціновий важіль, ніж SK Hynix та Micron. TrendForce очікує, що контрактні ціни Samsung зростуть на 40-50% у четвертому кварталі, що вище за прогнозоване зростання приблизно на 30% для ширшого ринку, завдяки високому попиту та довгостроковим угодам про постачання, які діють до 2026 та 2027 років.

techpowerup.com
Павлик Олександр

Пам'ять Patriot Viper Xtreme 5 DDR5 досягає рекорду швидкості 13 211 МТ/с

Patriot Memory оголосила про значне досягнення своєї флагманської пам'яті Viper Xtreme 5 DDR5 DRAM, яка офіційно встановила новий світовий рекорд частоти пам'яті, вперше в історії подолавши бар'єр у 13 200 МТ/с.

Професійний оверклокер Ai Max у співпраці з експертом з налаштування Браяном, також відомим як "Chew", досяг підтвердженої швидкості 6605,7 МГц (13 211,4 МТ/с). Для встановлення рекорду було використано пам'ять Patriot Viper Xtreme 5 DDR5, процесор Intel Core Ultra 7 265K та материнську плату GIGABYTE Z890 AORUS Tachyon Ice в умовах охолодження рідким азотом. Цей бал тепер посідає перше місце у світі на HWBOT.org, що підкреслює інженерний досвід Patriot та її невпинне прагнення розширювати межі продуктивності.

Ця віха закріплює за Viper Xtreme 5 статус найшвидшої пам'яті DDR5 у світі, демонструючи неперевершену цілісність сигналу, стабільність та можливості на екстремальних частотах. Кожен компонент серії Xtreme 5 — від компонування друкованої плати до бінінгу мікросхем — був розроблений для забезпечення елітної продуктивності розгону як для ентузіастів-спортсменів, так і для професіоналів.

Пам'ять серії Patriot Viper Xtreme 5 DDR5 вже доступна в широкому діапазоні швидкостей та місткостей через авторизованих дистриб'юторів та провідних інтернет-магазинів по всьому світу.

techpowerup.com
Павлик Олександр

ADATA та MSI створили унікальну пам'ять DDR5: до 128 ГБ на одному модулі

ADATA Technology, відомий виробник пам'яті, у партнерстві з провідним виробником материнських плат MSI представив революційний модуль пам'яті. 

Йдеться про ADATA High Capacity DDR5 4-Rank CUDIMM — перший у світі модуль, який вміщує цілих 128 ГБ. Цей модуль подвоює стандартну місткість і відкриває нову еру високопродуктивної пам'яті для настільних комп'ютерів, особливо для тих, що базуються на платформі Intel Z890.

Секрет такого виняткового обсягу полягає в інноваційній архітектурі 4-Rank, яка дозволяє розмістити вдвічі більше чипів порівняно з традиційними модулями. Це ідеальне рішення для тих, хто працює з великими масивами даних або потребує значних обсягів пам'яті. Модуль зберігає високу швидкість та стабільність, забезпечуючи відмінну ефективність передачі даних.

ADATA підтвердила, що її 128-гігабайтовий модуль успішно інтегрований і протестований на нових материнських платах MSI Z890. Тестування показало відмінну сумісність і стабільну роботу на швидкості 5600 МТ/с. Завдяки цій технології, користувачі, чиї материнські плати мають лише два слоти DIMM, зможуть встановити до 256 ГБ загальної пам'яті.

Така конфігурація потрібна не лише геймерам-ентузіастам, які вимагають максимальної продуктивності. Вона особливо цінна для професіоналів, які займаються створенням контенту, розробкою штучного інтелекту (ШІ) та інженерними обчисленнями. Велика пам'ять дозволяє ефективно виконувати складні завдання, як-от точне налаштування моделей ШІ, редагування великомасштабного 8K-відео та аналіз даних – і все це безпосередньо на комп'ютері, без залучення хмарних сервісів. Це забезпечує плавнішу роботу та розширює можливості для креативності та продуктивності нового покоління.

techpowerup.com
Павлик Олександр

XPG представила ігрову пам'ять NOVAKEY, що отримала нагороду CES за новаторський дизайн

XPG, ігровий бренд ADATA Technology, оголосила, що її ігрова пам'ять NOVAKEY RGB DDR5 (проєкт INFINITY) отримала найвищу нагороду CES 2026 "Найкраща інновація".

Ця нагорода, обрана з тисяч заявок, відзначила дизайн та інженерну майстерність XPG.

Дизайн Infinity Mirror

NOVAKEY стала першою у світі ігровою пам'яттю з дизайном підсвічування Infinity Mirror. Команда XPG інтегрувала Infinity Mirror у радіатор, що створює тунелеподібне візуальне зображення, яке розкриває різну глибину блискучих деталей під різними кутами огляду. Дизайн використовує фірмові діагональні вирізи XPG та мінімальні геометричні контури. Матова чорна металева верхня панель простягається вздовж світлової панелі.

Продуктивність та екологічність

Пам'ять NOVAKEY поєднує високу продуктивність із дизайном, орієнтованим на ESG (екологічні, соціальні та управлінські стандарти).

• Продуктивність: Модулі пропонують швидкість до 8000 МТ/с та місткість до 32 ГБ на модуль. NOVAKEY повністю сумісна з профілями Intel XMP 3.0 та AMD EXPO, забезпечуючи стабільність для хардкорних ігор та робочих навантажень.
• Екологічність: Радіатор виготовлений з 50% переробленого алюмінію та 85% PCR (перероблених матеріалів після споживання). Упаковка продукту сертифікована FSC.

Пам'ять NOVAKEY підтверджує зобов'язання XPG поєднувати екстремальну продуктивність із принципами сталого розвитку та дизайнерськими інноваціями.

techpowerup.com
Павлик Олександр