Kepler Computing розробляє сегнетоелектричну пам'ять для подолання дефіциту пам'яті

Американський стартап Kepler Computing вийшов з режиму секретності та оголосив про розробку принципово нового типу пам'яті на основі сегнетоелектричних матеріалів.

Технологія позиціонується як альтернатива HBM для систем штучного інтелекту, що здатна наблизитися до пропускної здатності на ват рівня SRAM і при цьому перевищити місткість SRAM та HBM до десяти разів. Головною перевагою проєкту є відсутність потреби у передовому EUV-літографічному обладнанні.

Виробництво нових мікросхем планується розгорнути шляхом модернізації вже існуючих фабрик, що випускають кремній за 28-нм техпроцесом. Переоснащення підприємств займе близько восьми місяців, що значно дешевше та швидше порівняно з будівництвом нових ліній для розливів DRAM чи HBM. На реалізацію цієї ініціативи стартап уже залучив 468 мільйонів доларів США інвестицій.

Перші тестові зразки чипів Kepler розраховує випустити вже цього року, а масове виробництво на потужностях GlobalFoundries у Сінгапурі стартує у 2027 році. До 2028 року компанія планує розширити випуск на території США. Якщо технологія підтвердить свою ефективність, це допоможе знизити навантаження на ринок традиційної оперативної пам'яті та пом'якшити глобальний дефіцит.

overclock3d.net
Павлик Олександр

G.Skill випустила флагманську оперативну пам'ять Trident Z5 Royal NeoX з підтримкою AMD EXPO-ULL

G.Skill анонсувала нову флагманську серію оперативної пам'яті Trident Z5 Royal NeoX DDR5, оптимізовану для платформи AMD.

Ключовою особливістю новинки стала підтримка профілів розгону AMD EXPO Ultra Low Latency, які оптимізують не лише первинні, а й вторинні та третинні затримки для досягнення мінімальної латентності.

Серія представлена комплектами стандартного обсягу 32 ГБ (2×16 ГБ) із частотою DDR5-6000. В залежності від модифікації затримки становлять від CL36 до екстремально низьких CL26.

Зовні модулі зберегли впізнаваний дизайн Royal з дзеркальним золотистим або сріблястим радіатором та кристалічною світлодіодною смугою RGB.

techpowerup.com
Павлик Олександр

SK hynix збільшує виробництво передової 1c DRAM

SK hynix активно переводить свої фабрики на новітній техпроцес 1c DRAM.

Завдяки швидким темпам модернізації вже до кінця року частка нової пам'яті у виробництві перевищить третину. Це дозволить випередити головних конкурентів у особі Samsung та Micron, які наразі утримують лідерство за обсягами випуску цього покоління.

Нова технологія забезпечує вищу щільність та покращену енергоефективність. Вона стане основою для випуску оперативної пам'яті наступного покоління, зокрема HBM4E для систем штучного інтелекту, а також LPDDR6 та DDR5.

У майбутньому, через фізичні обмеження класичних мікросхем, планується перехід на вертикальні транзистори та об'ємне компонування 3D DRAM.

techpowerup.com 
Павлик Олександр

CXMT подвоїть потужності з випуску пам'яті, але наздогнати Samsung та SK Hynix їй не вдасться

Найбільший китайський виробник DRAM, компанія CXMT, планує до 2028 року подвоїти свої виробничі потужності з 300 тисяч до 600 тисяч кремнієвих пластин на місяць.

Для фінансування розширення компанія провела IPO на майже 10 мільярдів доларів США. У цей же період Samsung Electronics та SK Hynix сумарно додадуть ще близько 600 тисяч пластин на місяць, що лише збільшить відрив Південної Кореї.

За даними Bank of Korea, номінальні цифри не відображають реального стану справ через низький вихід придатних чипів та санкційні обмеження США на постачання обладнання. Маючи близько 15% від світових виробничих потужностей, CXMT забезпечує лише 8% фактичних поставок DRAM, орієнтуючись переважно на внутрішній ринок. У сегменті передових технологій Південна Корея збереже перевагу, хоча в довгостроковій перспективі зміцнення китайського ланцюжка постачання створюватиме тиск на ринок.

techpowerup.com
Павлик Олександр

CXMT захопила 10% світового ринку DRAM

Частка CXMT на світовому ринку оперативності досягла 10% за підсумками другого кварталу.  

Стрімке зростання зумовлене тим, що трійка найбільших гравців перенаправила потужності на випуск HBM для прискорювачів ШІ, утворивши дефіцит стандартних мікросхем.

Основний обсяг постачань припадає на пам'ять DDR5 та LPDDR5X. Вихід придатних кристалів на 17-нм техпроцесі перевищив 90%, що дозволило наростити відвантаження для серверів Alibaba та смартфонів Xiaomi.

Завдяки масштабній державній підтримці та залученню інвестицій CXMT активно нарощує випуск чипів і готується до масового виробництва власної пам'яті HBM3.

techpowerup.com
Павлик Олександр

SK Hynix прогнозує дефіцит пам'яті до 2030 року

Генеральний директор SK Hynix Квак Но Чжон заявив, що поточна нестача чипів пам'яті триватиме щонайменше до кінця 2030 року, відсунувши попередні оцінки щодо стабілізації ринку в 2028 році.

Головною причиною є стрімке зростання попиту на спеціалізовані рішення для систем штучного інтелекту, зокрема HBM та кастомні конфігурації DRAM, через що ринок поступово виходить із традиційного циклу біржових коливань цін.  

Для споживчого сектору це означає збереження високих цін на RAM та SSD для ПК, відеокарт і консолей упродовж більшої частини поточного десятиліття.

techpowerup.com
Павлик Олександр

Дефіцит оперативної пам'яті збільшив виручку китайського виробника CXMT майже у 10 разів

Китайський виробник оперативної пам'яті CXMT, відзвітував про зростання виручки в першому півріччі майже у 10 разів — до 150,31 млрд юанів, що становить близько 22,4 млрд доларів США. 

Чистий прибуток компанії досяг 77,61 млрд юанів — приблизно 11,6 млрд доларів США, тоді як за аналогічний період минулого року виробник зазнав збитків у розмірі 2,33 млрд юанів.

Стрімке зростання фінансових показників зумовлене світовим дефіцитом DRAM та зростанням цін на пам'ять через підвищений попит з боку сектора ШІ.

Оскільки провідні світові виробники перенаправили значні потужності на випуск пам'яті HBM для ШІ-прискорювачів, на ринку виник брак класичної оперативної пам'яті DDR4, DDR5 та LPDDR. CXMT скористалася цією кон'юнктурою, збільшивши обсяги постачань стандартної DRAM, і вже посіла четверте місце на світовому ринку з часткою близько 7%.

Наразі компанія готує до масового виробництва пам'ять LPDDR6 та розробляє власні рішення HBM.

bloomberg.com
Павлик Олександр

CXMT перейшла на технологію HKMG для переходу до техпроцесу 1a DRAM та нарощування потужностей

Китайський виробник пам'яті CXMT впровадив технологію High-k Metal Gate (HKMG) у транзистори своєї DRAM-пам'яті, замінивши діелектрик із діоксиду кремнію на матеріал на основі оксиду гафнію.

Нововведення застосовано в техпроцесі G4 (клас 1z nm) та чипах LPDDR5X для запобігання витокам струму та підвищення енергоефективності, що усуває головне технічне обмеження для переходу до більш просунутої норми 1a та подальшого розроблення 15-нм технології G5. Одночасно компанія перебуває на стадії ризикового виробництва пам'яті HBM2E за 18-нм техпроцесом G3.

Паралельно CXMT масштабує обсяги випуску кремнієвих пластин: до кінця поточного року обсяг виробництва зросте до 300 тисяч пластин на місяць, а будівництво нових фабрик у Шанхаї та Хефей дозволить збільшити показник до 600 тисяч. Згідно з довгостроковим планом розширення, до 2031 року сукупна потужність компанії має досягти 800 тисяч пластин на місяць.

wccftech.com
Павлик Олександр