PNY представила швидкий флешнакопичувач DUO LINK V3 USB 3.2 Gen 2

PNY розширює свою лінійку OTG-флешнакопичувачів, анонсувавши модель DUO LINK V3 USB 3.2 Gen 2 Type-C та Type-A. Цей високопродуктивний накопичувач, що поєднує великий обсяг пам'яті з елегантним матово-чорним поворотним дизайном, ідеально підходить для професіоналів та активних користувачів, які потребують максимальної універсальності та швидкості.

DUO LINK V3 розроблений з використанням новітньої технології USB 3.2 Gen 2, забезпечуючи надзвичайні швидкості: до 1000 МБ/с для читання та до 800 МБ/с для запису. Це робить його до 50 разів швидшим, ніж стандартні флешнакопичувачі USB 2.0, дозволяючи миттєво передавати великі файли. Це ідеальне рішення для просунутих користувачів та найвимогливіших застосунків.

З місткістю до 2 ТБ, DUO LINK V3 надає достатньо місця для зберігання різноманітного контенту, включаючи професійну графіку, відео, музику та ігрові файли. Накопичувач виготовлений з високоякісних компонентів, має міцний та елегантний металевий корпус зі зручною петлею для ключів, що забезпечує довговічність та легкість перенесення, гарантуючи безпеку ваших даних.

Завдяки інтелектуальному поворотному дизайну з роз'ємами Type-A та Type-C, DUO LINK V3 забезпечує максимальну сумісність з широким спектром пристроїв. Це дозволяє безперешкодно передавати файли з мобільних пристроїв Type-C на повнорозмірні пристрої Type-A, такі як ноутбуки та настільні комп'ютери, для постійного зберігання. DUO LINK V3 є зручним рішенням для тих, хто постійно працює у дорозі, пропонуючи зручність без компромісів.

Технічні характеристики та ціни

Флешнакопичувач PNY DUO LINK V3 пропонується в місткостях 256 ГБ, 512 ГБ, 1 ТБ та 2 ТБ. Він оснащений двома інтерфейсами: USB 3.2 Gen 2 Type-C та USB 3.2 Gen 2 Type-A. Заявлена швидкість читання становить до 1000 МБ/с, а швидкість запису – до 800 МБ/с, що робить його до 265 разів швидшим за стандартний USB 2.0. Пристрій сумісний з мобільними пристроями Android та Apple з інтерфейсом Type-C, комп'ютерами Type-C, а також іншими повнорозмірними пристроями USB-A. Він підтримує USB 3.2 Gen 2 і зворотно сумісний з більшістю хост-пристроїв USB 3.2 Gen 1/USB 3.0 та USB 2.0.

Флешнакопичувачі PNY DUO LINK V3 OTG вже доступні за рекомендованими роздрібними цінами:

• 256 ГБ: 34,99 долара США
• 512 ГБ: 49,99 долара США
• 1 ТБ: 81,99 долара США
• 2 ТБ: 159,99 долара США

Придбати їх можна на сайті PNY.com або Amazon.com.

techpowerup.com
Павлик Олександр

Kioxia представила плани щодо ультрапродуктивного SSD на 10+ мільйонів IOPS

Kioxia оголосила свою середньо- та довгострокову стратегію зростання, значну частину якої займає розробка передових SSD-технологій для збільшення частки ринку.

Найамбітніший проєкт компанії – це проривний твердотілий накопичувач, який поєднає їхню пам'ять XL-FLASH з абсолютно новою архітектурою контролера.

"Ми беремо наші надшвидкі чипи пам'яті XL-Flash, які використовують однорівневі комірки, і поєднуємо їх з абсолютно новим контролером", — пояснив представник компанії. "Ця комбінація має забезпечити нам безпрецедентну продуктивність для невеликих операцій з даними. Ми цілимося на понад 10 мільйонів IOPS і плануємо мати зразки готовими до другої половини 2026 року".

Компанія також тісно співпрацює з провідними виробниками графічних процесорів для оптимізації продуктивності в додатках зі штучним інтелектом та інтенсивною графікою.

Поточні розробки та майбутні плани

Тим часом Kioxia активно випускає своє поточне покоління SSD, побудованих на технології BiCS FLASH 8-го покоління. Серія CM9 орієнтована на системи штучного інтелекту, яким потрібні як висока швидкість, так і надійна стабільність для максимального використання дорогих графічних процесорів. З іншого боку, серія LC9 зосереджена на величезній місткості зберігання, досягаючи 122 терабайт на накопичувач для таких завдань, як великомасштабні бази даних, що живлять системи висновку ШІ.

Сама технологія BiCS FLASH 8-го покоління є значним кроком вперед, інтегруючи технологію CBA для досягнення кращої швидкості та енергоефективності, ніж попередні покоління. Kioxia нарощує виробництво цих чипів, які використовуються як у високопродуктивних SSD, так і в смартфонах з підтримкою ШІ.

Заглядаючи вперед, компанія застосовує два підходи до розробки майбутньої флешпам'яті. Один шлях зосереджений на традиційному методі нарощування більшої кількості шарів для створення вищої місткості та продуктивності, що приведе до таких продуктів, як BiCS FLASH 10-го покоління. Інший шлях наголошує на BiCS FLASH 9-го покоління, який максимально використовує переваги технології CBA, поєднуючи перевірені конструкції комірок з передовою технологією CMOS, безпосередньо зв'язаною з масивом, забезпечуючи високу продуктивність при збереженні контрольованих витрат на розробку.

techpowerup.com
Павлик Олександр

Реінкарнація Optane: InnoGrit представила SSD на чипах 3D XL-Flash з рекордною швидкістю 3,5 млн IOPS

InnoGrit представила твердотілий накопичувач N3X, який позиціонується як наступник технології Intel Optane. Цей SSD, оснащений контролером InnoGrit Tacoma IG5669 та другим поколінням постійної пам'яті XL-Flash, працює в режимі SLC та вражає рекордно низькими затримками та високою продуктивністю, досягаючи 3,5 млн IOPS.

Накопичувач InnoGrit N3X призначений для корпоративних робочих навантажень, що критично залежать від затримок пам'яті та вимагають максимальної надійності. Контролер IG5669 відповідає протоколу NVMe 2.0 та підтримує інтерфейс PCIe 5.0 x4. N3X забезпечує стабільну швидкість послідовного читання до 14 Гбайт/с та послідовного запису до 12 Гбайт/с. Однак справжньою зіркою є продуктивність у випадкових операціях: до 3,5 млн IOPS при випадковому читанні та 700 тис. IOPS при випадковому записі.

Ключовою особливістю InnoGrit N3X, що виділяє його на тлі звичайних і навіть інших корпоративних SSD, є рекордно низький рівень затримки. Затримка при читанні становить менш як 13 мкс, що значно краще порівняно зі звичайними SSD на чипах 3D TLC NAND, де затримка сягає 50–100 мкс. Затримка при записі у новинки складає всього 4 мкс (проти 200–400 мкс у 3D TLC NAND).

Ці показники роблять InnoGrit N3X особливо корисним для таких застосувань, як кешування, обчислення для AI, виміри в оперативній пам'яті та аналітика в реальному часі, де кожна мікросекунда має значення.

Накопичувач InnoGrit N3X пропонує об'єми від 400 Гбайт до 3,2 Тбайт (у конфігураціях від 32 до 256 мікросхем пам'яті). Рейтинг довговічності також вражає: 50 DWPD (повних циклів перезапису на день) протягом 5 років. Це значно перевищує стандартні рівні довговічності корпоративних твердотілих накопичувачів на базі NAND, роблячи його ідеальним для завдань з інтенсивним використанням запису, таких як кешування та передача даних, де довговічність і стабільна продуктивність мають вирішальне значення.

InnoGrit вважає, що її партнери могли б створювати SSD на базі чипів пам'яті XL-Flash та контролера IG5669 у формфакторах U.2 або E3.S для серверів, а також у форматах карт розширення для настільних робочих станцій та високопродуктивних ПК.

XL-Flash від Kioxia — це високопродуктивна технологія NAND, розроблена для подолання розриву в затримках між DRAM та звичайною флешпам'яттю. Це робить її життєздатним рішенням як постійна пам'ять для корпоративних завдань, що вимагають високої швидкості відгуку, порівнянної з DRAM. У другому поколінні XL-Flash компанія Kioxia подвоїла щільність коштом використання архітектури MLC (багаторівнева комірка), дозволивши збільшити місткість кристала пам'яті зі 128 Гбіт до 256 Гбіт. Однак InnoGrit вважає, що таку пам'ять має сенс використовувати в конфігурації SLC для ще вищої продуктивності, оскільки саме це найбільше потрібно користувачам подібних накопичувачів.

Спочатку Kioxia позиціонувала XL-Flash як конкурента знятої з виробництва пам'яті Optane від Intel. Тепер можна з упевненістю сказати, що XL-Flash дійсно приходить на зміну Optane, пропонуючи передові можливості для вимогливих корпоративних середовищ.

tomshardware.com
Павлик Олександр

Samsung припиняє виробництво MLC NAND

Samsung, один з лідерів ринку флешпам'яті, припиняє виробництво MLC NAND (Multi-Level Cell) та зосереджується на сучасніших технологіях зберігання даних з вищою щільністю. Це рішення зумовлене економічним тиском та бажанням підвищити ефективність виробництва, оскільки частка MLC NAND на ринку значно зменшилася.

Флешпам'ять MLC, яка зберігає два біти інформації на комірку, раніше вважалася хорошим компромісом між довговічністю та обсягом. Однак зараз вона стала нішевим продуктом. За прогнозами, до 2026 року частка MLC NAND становитиме лише кілька відсотків на ринку. Більшість ринку тепер займають трирівневі (TLC) та чотирирівневі (QLC) флешпам'яті, які можуть зберігати три або чотири біти на комірку відповідно, що робить їх більш економічно вигідними у виробництві.

Наразі Samsung використовує свої чіпи MLC NAND переважно в модулях пам'яті eMMC, які знаходять застосування в промисловості та автомобільній галузі. Там вища довговічність MLC є важливою перевагою. Подібні модулі також використовувалися в OLED-телевізорах LG.

Проте, через припинення виробництва, клієнтам, які покладаються на MLC, незабаром доведеться шукати альтернативи. Samsung прийматиме замовлення на чіпи MLC лише до кінця червня 2025 року. Коли саме почнеться остаточне припинення виробництва, наразі невідомо.

Повідомляється, що Samsung вже деякий час тому інформувала деяких своїх клієнтів про підвищення цін на MLC NAND. Це спонукало великих замовників, таких як LG Display, шукати нових постачальників. Окрім Samsung, на ринку MLC NAND присутні такі компанії, як ESMT та Kioxia. Kioxia використовує власні чіпи MLC у своїх продуктах eMMC, тоді як ESMT раніше покладалася на MLC NAND від Samsung.

Рішення Samsung вийти з бізнесу MLC не стало несподіванкою, оскільки повідомлення про такі плани з'являлися ще в листопаді 2024 року. Цей крок дозволяє компанії повністю зосередитися на сучасних рішеннях для зберігання даних, які забезпечують нижчу вартість за біт та кращу масштабованість.

hardwareluxx.de
Павлик Олександр

Patriot Memory представила нові SSD-накопичувачі Viper: PV593 та PV563 без DRAM

Patriot Memory продемонструвала кілька нових SSD на виставці Computex 2025 у Тайбеї. Серед них — Viper Gaming PV593, PV563 DRAM-less PCIe Gen 5 SSD та майбутній PV573.

Модель PV563 позиціонується як один з перших DRAM-less PCIe Gen 5 x4 SSD та, ймовірно, перший у світі DRAM-less SSD, який досягає продуктивності читання до 14 000 МБ/с. За даними Patriot, PV563 досягає послідовної продуктивності до 14 000 МБ/с для читання та 11 500 МБ/с для запису. Patriot PV563 буде доступною місткістю 1 ТБ, 2 ТБ та 4 ТБ і використовуватиме контролер MAP1806 від Maxiotek. Завдяки такій продуктивності та відсутності кешу DRAM, він може стати одним з найшвидших та найдоступніших SSD-накопичувачів на ринку на момент запуску.

Patriot PV593 — це версія вищого класу з кешем DRAM. Вона використовує 6-нм контролер SMI SM2508 та буде доступна у версіях ємністю 1 ТБ, 2 ТБ та 4 ТБ. PV593 має таку ж продуктивність послідовного читання до 14 000 МБ/с, але значно вищу продуктивність запису — до 13 000 МБ/с. Продуктивність випадкового читання 4K становить до 2 000 тисяч IOPS.

Patriot також планує випустити SSD PV573, який, за заявами, займатиме проміжне положення за продуктивністю між цими двома моделями. Детальніші подробиці щодо PV573 поки не розголошуються.

techpowerup.com
Павлик Олександр

Kioxia продемонструвала прототип SSD-накопичувача Gen 5 зі швидкістю понад 14 ГБ/с

На виставці Computex 2025 компанія Kioxia активно демонструвала свої новітні розробки у сфері твердотілих накопичувачів, орієнтовані як на споживчий, так і на корпоративний сегменти. Було представлено кілька рішень, що охоплюють різні покоління інтерфейсів PCIe та формфактори.

Прототип Exceria PRO G2 M.2 NVMe Gen 5

У центрі уваги стенда Kioxia був прототип SSD-накопичувача Exceria PRO G2 M.2 NVMe наступного покоління, призначений для ентузіастів ПК. Цей накопичувач, що перебуває на стадії розробки, використовує інтерфейс PCI-Express Gen 5. Особливою відзнакою стала заявлена послідовна швидкість читання понад 14 ГБ/с, що виводить його на один рівень з найпродуктивнішими SSD Gen 5 на ринку. Така висока швидкість передачі даних критично важлива для ресурсомістких завдань, таких як завантаження великих ігор, робота з 4K/8K відео та обробка об'ємних файлів. Накопичувач планується випускати у місткостях 1 ТБ, 2 ТБ та 4 ТБ, задовольняючи потреби користувачів у великому та швидкому сховищі.

Корпоративні рішення CM9

Окрім споживчих моделей, Kioxia також представила свою лінійку корпоративних накопичувачів CM9. Ці SSD розроблені для вимогливих робочих навантажень у дата-центрах та серверах. Вони були показані у формфакторах U.2 NVMe Gen 5 x4 та E3.S, що є ключовими для сучасних серверних інфраструктур, пропонуючи високу щільність зберігання даних та ефективне охолодження. Корпоративні накопичувачі CM9 забезпечують високу продуктивність та надійність, необхідні для безперебійної роботи критично важливих систем.

Exceria Gen 4 NVMe для PlayStation 5

Особливе місце у демонстрації Kioxia зайняв SSD-накопичувач Exceria Gen 4 NVMe, спеціально розроблений для консолі PlayStation 5. Цей накопичувач пропонує послідовну швидкість до 6,2 ГБ/с, що повністю відповідає вимогам Sony до розширення пам'яті консолі. Крім того, він оснащений інтегрованим радіатором, що є критично важливим для забезпечення оптимального температурного режиму всередині компактного корпусу PS5 та запобігання термічному тротлінгу під час тривалих ігрових сесій. Це рішення дозволяє геймерам легко розширити внутрішнє сховище консолі, зберігаючи при цьому швидкість завантаження ігор та плавність ігрового процесу.

techpowerup.com
Павлик Олександр

Silicon Motion представила швидкісний контролер SSD без DRAM

На виставці Computex 2025 компанія Silicon Motion продемонструвала свої новітні продукти для контролерів SSD та флешнакопичувачів.

Головною подією став новий SM2504XT, клієнтський контролер SSD NVMe без DRAM. Він побудований за 6-нм технологічним процесом TSMC, споживає лише 2,4 Вт в активному режимі та 1 мВт у режимі очікування. Контролер має 4 канали флешпам'яті з 16 елементами керування, кожен зі швидкістю передачі даних до 3600 МТ/с. Він підтримує типи флешпам'яті NAND 3D TLC та 3D QLC від популярних постачальників.

Було показано референсний SSD на базі SM2504XT, який пропонує максимальну швидкість послідовного читання 11,5 ГБ/с та максимальну швидкість послідовного запису 11 ГБ/с. Також він демонструє до 1,7 мільйона випадкових операцій IOPS при 4K-зчитуванні та до 2 мільйонів випадкових операцій IOPS при 4K-запису.

6

Далі йде контролер SSD-накопичувачів корпоративного класу SM8366. Він розроблений для хост-інтерфейсу PCI-Express Gen 5 x4 у популярних формфакторах, таких як U.2, E1.S та E3.S, включаючи деякі накопичувачі надзвичайної місткості. Демонстраційний накопичувач, представлений на стенді Silicon Motion, мав компоненти флешпам'яті NAND, розташовані на двох друкованих платах, з'єднаних між собою стрічковим кабелем. Контролер включає кеш-пам'ять DRAM та захист від втрати живлення на основі конденсаторів. Цей контролер демонстрував послідовну швидкість читання 14710 МБ/с з QD128 та послідовний запис 3444 МБ/с з QD128, а також 3 мільйони IOPS при випадковому читанні 4K з QD512.

techpowerup.com
Павлик Олександр

Phison продемонструвала контролер E28 Gen 5 зі швидкістю до 15 Гбіт/с

На виставці Computex 2025 Phison продемонструвала свій новітній клієнтський контролер M.2 NVMe Gen 5 серії E28. Еталонний накопичувач Phison на базі E28, що включає рішення для редрайверів та ретаймерів PCIe, майже досяг позначки 15 ГБ/с для послідовного читання.

Бенчмарк у реальному часі за допомогою CDM показав послідовне читання на рівні 14942,85 МБ/с та послідовний запис на рівні 14149,47 МБ/с. Ці показники послідовного читання та запису є найвищими в галузі для цього формфактора.

Також був продемонстрований новий контролер E31T DRAMless та еталонні накопичувачі у формфакторах M.2-2242 та M.2-2230. Phison заявляє, що перші накопичувачі з новітнім контролером E28 очікуються на ринку найближчими тижнями.

techpowerup.com
Павлик Олександр