Samsung розпочала масове виробництво 10-нм 16-гігабітних чіпів LPDDR4X-пам'яті

Компанія Samsung першою у світі почала масове виробництво другого покоління 10-нм (1y-nm) 16-гігабітних чіпів LPDDR4X. На відміну від мікросхем першого покоління (1x-nm 16Gb LPDDR4X), новинки можуть похвалитися аналогічною швидкістю передачі даних (4266 Мбіт/с), але при зниженні енергоспоживання на 10%. Завдяки цьому зменшується навантаження на акумулятор.

Компанія Samsung уже встигла помістити чотири нових чіпа в єдиний корпус для подальшого використання у складі нових смартфонів і планшетів. Вийшла 8-гігабайтна мікросхема LPDDR4X з пропускною спроможністю 34,1 ГБ/с. При цьому її товщина на 20% нижча, ніж в аналогічній конструкції, створеної на основі чіпів першого покоління.

Очікується, що нові мікросхеми LPDDR4X-пам'яті від Samsung на базі 16-гігабітних чіпів другого покоління з'являться в нових флагманських мобільних пристроях, які дебютують у кінці цього року або на початку 2019-го.

https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Samsung першою представила 8-гігабітні чіпи LPDDR5

Поки десктопні процесори активно освоюють DDR4-пам'ять, компанія Samsung переводить мобільні пристрої і автомобільну промисловість на стандарт LPDDR5. Корейський гігант першим у світі представив 8-гігабітні чіпи LPDDR5, створені на базі 10-нм технології.

До продажу надійдуть два варіанти. Перший може похвалитися пропускною спроможністю 6400 Мбіт/с (швидкість передачі досягає 51,2 ГБ/с при 64-бітної шині) при робочій напрузі 1,1 В, а другий - 5500 Мбіт с (44 ГБ/с) при 1,05 В. Для порівняння нагадаємо, що максимальна пропускна здатність актуальних чіпів LPDDR4X не перевищує 4266 Мбіт/с (34,1 ГБ/с). Тобто новинки на 29-50% швидша.

Додатково чіпи ОЗП Samsung 8Gb LPDDR5 характеризуються низкою оптимізацій. Наприклад, вони можуть знижувати напругу в залежності від актуальної робочої частоти. А в разі активації режиму глибокого сну (Deep Sleep Mode) їх енергоспоживання не перевищує половини того, що використовує LDDR4X у режимі очікування. У результаті цих та інших поліпшень споживання енергії новими чіпами знизилося на 30%, що дозволить зменшити навантаження на акумулятор і продовжити час автономної роботи мобільних пристроїв.

На даний момент Samsung разом із партнерами завершила функціональне тестування та затвердження прототипу 8-гігабайтної мікросхеми LDDR5, що складається з восьми 8-гігабітних чіпів, і вже планує її масове виробництво. Таким чином, у наступному поколінні смартфонів ми обов'язково побачимо моделі з 8 ГБ LDDR5-пам'яті на борту.

https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Китайські компанії підозрюються у крадіжці інтелектуальної власності Samsung і SK Hynix

Першою про промислове шпигунство і спробах крадіжки інтелектуальної власності у сфері створення DRAM-пам'яті заявила компанія Micron, за що у відповідь отримала судовий позов про порушення патентних прав. Тепер же корейське видання Korea Times заявляє, що аналогічні спроби здійснювалися китайськими компаніями і щодо двох інших гігантів цього ринку - Samsung і SK Hynix. Самі вони від коментарів відмовилися.

Справа в тому, що вся ця інтелектуальна власність зі створення і тестування чіпів напрацьовувалась компаніями протягом десятиліть, і вона необхідна для ефективного виробництва сучасних чіпів. Китайські ж компанії, за інформацією Korea Times, не бажають витрачати стільки часу і не хочуть піти легальним шляхом ліцензування відповідних технологій. Тому вони обрали третій шлях - промислового шпигунства.

До речі, компанія Micron таки вийшла з офіційною заявою з приводу судової заборони. Вона підтвердила, що дві її дочірні китайські компанії отримали попередній судову заборону на виробництво, продаж і імпорт певних DRAM-модулів фірмових брендів Crucial і Ballistix, а також SSD. Заборона поширюється лише на територію КНР. За розрахунками Micron, це призведе до 1%-ого падіння річної виручки і особливо не зашкодить фінансовому становищу компанії. Разом з тим Micron заявила, що вкрай розчарована судовим рішенням і переконана у своїй невинності, тому продовжить активний захист своїх прав і репутації.

https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Офіційний дебют пам'яті GIGABYTE AORUS RGB Memory 3200MHz

Уперше продемонстрований на виставці Computex 2018, комплект оперативної пам'яті GIGABYTE AORUS RGB Memory 3200MHz тепер уже представлений офіційно. Він уже відвантажується і незабаром надійде до продажу з довічною гарантією, хоча кінцева вартість поки не повідомляється.

Новинка складається з двох 8-гігабайтних модулів, побудованих на основі високоякісних мікросхем Samsung B-Die, які пройшли попереднє сортування і перевірку. У номінальному режимі GIGABYTE AORUS RGB Memory 3200MHz працює на частоті 2133 МГц з таймінгами 16-15-15-36 і напругою 1,2 В. Також у SPD записаний профіль Intel XMP 2.0, активація якого призводить до підвищення частоти до 3200 МГц при таймінгах 16 -18-18-38 і напрузі 1,35 В.

Для охолодження чіпів пам'яті використовується алюмінієвий радіатор, що складається з двох 2-мм пластин. Він збільшує загальну висоту планок до 39 мм. У верхню його частину вбудоване RGB LED-підсвічування з підтримкою 11 режимів роботи. Для налаштування і синхронізації ілюмінації можна використовувати фірмову утиліту RGB Fusion.

https://www.gigabyte.com
https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

У Китаї призупинено продаж DRAM і NAND-чипів Micron - чекаємо зростання цін?

Неприємна новина прийшла з Китаю, де народний суд міста Фучжоу (Fuzhou Intermediate People's Court) задовольнив вимоги позивача (тайванської компанії UMC) і видав попередню судову заборону на продаж у материковому Китаї 26 продуктів компанії Micron, включаючи як самі мікросхеми DRAM і NAND, так і продукти на їх основі. Про це повідомила UMC у своєму прес-релізі. Правда, копію постанови суду вона не показала, посилаючись на те, що судовий процес ще не закінчений. Своєю чергою представники Micron відмовилися від будь-яких коментарів до офіційного вручення їм судової заборони.

Історія протистояння Micron і UMC почалася ще в минулому році, коли американська компанія звинуватила тайваньскую у крадіжці інтелектуальної власності з виробництва чіпів пам'яті в інтересах китайської компанії Fujian Jinhua Integrated Circuit Co. Своєю чергою UMC подала в січні цього року позов до китайського суду про порушення патентних прав з боку Micron. Саме цей позов і був задоволений судом. В якості компенсації тайванська компанія вимагала не тільки заборони на продаж продукції Micron, але також заборону на виробництво і імпорт, знищення всіх складських запасів і виплату компенсації. Поки не ясно, чи задовольнив суд запити позивача в повному обсязі.

Аналітики припускають, що рішення китайського суду може бути продиктовано торговельною війною, що розгортається, між Китаєм і США. Як би там не було, якщо заборона на продаж дійсно існує, то це призведе до глобального зростання цін на оперативну пам'ять, твердотілі диски і навіть відеокарти, адже їх виробництво сконцентровано саме в Китаї, а Samsung і SK Hynix навряд чи зможуть оперативно перекрити зростаючий попит на чіпи пам'яті.

https://www.bloomberg.com
Сергій Буділовський

Micron почала масове виробництво GDDR6-пам'яті

Компанія Micron з гордістю повідомила про початок масового виробництва мікросхем GDDR6-пам'яті, які будуть використовуватися не тільки у складі відеокарт нового покоління, а й в інших сферах: ігрових консолях, мережевому обладнанні, автомобільної промисловості, криптографічних системах і при прискоренні роботи систем з AI або глибинним навчанням.

На даний момент Micron пропонує виробникам п'ять нових моделей мікросхем GDDR6-пам'яті і ще дві знаходяться на стадії тестового виробництва. Усі вони характеризуються однаковим об'ємом 8 Гбіт (1 ГБ). Найповільніші чіпи працюють на швидкості 10 - 12 Гбіт/с при напрузі 1,25 В, а більш швидкі підтримують швидкості від 12 до 14 Гбіт/с, але при напрузі 1,35 В.

Компанія вже відправила зразки нових мікросхем своїм партнерам для тестування в кінцевих пристроях, тому незабаром будуть з'являтися нові продукти із застосуванням GDDR6-пам'яті.

https://www.techpowerup.com
http://investors.micron.com
Сергій Буділовський

Samsung розпочала масове виробництво 64-гігабайтних модулів DDR4

Компанія Samsung з гордістю повідомила про початок масового виробництва перших в індустрії 64-гігабайтних модулів DDR4 RDIMM, побудованих на основі 16-гігабітних (2-гігабайтних) мікросхем, що працюють на тактовій частоті 2666 МГц. Новинки орієнтовані на використання в серверах і промислових системах.

Зокрема, сервер HPE ProLiant DL385 Gen10, що базується на процесорах лінійки AMD EPYC 7000, є першою в індустрії моделлю з сертифікованою підтримкою нових 64-гігабайтних модулів Samsung DDR4 RDIMM. Це дозволяє йому надавати в розпорядження користувача до 2 ТБ оперативної пам'яті при використанні двох процесорів.

Більш того, до кінця поточного року Samsung планує почати виробництво зразків 256-гігабайтних DIMM-модулів на базі аналогічних 16-гігабітних мікросхем. Це дозволить збільшити адресний простір у серверах до значних 8 ТБ.

https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Модуль пам'яті ADATA XPG SPECTRIX D80 RGB з охолодженням рідким азотом розігнаний до 5531 МГц

Тайпей, Тайвань - Компанія ADATA заявила про розгін модуля пам'яті XPG SPECTRIX D80 RGB DDR4 до частоти 5531 МГц в системі, охолоджувальної рідким азотом.

Дана планка була взята командою ADATA XPG разом з оверклокерами MSI. Пам'ять XPG SPECTRIX D80 RGB досягла позначки в 5531 МГц в системі, охолоджувальної рідким азотом, на платі MSI X299 GAMING PRO CARBON AC.

Результат підтверджений HWBot

XPG SPECTRIX D80 DDR4 RGB - це перший в світі модуль пам'яті RGB DDR4 з рідинним охолодженням. Настільки високих результатів вдалося досягти завдяки поєднанню рідинного охолодження, алюмінієвого радіатора і теплопровідних матеріалів плати.

В даний момент модулі доступні на стенді ADATA (I0608) на Computex Taipei.