Комп'ютерні новини
Оперативна пам’ять
У найближчі два роки на ринку з'являться чипи пам'яті GDDR7 ємністю 4 ГБ та 6 ГБ
Виробники пам'яті готують до випуску мікросхеми стандарту GDDR7 обсягом 4 ГБ та 6 ГБ, які суттєво розширять можливості конфігурації відеопам'яті у майбутніх поколіннях відеокарт.
Наразі у масових пристроях використовуються переважно чипи на 2 ГБ, тоді як чипи на 3 ГБ застосовуються лише у деяких специфічних рішеннях.
Поява мікросхем ємністю 4 ГБ дозволить створювати графічні адаптери з 16 ГБ відеобуфера за використання лише чотирьох чипи на 128-бітній шині, а вісім таких чипів забезпечать 32 ГБ пам'яті на 256-бітній шині. Своєю чергою, чипи на 6 ГБ знайдуть застосування у продуктивних та професійних рішеннях, дозволяючи набрати більший обсяг пам'яті з меншою кількістю мікросхем на платі.
videocardz.com
Павлик Олександр
Samsung віддає виробництво пам'яті DDR5 стороннім підрядникам заради чипів HBM
Samsung вирішила передати випуск готових модулів оперативної пам'яті DDR5 стороннім партнерам, щоб звільнити власні фабричні площі та ресурси.
Компанія переорієнтовує свої заводи в Чхонані та Онъяні на випуск складнішої і значно прибутковішої пам'яті HBM та інших передових компонентів для систем ШІ.
Через брак вільних місць для розширення традиційного конвеєра пам'яті на власних підприємствах, виготовлення готових модулів DDR5 повністю перекладається на плечі профільних азійських підрядників.
До числа головних партнерів увійшли кілька компаній: Dreamtech вже організувала масовий випуск таких модулів на заводах в Індії, Hanyang Digitech займається виробництвом пам'яті у В'єтнамі, а SFA Semicon задіяла для цього потужності на Філіппінах.
Постійне посилання на новинуIntel та SK Hynix можуть розпочати виробництво оперативної пам'яті DRAM у США
Intel та південнокорейський гігант SK Hynix розглядають можливість створення спільного підприємства для локалізації виробництва оперативної пам'яті на території США.
У межах потенційної співпраці SK Hynix планує орендувати або придбати виробничі потужності Intel у штаті Нью-Мексико, де раніше випускалася енергонезалежна пам'ять 3D XPoint.
Головною метою партнерства стане розгортання виробничих ліній для випуску пам'яті стандарту DDR5, а також високошвидкісних мікросхем HBM, необхідних для прискорювачів ШІ. Окрім цього, SK Hynix розглядає використання фабрики Intel Fab 42 в Аризоні для завершальних етапів тестування та пакування напівпровідникових кристалів.
Запуск власного випуску DRAM у Північній Америці дозволить обом партнерам суттєво зменшити залежність від азійських виробничих майданчиків та скористатися фінансовими субсидіями в межах американської державної програми підтримки напівпровідникової галузі.
Рекомендовані обсяги інвестицій та детальні терміни реалізації проєкту партнери оголосять після завершення офіційних переговорів.
techpowerup.com
Павлик Олександр
Patriot та ASUS ROG представили комплект оперативної пам'яті Viper Steel 5 Infinite RGB DDR5-7600
Patriot Memory у співпраці з геймерським брендом ASUS Republic of Gamers розробила спеціальне видання оперативної пам'яті Viper Steel 5 Infinite RGB DDR5-7600.
Комплект розроблений для ентузіастів та оверклокерів, які прагнуть отримати максимальну продуктивність на сучасних материнських платах ASUS ROG.
Модулі отримали масивні алюмінієві радіатори з унікальним дизайном у стилі ROG, дзеркальним покриттям та вбудованим підсвічуванням Infinite RGB, яке підтримує повну синхронізацію з екосистемою ASUS Aura Sync. Пам'ять функціонує на ефективній частоті 7600 МТ/с із таймінгами CL36 та підтримує профілі автоматичного розгону Intel XMP 3.0 і AMD EXPO для швидкого налаштування у BIOS.
Для забезпечення стабільної роботи при високих навантаженнях застосовано 10-шарову друковану плату та відібрані вручну чипи пам'яті. Новинка постачатиметься у вигляді двоканальних комплектів загальним обсягом 32 ГБ (2 x 16 ГБ) та 64 ГБ (2 x 32 ГБ).
Рекомендовану вартість та терміни виходу комплекту Viper Steel 5 Infinite RGB у продаж виробниця оголосить найближчим часом.
Постійне посилання на новинуKepler Computing розробляє сегнетоелектричну пам'ять для подолання дефіциту пам'яті
Американський стартап Kepler Computing вийшов з режиму секретності та оголосив про розробку принципово нового типу пам'яті на основі сегнетоелектричних матеріалів.
Технологія позиціонується як альтернатива HBM для систем штучного інтелекту, що здатна наблизитися до пропускної здатності на ват рівня SRAM і при цьому перевищити місткість SRAM та HBM до десяти разів. Головною перевагою проєкту є відсутність потреби у передовому EUV-літографічному обладнанні.
Виробництво нових мікросхем планується розгорнути шляхом модернізації вже існуючих фабрик, що випускають кремній за 28-нм техпроцесом. Переоснащення підприємств займе близько восьми місяців, що значно дешевше та швидше порівняно з будівництвом нових ліній для розливів DRAM чи HBM. На реалізацію цієї ініціативи стартап уже залучив 468 мільйонів доларів США інвестицій.
Перші тестові зразки чипів Kepler розраховує випустити вже цього року, а масове виробництво на потужностях GlobalFoundries у Сінгапурі стартує у 2027 році. До 2028 року компанія планує розширити випуск на території США. Якщо технологія підтвердить свою ефективність, це допоможе знизити навантаження на ринок традиційної оперативної пам'яті та пом'якшити глобальний дефіцит.
overclock3d.net
Павлик Олександр
G.Skill випустила флагманську оперативну пам'ять Trident Z5 Royal NeoX з підтримкою AMD EXPO-ULL
G.Skill анонсувала нову флагманську серію оперативної пам'яті Trident Z5 Royal NeoX DDR5, оптимізовану для платформи AMD.
Ключовою особливістю новинки стала підтримка профілів розгону AMD EXPO Ultra Low Latency, які оптимізують не лише первинні, а й вторинні та третинні затримки для досягнення мінімальної латентності.
Серія представлена комплектами стандартного обсягу 32 ГБ (2×16 ГБ) із частотою DDR5-6000. В залежності від модифікації затримки становлять від CL36 до екстремально низьких CL26.
Зовні модулі зберегли впізнаваний дизайн Royal з дзеркальним золотистим або сріблястим радіатором та кристалічною світлодіодною смугою RGB.
techpowerup.com
Павлик Олександр
SK hynix збільшує виробництво передової 1c DRAM
SK hynix активно переводить свої фабрики на новітній техпроцес 1c DRAM.
Завдяки швидким темпам модернізації вже до кінця року частка нової пам'яті у виробництві перевищить третину. Це дозволить випередити головних конкурентів у особі Samsung та Micron, які наразі утримують лідерство за обсягами випуску цього покоління.
Нова технологія забезпечує вищу щільність та покращену енергоефективність. Вона стане основою для випуску оперативної пам'яті наступного покоління, зокрема HBM4E для систем штучного інтелекту, а також LPDDR6 та DDR5.
У майбутньому, через фізичні обмеження класичних мікросхем, планується перехід на вертикальні транзистори та об'ємне компонування 3D DRAM.
techpowerup.com
Павлик Олександр
CXMT подвоїть потужності з випуску пам'яті, але наздогнати Samsung та SK Hynix їй не вдасться
Найбільший китайський виробник DRAM, компанія CXMT, планує до 2028 року подвоїти свої виробничі потужності з 300 тисяч до 600 тисяч кремнієвих пластин на місяць.
Для фінансування розширення компанія провела IPO на майже 10 мільярдів доларів США. У цей же період Samsung Electronics та SK Hynix сумарно додадуть ще близько 600 тисяч пластин на місяць, що лише збільшить відрив Південної Кореї.
За даними Bank of Korea, номінальні цифри не відображають реального стану справ через низький вихід придатних чипів та санкційні обмеження США на постачання обладнання. Маючи близько 15% від світових виробничих потужностей, CXMT забезпечує лише 8% фактичних поставок DRAM, орієнтуючись переважно на внутрішній ринок. У сегменті передових технологій Південна Корея збереже перевагу, хоча в довгостроковій перспективі зміцнення китайського ланцюжка постачання створюватиме тиск на ринок.
techpowerup.com
Павлик Олександр
Показати ще
