SK hynix почне виробництво пам'яті DDR5 цього року

Компанія SK hynix поділилася цікавою інформацією щодо пам'яті DDR5, і її переваг над DDR4. Вона буде більш продуктивною, ємною, енергоефективною і дешевою. Для досягнення цього є всі передумови.

По-перше, DDR5 зможе використовувати структуру з 32 банками, створену на базі восьми груп. Це в 2 рази перевищує можливості DDR4 (максимум 16 банків на базі чотирьох груп), що дозволяє подвоїти швидкість доступу до даних.

По-друге, довжина пакетів (Burst Length, BL) в DDR5 збільшується з 8 до 16. По-третє, пам'ять DDR4 не може виконувати інші операції під час оновлення таймінгів, а DDR5 може завдяки функції Same Bank Refresh. По-четверте, стандарт DDR5 збільшує швидкість на контакт за рахунок інтеграції мікросхеми Decision Feedback Equalization (DFE), яка підвищує цілісність сигналу при роботі з великою кількістю каналів і модулів DIMM.

Список переваг і особливостей мікросхем DDR5 компанії SK hynix можна продовжити позиціями:

• зниження робочої напруги з 1,2 до 1,1 В;
• використання в самих мікросхемах алгоритмів Error Correction Code (ECC) і Error Check And Scrub (ECS);
• збільшення пропускної спроможності з 1600 - 3200 Мбіт/с (DDR4) до 3200 - 8400 Мбіт/с (DDR5);
• збільшення ємності самих мікросхем із максимум 16 Гбіт (DDR4) до 64 Гбіт (DDR5).

Згідно з аналізом компанії International Data Corporation (IDC), попит на пам'ять DDR5 почне рости починаючи з 2020 року. До кінця 2021 року цей стандарт займе 22% ринку, а у 2022 його частка зросте до 43%. SK hynix планує захищати свої лідерські позиції, і спочатку запропонує покупцям 16-гігабітні чіпи DDR5, створені на базі 10-нм технології. Пізніше з'являться і інші варіанти за обсягом і швидкості.

https://www.techpowerup.com
https://news.skhynix.com
Сергій Буділовський

DDR5 з'явиться зі швидкістю 4800 МТ/с

Компанія Cadence навряд чи відома багатьом користувачам. Вона не має своїх фабрик і не представлена ​​на масовому ринку. Cadence сконцентрувала свою діяльність в сфері розробки продуктів інтелектуальної власності (IP), дизайну мікросхем і інструментів для верифікації.

В офіційному блозі експерт компанії Cadence повідомив нові подробиці про пам'ять DDR5. Початкова її швидкість складе 4800 МТ/s (мегатранзакцій за секунду). Це навіть більше, ніж у представленого в 2018 році зразка модуля стандарту DDR5-4400 (4400 MT/s), підготовленого спільними зусиллями Cadence і Micron. Потім протягом 12 місяців ми побачимо ще більш продуктивні рішення.

Однак головна мета DDR5 полягає не в швидкості, а в обсязі. Новий стандарт передбачає використання більш ємних ядер пам'яті. Початковий їх обсяг складе 24 Гбіт, а пізніше він збільшиться до 32 Гбіт. Це дозволить створювати модулі загальним обсягом 256 ГБ, із затримкою доступу до кожного байту нижче за 100 нс. Йдеться про дуже ємні і швидкі планки з низькими затримками.

Компанія Cadence отримала безліч замовлень на свої 7-нм IP. Їх виробництво почнеться в цьому році. Тобто вже з цього року стандарт DDR5 почне підкорять ринок.

https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Серії ОЗП TEAMGROUP T-FORCE VULCAN Z і DARK Z отримали 32-гігабайтні модулі

Компанія TEAMGROUP порадувала вимогливих користувачів анонсом 32-гігабайтних модулів в ігрових серіях T-FORCE VULCAN Z і T-FORCE DARK Z. Вони будуть доступні в якості окремих планок і в складі двоканальних наборів загальним об'ємом 64 ГБ.

Серія TEAMGROUP T-FORCE VULCAN Z пропонує їх з тактовою частотою DDR4-2666 і DDR4-3000. А в серії TEAMGROUP T-FORCE DARK Z 32-гігабайтні комплекти доступні виключно з частотою DDR4-3000. В обох випадках модулі пам'яті отримали алюмінієві радіатори і профіль O.C. для швидкого і комфортного розгону. У процесі виробництва вони проходять суворе і ретельне тестування на надійність роботи і сумісність з популярними платформами AMD і Intel.

Зведена таблиця технічної специфікації оперативної пам'яті серій TEAMGROUP T-FORCE VULCAN Z і DARK Z:

https://www.teamgroupinc.com
Сергій Буділовський

Новий 256-гігабайтний комплект G.SKILL Trident Z Neo DDR4-3600 для платформи Socket sTRX4

Компанія G.SKILL із гордістю представила новий набір оперативної пам'яті в серії Trident Z Neo DDR4 загальним обсягом 256 ГБ (8 х 32 ГБ), частотою DDR4-3600, таймінгами 16-20-20 і робочою напругою 1,35 В. У першу чергу він призначений для платформи Socket sTRX4, а для тестування використовувалася материнська плата ASUS ROG ZENITH II EXTREME ALPHA і топовий процесор AMD Ryzen Threadripper 3990X.

Кожен модуль у складі цього комплекту створений на базі добірних 16-гігабітних мікросхем пам'яті. За їх ефективне охолодження відповідає стильний алюмінієвий радіатор із барвистим LED-підсвічуванням, яке можна синхронізувати з популярними технологіями (ASUS Aura Sync, ASRock Polychrome Sync, GIGABYTE RGB Fusion 2.0, MSI Mystic Light Sync). Правда, він збільшує висоту модулів, тому перед покупкою слід переконатися у відсутності проблем із сумісністю з габаритними повітряними кулерами.

До продажу новий комплект G.SKILL Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 256 GB (32 GB x8) надійде в другому кварталі поточного року. Вартість не повідомляється.

https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Micron початку поставки першої в світі пам'яті LPDDR5 для високопродуктивних смартфонів

Компанія Micron Technology, Inc. з гордістю повідомила про початок постачань першої в світі пам'яті LPDDR5 для високопродуктивного смартфону Xiaomi Mi 10. Вона збільшує швидкість доступу до даних на 50% і покращує енергоефективність на 20% в порівнянні зі стандартом LPDDR4x. Крім того, нова пам'ять націлена і в інші сегменти, включаючи автомобільну промисловість, клієнтські PC і мережеві системи для 5G і AI.

На даний момент Micron поставляє своїм клієнтам пам'ять LPDDR5 об'ємом 6, 8 і 12 ГБ зі швидкістю 5,5 і 6,4 Гбіт/с. До кінця першої половини поточного року вона інтегрує нові мікросхеми в мультичіповий пакет uMCP5 для використання в смартфонах середнього і високого класу. Завдяки цьому підвищується пропускна здатність пам'яті і знижується навантаження на акумулятор. У результаті продуктивність окремих завдань (наприклад, обробка зображень) підвищується до рівня флагманських смартфонів.

https://www.techpowerup.com
https://www.micron.com
Сергій Буділовський

64-гігабайтний комплект ОЗП GIGABYTE DESIGNARE Memory DDR4-3200 із низькопрофільним радіатором

Серія DESIGNARE компанії GIGABYTE раніше зустрічалася в материнських платах, орієнтованих на творчих людей і творців контенту. Тепер компанія порадувала новим 64-гігабайтним (2 х 32 ГБ) набором оперативної пам'яті - GIGABYTE DESIGNARE Memory DDR4-3200.

Модулі отримали чорний текстоліт, високоякісну друковану плату і низькопрофільний сріблястий алюмінієвий радіатор. Загальна висота модулів становить стандартні 32 мм, тому вони будуть сумісні з більшістю габаритних систем охолодження.

За замовчуванням GIGABYTE DESIGNARE Memory DDR4-3200 працює в режимі DDR4-2666 з таймінгами 19-19-19-43 (Intel) або 20-19-19-43 (AMD). Але в XMP-профілі є режим DDR4-3200 з підвищенням напруги до 1,35 В. У специфікації на офіційному сайті його таймінги складають 16-18-18-38, але на сторінці підтримки вказані 18-19-19-39.

Вартість і дата початку продажів поки не повідомляються. Зведена таблиця технічної специфікації комплекту GIGABYTE DESIGNARE Memory DDR4-3200:

https://www.gigabyte.com
https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

G.SKILL анонсувала 32-гігабайтні модулі з ультранизьким таймінгами

Незабаром серії G.SKILL Trident Z RGB, Trident Z Royal і Trident Z Neo поповняться новими багатоканальними наборами загальним обсягом 256 ГБ (8 х 32 ГБ), 128 ГБ (4 х 32 ГБ) і 64 ГБ (2 х 32 ГБ). У всіх разах використовуються 32-гігабайтні модулі стандарту DDR4-3200 із ультранизьким таймінгами CL14-18-18-38. Самі вони створені на основі 16-гігабітних мікросхем пам'яті.

256-гігабайтні комплекти від G.SKILL націлені на HEDT-платформи Intel Core X 10-четвертого покоління (Cascade Lake-X) і AMD Ryzen Threadripper 3000. У свою чергу 128 і 64-гігабайтні набори серії G.SKILL Trident Z Neo відмінно впишуться до складу топових збірок на AMD X570 (Socket AM4).

Усі доступні новинки підтримують технологію Intel XMP 2.0 для більш зручного розгону і будуть доступні у продажу в першому кварталі 2020 року.

https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Ціни на оперативну пам'ять можуть вирости в другому кварталі 2020 року

Аналітичний підрозділ DRAMeXchange компанії TrendForce повідомила про зміну тенденції на ринку оперативної пам'яті - спотові ціни почали відновлюватися і ціни за контрактами на перший квартал 2020 року припинили своє падіння.

Зараз ситуація така: п'ять кварталів поспіль на ринку зберігався надлишок пам'яті, а це призводило до падіння цін. За прогнозами він повністю зникне не раніше середини 2020 року. Тому в сегменті оперативної пам'яті для ПК і мобільному ринку в першому кварталі 2020 року особливих змін не буде. Ціни навіть можуть трохи впасти. А ось на ринку серверної пам'яті ціни підуть вгору. Спочатку підвищаться контрактні ціни, а потім і роздрібні. У другому кварталі ця тенденція може торкнутися ринок ПК і мобільних пристроїв.

https://press.trendforce.com
Сергій Буділовський