Комп'ютерні новини
Оперативна пам’ять
64-гігабайтні набори оперативної пам'яті серії PATRIOT VIPER 4 BLACKOUT із частотою до 3600 МГц
Бренд VIPER GAMING компанії PATRIOT розширив лінійку високопродуктивної оперативної пам'яті PATRIOT VIPER 4 BLACKOUT двоканальними комплектами об'ємом 64 ГБ. Кожен з них складається з двох 32-гігабайтних модулів, створених на базі ретельно протестованих мікросхем і 10-шарової друкованої плати.
За їх ефективне охолодження відповідає стильний і строгий алюмінієвий радіатор без LED-підсвічування. Загальна висота модулів досягає 42,6 мм, що може викликати проблеми з сумісністю з дуже габаритними процесорними кулерами.
Новинки протестовані на сумісність з актуальними платформами AMD і Intel. Також вони підтримують автоматичний оверклокінг завдяки профілям XMP 2.0. До продажу вони надійшли з обмеженою довічною гарантією.
Зведена таблиця технічної специфікації 64-гігабайтних наборів серії PATRIOT VIPER 4 BLACKOUT:
Серія |
PATRIOT VIPER 4 BLACKOUT |
||
Тип |
DDR4 DIMM |
||
Обсяг, ГБ |
64 (2 х 32) |
||
Базова частота, МГц |
2133 |
||
Базові таймінги |
15-15-15-36 |
||
Протестована частота, МГц |
3000 |
3200 |
3600 |
Протестовані таймінги |
16-18-18-36 |
16-18-18-36 |
18-20-20-40 |
Протестована напруга, В |
1,35 |
||
Підтримка XMP 2.0 |
Є |
||
Розміри |
133 х 42,6 х 7,1 |
||
Орієнтовна вартість, $ |
284,99 |
289,99 |
309,99 |
https://www.techpowerup.com
https://viper.patriotmemory.com
Сергій Буділовський
AMD і Intel уже готуються перейти на стандарти DDR5 і PCIe 5.0
Лінійка десктопних процесорів AMD Ryzen 4000 на базі мікроархітектури Zen 3, яка дебютує в другій половині поточного року, стане останнім представником платформи Socket AM4. У 2021 року AMD анонсує нову лінійку CPU на базі Zen 4 під новий роз'єм, але вона буде доступна на ринку в 2022 році. Крім того, вона принесе з собою підтримку пам'яті DDR5 і інтерфейсу PCIe 5.0.
Intel зі свого боку також готується перейти на нові стандарти. Більш того, саме вона може першою інтегрувати підтримку DDR5 у свої серверні 10-нм процесори лінійки Intel Xeon Sapphire Rapids. Їх дебют очікується в 2021 році.
Перехід на новий стандарт форсують і виробники самих чіпів оперативної пам'яті. Наприклад, SK hynix уже в цьому році почне виробництво мікросхем DDR5 з ефективною швидкістю 4800 МГц. Пізніше на ринку з'являться моделі з частотою до 8400 МГц.
https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський
ADATA XPG SPECTRIX D50 DDR4 RGB - ємна, швидка і красива оперативна пам'ять
Компанія ADATA представила нову серію оперативної пам'яті - XPG SPECTRIX D50 DDR4 RGB. Вона націлена на геймерів, оверклокерів і ентузіастів. Її модулі приковують погляд двостороннім алюмінієвим радіатором із чітким геометричним візерунком і яскравим RGB-підсвічуванням. Ілюмінацію можна синхронізувати з популярним ПЗ від ключових виробників материнських плат (ASRock, ASUS, GIGABYTE та MSI).
До складу серії ADATA XPG SPECTRIX D50 DDR4 RGB увійшли поодинокі модулі об'ємом 8 і 16 ГБ, а також двоканальні набори загальною ємністю 16 (2 х 8 ГБ) і 32 ГБ (2 х 16 ГБ). Вони працюють на тактовій частоті від DDR4-3000 до DDR4-4133 МГц із напругою 1,35 або 1,4 В. Затримки складають CL16-20-20, CL18-20-20 або CL19-23-23. І, звичайно ж, підтримуються профілі Intel XMP 2.0 для швидкого оверклокінгу.
ADATA обіцяє, що в травні з'являться модулі об'ємом 32 ГБ і частотою 4600 і 4800 МГц. Решта варіантів будуть доступні в квітні. Їх вартість поки не повідомляється.
https://www.xpg.com
https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський
SK hynix почне виробництво пам'яті DDR5 цього року
Компанія SK hynix поділилася цікавою інформацією щодо пам'яті DDR5, і її переваг над DDR4. Вона буде більш продуктивною, ємною, енергоефективною і дешевою. Для досягнення цього є всі передумови.
По-перше, DDR5 зможе використовувати структуру з 32 банками, створену на базі восьми груп. Це в 2 рази перевищує можливості DDR4 (максимум 16 банків на базі чотирьох груп), що дозволяє подвоїти швидкість доступу до даних.
По-друге, довжина пакетів (Burst Length, BL) в DDR5 збільшується з 8 до 16. По-третє, пам'ять DDR4 не може виконувати інші операції під час оновлення таймінгів, а DDR5 може завдяки функції Same Bank Refresh. По-четверте, стандарт DDR5 збільшує швидкість на контакт за рахунок інтеграції мікросхеми Decision Feedback Equalization (DFE), яка підвищує цілісність сигналу при роботі з великою кількістю каналів і модулів DIMM.
Список переваг і особливостей мікросхем DDR5 компанії SK hynix можна продовжити позиціями:
- зниження робочої напруги з 1,2 до 1,1 В;
- використання в самих мікросхемах алгоритмів Error Correction Code (ECC) і Error Check And Scrub (ECS);
- збільшення пропускної спроможності з 1600 - 3200 Мбіт/с (DDR4) до 3200 - 8400 Мбіт/с (DDR5);
- збільшення ємності самих мікросхем із максимум 16 Гбіт (DDR4) до 64 Гбіт (DDR5).
Згідно з аналізом компанії International Data Corporation (IDC), попит на пам'ять DDR5 почне рости починаючи з 2020 року. До кінця 2021 року цей стандарт займе 22% ринку, а у 2022 його частка зросте до 43%. SK hynix планує захищати свої лідерські позиції, і спочатку запропонує покупцям 16-гігабітні чіпи DDR5, створені на базі 10-нм технології. Пізніше з'являться і інші варіанти за обсягом і швидкості.
https://www.techpowerup.com
https://news.skhynix.com
Сергій Буділовський
DDR5 з'явиться зі швидкістю 4800 МТ/с
Компанія Cadence навряд чи відома багатьом користувачам. Вона не має своїх фабрик і не представлена на масовому ринку. Cadence сконцентрувала свою діяльність в сфері розробки продуктів інтелектуальної власності (IP), дизайну мікросхем і інструментів для верифікації.
В офіційному блозі експерт компанії Cadence повідомив нові подробиці про пам'ять DDR5. Початкова її швидкість складе 4800 МТ/s (мегатранзакцій за секунду). Це навіть більше, ніж у представленого в 2018 році зразка модуля стандарту DDR5-4400 (4400 MT/s), підготовленого спільними зусиллями Cadence і Micron. Потім протягом 12 місяців ми побачимо ще більш продуктивні рішення.
Однак головна мета DDR5 полягає не в швидкості, а в обсязі. Новий стандарт передбачає використання більш ємних ядер пам'яті. Початковий їх обсяг складе 24 Гбіт, а пізніше він збільшиться до 32 Гбіт. Це дозволить створювати модулі загальним обсягом 256 ГБ, із затримкою доступу до кожного байту нижче за 100 нс. Йдеться про дуже ємні і швидкі планки з низькими затримками.
Компанія Cadence отримала безліч замовлень на свої 7-нм IP. Їх виробництво почнеться в цьому році. Тобто вже з цього року стандарт DDR5 почне підкорять ринок.
https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський
Серії ОЗП TEAMGROUP T-FORCE VULCAN Z і DARK Z отримали 32-гігабайтні модулі
Компанія TEAMGROUP порадувала вимогливих користувачів анонсом 32-гігабайтних модулів в ігрових серіях T-FORCE VULCAN Z і T-FORCE DARK Z. Вони будуть доступні в якості окремих планок і в складі двоканальних наборів загальним об'ємом 64 ГБ.
Серія TEAMGROUP T-FORCE VULCAN Z пропонує їх з тактовою частотою DDR4-2666 і DDR4-3000. А в серії TEAMGROUP T-FORCE DARK Z 32-гігабайтні комплекти доступні виключно з частотою DDR4-3000. В обох випадках модулі пам'яті отримали алюмінієві радіатори і профіль O.C. для швидкого і комфортного розгону. У процесі виробництва вони проходять суворе і ретельне тестування на надійність роботи і сумісність з популярними платформами AMD і Intel.
Зведена таблиця технічної специфікації оперативної пам'яті серій TEAMGROUP T-FORCE VULCAN Z і DARK Z:
Серія |
TEAMGROUP T-FORCE VULCAN Z |
TEAMGROUP T-FORCE DARK Z |
|||||
Тип |
DDR4 DIMM |
||||||
Обсяг, ГБ |
4 / 8 / 16 / 32 / 8 (2 х 4) / 16 (2 х 8) / 32 (2 х 16) / 64 (2 х 32) |
8 / 16 / 16 (2 х 8) / 32 (2 х 16) / 64 (2 х 32) |
|||||
Частота, МГц |
2666 |
3000 |
3200 |
2666 |
3000 |
3200 |
3600 |
Пропускна здатність, МБ/с |
21 328 (PC4 21300) |
24 000 (PC4 2400) |
25 600 (PC4 25600) |
21 328 (PC4 21300) |
24 000 (PC4 2400) |
25 600 (PC4 25600) |
28 800 (PC4 28800) |
Таймінги |
CL18-18-18-43 |
CL16-18-18-38 |
CL16-18-18-38 |
CL15-17-17-35 / CL16-18-18-38 |
CL16-18-18-38 |
CL16-18-18-38 |
CL18-22-22-42 |
Робоча напруга, В |
1,2 |
1,35 |
1,35 |
1,2 |
1,35 |
1,35 |
1,35 |
Розміри, мм |
32 х 140 х 7 |
43,5 х 141 х 8,3 |
|||||
Радіатор |
Алюмінієвий |
||||||
Гарантія |
Довічна |
https://www.teamgroupinc.com
Сергій Буділовський
Новий 256-гігабайтний комплект G.SKILL Trident Z Neo DDR4-3600 для платформи Socket sTRX4
Компанія G.SKILL із гордістю представила новий набір оперативної пам'яті в серії Trident Z Neo DDR4 загальним обсягом 256 ГБ (8 х 32 ГБ), частотою DDR4-3600, таймінгами 16-20-20 і робочою напругою 1,35 В. У першу чергу він призначений для платформи Socket sTRX4, а для тестування використовувалася материнська плата ASUS ROG ZENITH II EXTREME ALPHA і топовий процесор AMD Ryzen Threadripper 3990X.
Кожен модуль у складі цього комплекту створений на базі добірних 16-гігабітних мікросхем пам'яті. За їх ефективне охолодження відповідає стильний алюмінієвий радіатор із барвистим LED-підсвічуванням, яке можна синхронізувати з популярними технологіями (ASUS Aura Sync, ASRock Polychrome Sync, GIGABYTE RGB Fusion 2.0, MSI Mystic Light Sync). Правда, він збільшує висоту модулів, тому перед покупкою слід переконатися у відсутності проблем із сумісністю з габаритними повітряними кулерами.
До продажу новий комплект G.SKILL Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 256 GB (32 GB x8) надійде в другому кварталі поточного року. Вартість не повідомляється.
https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський
Micron початку поставки першої в світі пам'яті LPDDR5 для високопродуктивних смартфонів
Компанія Micron Technology, Inc. з гордістю повідомила про початок постачань першої в світі пам'яті LPDDR5 для високопродуктивного смартфону Xiaomi Mi 10. Вона збільшує швидкість доступу до даних на 50% і покращує енергоефективність на 20% в порівнянні зі стандартом LPDDR4x. Крім того, нова пам'ять націлена і в інші сегменти, включаючи автомобільну промисловість, клієнтські PC і мережеві системи для 5G і AI.
На даний момент Micron поставляє своїм клієнтам пам'ять LPDDR5 об'ємом 6, 8 і 12 ГБ зі швидкістю 5,5 і 6,4 Гбіт/с. До кінця першої половини поточного року вона інтегрує нові мікросхеми в мультичіповий пакет uMCP5 для використання в смартфонах середнього і високого класу. Завдяки цьому підвищується пропускна здатність пам'яті і знижується навантаження на акумулятор. У результаті продуктивність окремих завдань (наприклад, обробка зображень) підвищується до рівня флагманських смартфонів.
https://www.techpowerup.com
https://www.micron.com
Сергій Буділовський
Показати ще