Пошук по сайту

up
Banner

Комп'ютерні новини

Накопичувачі

G.Skill розширює лінійку SSD-накопичувачів Phoenix Pro

Компанія G.Skill представила нові моделі SSD-накопичувачів серії Phoenix Pro. Новинки використовують NAND флеш-мікросхеми з багаторівневою структурою комірок (MLC) загальним об’ємом 40 ГБ, 80 ГБ, 160 ГБ та комплектуються контролером SandForce SF-1200 і інтерфейсом SATA II, з максимальною пропускною здатністю 3,0 Гб/с. Нові моделі підтримують технологію TRIM, яка дозволяє повністю очищувати видалену інформацію, звільняючи місце для нових даних та продовжуючи строк служби SSD-накопичувача.

Коротка таблиця характеристик нових моделей G.Skill Phoenix Pro має наступний вигляд:

Об’єм, ГБ

40 / 80 / 160

Форм-фактор

2,5’’

Інтерфейс

SATA II

Максимальна швидкість читання, МБ/с

285

Максимальна швидкість запису, МБ/с

275

Продуктивність, IOPS

>50 000

Середній час напрацювання до відмови, год

2 000 000

Гарантія, років

3

Ціна

невідома

http://www.tcmagazine.com
http://www.gskill.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

Toshiba демонструє BPR HDD-накопичувачі

SSD-накопичувачі завойовують все більшу ринкову нішу. І це не дивно, зважаючи на їх численні переваги: вони швидші, легші, компактніші та не використовують механічних елементів. Єдиним суттєвим недоліком є їх ціна. І цей факт дозволяє компаніям проводити подальші дослідження і розробки нових HDD-накопичувачів.

Компанія Toshiba заявила, що знайшла спосіб збільшити щільність запису до 2,5 Тб/дюйм2 , що майже в п’ять разів перевищує сучасний рівень в 541 Гб/дюйм2. Нова технологія отримала назву BPR (Bit-Pattern Recording) і компанія, навіть, розробила робочий прототип такого накопичувача. Для пояснення суті даної технології спочатку розглянемо ситуацію, яка існує на сьогоднішній день. Отже, сучасні накопичувачі використовують дискові пластини з нанесеним на них магнітним шаром і біти даних зберігаються вздовж декількох сотень магнітних структур. Все було добре, поки фізичні можливості даної технології не вичерпали себе. Тому компания Toshiba пропонує розбити усю поверхню пластини на велику кількість магнітних бітів, кожен з яких складатиметься з декількох магнітних структур. Під мікроскопом магнітний біт виглядає як тисячі крихітних сфер щільно притиснених одна до одної. Один магнітний біт може зберігати один біт даних.

Компания планує налагодити серійний випуск нових HDD-накопичувачів, які використовують технологію BPR не раніше 2013 року.

http://www.engadget.com
http://www.pcworld.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

Intel і Micron починають поставки 3-бітної флеш-пам’яті NAND по 25-нм техпроцесу

Корпорація Intel і компанія Micron Technology повідомили про початок поставок NAND-пам'яті з багаторівневою структурою комірок, кожна з яких здатна зберігати три біти даних (3 bit per cell, 3bpc). Нові мікросхеми виготовляються відповідно до норм 25-нанометрового техпроцесу, завдяки чому досягається найбільша ємність при найменших розмірах. Поставки зразків мікросхем проводяться деяким виробникам, а серійне виробництво планується почати до кінця поточного року. Розробка орієнтована на USB-накопичувачі, карти пам'яті, смартфони, програвачі та твердотельні накопичувачі.

Нові модулі пам'яті 3bpc, що виготовляються із застосуванням 25-нм техпроцесу, вміщають по 64 Гбіт даних. У порівнянні з продуктами попередніх поколінь вони мають меншу собівартість і збільшену ємність.

Нова технологія розроблена спільним підприємством IM Flash Technologies (IMFT). У модулях NAND 64 Гбіт (8 ГБайт) кожна комірка зберігає по три біти даних проти двох біт у технології попереднього покоління. Це трирівнева комірка (triple-level cell, TLC).

Новий модуль на 20% компактніше у порівнянні з іншими модулями аналогічної ємності, виробленими Intel і Micron на базі технології 25-нм MLC і в цей час є самим мініатюрним чипом ємністю 8 Гбайт у серійному виробництві. Компактність відіграє важливу роль для карт пам'яті. Площа виробу становить 131 мм2, він поміщається у стандартний тонкий корпус з меншою відстанню між виводами (TSOP).

Intel

Постійне посилання на новину

SanDisk створила найменший SSD-накопичувач у світі

Компанія SanDisk підтвердила провідні позиції на ринку флеш -пам’яті анонсувавши перший продукт в новій категорії iSSD-накопичувачів (integrated solid state drive). Новинка розміром з поштову марку та вагою менше 1 г володіє  об’ємом від 4 ГБ до 64 ГБ. ІSSD-накопичувачі націлені на використання в планшетних комп’ютерах та ультратонких ноутбуках.

Завдяки використанню стандартного корпусу BGA (Ball Grid Array) та інтерфейсу SATA, розробникам материнських плат буде легко інтегрувати дані мікросхеми, значно зменшуючи вагу та потужність споживання кінцевих виробів. Швидкісні показники не є рекордними для SSD-накопичувачів, проте здатні забезпечити високу продуктивність системи в цілому.

Специфікація нових SanDisk iSSD-накопичувачів:

Об’єм, ГБ

4 – 64

Інтерфейс

SATA

Швидкість читання, МБ/с

160

Швидкість запису, МБ/с

100

Розміри, мм

16 х 20 х 1,85

Вага, г

<1

Корпус

BGA

http://www.tcmagazine.com
http://www.sandisk.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

Нові портативні USB флеш-накопичувачі A-DATA C008

Компанія A-DATA офіційно представила нову серію портативних USB флеш-накопичувачів C008, до складу якої входять моделі ємністю від 2 ГБ до 32 ГБ. Новинки оснащуються інтерфейсом USB 2.0 з висувним конектором. Корпус «флешок», виготовлений з матового матеріалу, стійкого до подряпин та відштовхуючого пил. Округлі форми та мінімалістичний дизайн надають новинкам елегантного, зручного та стильного вигляду.

В комплект поставки входить набір корисного програмного забезпечення:

  • OStoGO – конвертує інсталяційний диск Microsoft Windows 7 таким чином, щоб дану операційну систему можна було встановити з «флешки»;
  • UFDtoGo – дозволяє швидко синхронізувати дані та електронну пошту;
  • 60-денна версія (trial) Norton Internet Security 2010, що забезпечує надійний захист від вірусів та інших шкідливих програм.

Ціновий діапазон нових USB-флеш накопичувачів залишається невідомим. Коротка таблиця характеристик A-DATA C008 виглядає наступним чином:

Об’єм. ГБ

2 / 4 / 8 / 16 / 32

Інтерфейс

USB 2.0

Розміри, мм

59,95 х 19,83 х 8,85

Вага, г

10

Гарантія

довічна

http://www.tcmagazine.com
http://www.adata.com.tw
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

Деталі нових SSD-накопичувачів від Intel

Разом з оголошенням власних планів щодо оновлення десктопних та мобільних версій процесорів, Intel та Micron підготували нові SSD-накопичувачі. Згідно плану, в першому кварталі 2011 року повинна дебютувати нова серія портативних накопичувачів Soda Creek,  виконана по технології багаторівневих комірок (MLC) з використанням 34-нм техпроцесу. Новинки ємністю 40 та 80 ГБ мають інтерфейс mini-SATA та підтримують PCI Express.

Високопродуктивні серії X25-E, X25-M, X18-M та X25-V, що використовують інтерфейс SATA II,  також будуть оновлені. Зокрема, вже в четвертому кварталі 2010 року повинні з’явитися нові моделі серії X25-M (Postville). Дана лінійка 2,5” накопичувачів отримає нові 25-нм NAND-флеш MLC мікросхеми Intel ємністю160 ГБ, 300 ГБ та 600 ГБ. В першому кварталі 2011 року з’являться нові моделі твердотільних накопичувачів лінійки X18-M, яка використовуватиме аналогічні чіпи тільки менший форм-фактор - 1,8’’. Як наслідок, менший загальний об’єм: 160 ГБ та 300 ГБ.

Компанія планує збільшити ємність 2,5” X25-V накопичувача серії Glen Brook на базі пам'яті типу MLC до 40 ГБ і 80 ГБ. Це можливо завдяки переходу на використання 25-нм мікросхем твердотільної пам'яті.

Нарешті, лінійка найшвидших 2,5” SSD-накопичувачів X25-E, що використовує 50-нм NAND флеш-мікросхеми з однорівневою структурою комірок (SLC) в першому кварталі 2011 року оновиться 25 нм NAND-флеш MLC чіпами з кодовою назвою Lyndonville. Заміна технології виготовлення мікросхем дозволить збільшити загальний об’єм, знизити вартість існуючих моделей і підвищити їх швидкодію. Компанія запропонує нові накопичувачі об'ємом 100 ГБ, 200 ГБ та 400 ГБ.

Моделі на базі нових серій мікросхем Postville та Lyndonville підтримуватимуть інтерфейс SATA II і технологію S.M.A.R.T., яка проводить постійний моніторинг внутрішнього стану диску та сигналізує вразі виникнення проблем.

http://www.tcmagazine.com
http://www.computerbase.de
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

Micron RealSSD P300 – SSD накопичувачі з інтерфейсом SATA III

Компанія Micron Technology анонсувала нову серію SSD накопичувачів RealSSD P300. Новинки виготовлені по 34-нм техпроцесу NAND флеш-мікросхем з однорівневою структурою комірок (SLC) та будуть представлені в трьох варіантах об’єму: 50 ГБ, 100 ГБ та 200 ГБ. Використання даної архітектури, оптимізованого алгоритму керування та зовнішнього інтерфейсу SATA III дозволило досягти вражаючих показників швидкості читання та запису. Згідно заяві виробника, лінійка RealSSD P300 є найшвидшою на сьогоднішньому ринку накопичувачів.

Результати тестів свідчать про те, що впродовж життєвого циклу Micron RealSSD P300 здатні записати 3,5 петабайт інформації, що відповідає 2 ТБ записаних даних кожного дня впродовж 5 років. Низький показник потужності споживання нових накопичувачів буде надзвичайно корисний в портативних системах з автономним живленням. Масове виробництво новинок планується почати в жовтні. Детальна специфікація лінійки Micron RealSSD P300 накопичувачів:

Об’єм накопичувачів, ГБ

50 / 100 / 200

Форм-фактор

2,5”

Інтерфейс

SATA III (6 Гб/с)

Максимальна швидкість, МБ/с

читання

360

запису

275

Випадкова швидкість, IOPs

читання

60 000

запису

45 200

Споживча потужність, Вт

2,1

Стійкість до ударів

1500 G протягом 1 мс

Стійкість до вібрацій

3,1G в частотному діапазоні 2- 500 Гц

Вага, г

75

http://www.tcmagazine.com
http://news.micron.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

Toshiba DDR Toggle Mode NAND – 32-нм флеш-мікросхеми з новим інтерфейсом

Компанія Toshiba представила нові флеш-мікросхеми DDR Toggle Mode NAND, які виготовлені за 32-нм технологічним процесом та володіють значно кращими швидкісними характеристиками в порівнянні з попередниками. Об’єм новинок залежатиме від технології виготовлення – однорівневої структури комірок (SLC) чи багаторівневої (MLC).

Специфікація  Toshiba DDR Toggle Mode 1.0 передбачає передачу даних на швидкості 133 Мб/с, що значно перевищує показник 40 Мб/с, який характерний для звичайних SLC мікросхем. Ще однією суттєвою перевагою є використання асинхронного інтерфейсу, який не потребує сигналу синхронізації, тому суттєво спрощується дизайн та зменшується потужність споживання.

Компанія Toshiba не планує заспокоюватися на досягнутому та вже почала створювати новий стандарт DDR Toggle Mode 2.0, який передбачає виготовлення втричі швидших мікросхем (400 Мб/с), ніж передбачено попередньою специфікацією, та в десятеро швидших ніж існуючі на сьогодні чіпи. Таблиця характеристик нових мікросхем Toshiba DDR Toggle Mode NAND виглядає ось так:

Об’єм, ГБ

SLC

4 / 8 / 16

MLC

8 / 16 / 32

Розмір блоку, МБ

1

Тип корпусу

132 BGA

Напруга живлення (Vcc), В

2,7 – 3,6

Додаткова напруга живлення (VccQ), В

1,8 / 3,3

http://www.tcmagazine.com
http://www.toshiba.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

Показати ще