Пошук по сайту

up

Комп'ютерні новини

Оперативна пам’ять

64-гігабайтний комплект ОЗП GIGABYTE DESIGNARE Memory DDR4-3200 із низькопрофільним радіатором

Серія DESIGNARE компанії GIGABYTE раніше зустрічалася в материнських платах, орієнтованих на творчих людей і творців контенту. Тепер компанія порадувала новим 64-гігабайтним (2 х 32 ГБ) набором оперативної пам'яті - GIGABYTE DESIGNARE Memory DDR4-3200.

GIGABYTE DESIGNARE Memory DDR4-3200

Модулі отримали чорний текстоліт, високоякісну друковану плату і низькопрофільний сріблястий алюмінієвий радіатор. Загальна висота модулів становить стандартні 32 мм, тому вони будуть сумісні з більшістю габаритних систем охолодження.

GIGABYTE DESIGNARE Memory DDR4-3200

За замовчуванням GIGABYTE DESIGNARE Memory DDR4-3200 працює в режимі DDR4-2666 з таймінгами 19-19-19-43 (Intel) або 20-19-19-43 (AMD). Але в XMP-профілі є режим DDR4-3200 з підвищенням напруги до 1,35 В. У специфікації на офіційному сайті його таймінги складають 16-18-18-38, але на сторінці підтримки вказані 18-19-19-39.

GIGABYTE DESIGNARE Memory DDR4-3200

Вартість і дата початку продажів поки не повідомляються. Зведена таблиця технічної специфікації комплекту GIGABYTE DESIGNARE Memory DDR4-3200:

Модель

GIGABYTE DESIGNARE Memory DDR4-3200

Тип

DDR4

Обсяг, ГБ

64 (2 х 32)

Частота в SPD, МГц

2666

Таймінги в SPD

19-19-19-43 (Intel 300)

20-19-19-43 (AMD Ryzen)

Напруга в SPD, В

1,2

Протестована частота, МГц

3200

Протестовані таймінги

16-18-18-38

Протестована напруга, В

1,35

Підтримка XMP

XMP 2.0

Розміри, мм

133 х 32 х 7

Гарантія

Довічна

https://www.gigabyte.com
https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

G.SKILL анонсувала 32-гігабайтні модулі з ультранизьким таймінгами

Незабаром серії G.SKILL Trident Z RGB, Trident Z Royal і Trident Z Neo поповняться новими багатоканальними наборами загальним обсягом 256 ГБ (8 х 32 ГБ), 128 ГБ (4 х 32 ГБ) і 64 ГБ (2 х 32 ГБ). У всіх разах використовуються 32-гігабайтні модулі стандарту DDR4-3200 із ультранизьким таймінгами CL14-18-18-38. Самі вони створені на основі 16-гігабітних мікросхем пам'яті.

G.SKILL

256-гігабайтні комплекти від G.SKILL націлені на HEDT-платформи Intel Core X 10-четвертого покоління (Cascade Lake-X) і AMD Ryzen Threadripper 3000. У свою чергу 128 і 64-гігабайтні набори серії G.SKILL Trident Z Neo відмінно впишуться до складу топових збірок на AMD X570 (Socket AM4).

G.SKILL

Усі доступні новинки підтримують технологію Intel XMP 2.0 для більш зручного розгону і будуть доступні у продажу в першому кварталі 2020 року.

G.SKILL

https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

Ціни на оперативну пам'ять можуть вирости в другому кварталі 2020 року

Аналітичний підрозділ DRAMeXchange компанії TrendForce повідомила про зміну тенденції на ринку оперативної пам'яті - спотові ціни почали відновлюватися і ціни за контрактами на перший квартал 2020 року припинили своє падіння.

DRAMeXchange

Зараз ситуація така: п'ять кварталів поспіль на ринку зберігався надлишок пам'яті, а це призводило до падіння цін. За прогнозами він повністю зникне не раніше середини 2020 року. Тому в сегменті оперативної пам'яті для ПК і мобільному ринку в першому кварталі 2020 року особливих змін не буде. Ціни навіть можуть трохи впасти. А ось на ринку серверної пам'яті ціни підуть вгору. Спочатку підвищаться контрактні ціни, а потім і роздрібні. У другому кварталі ця тенденція може торкнутися ринок ПК і мобільних пристроїв.

https://press.trendforce.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

ChangXin Memory Technologies - перший китайський виробник DRAM-пам'яті

У 2016 році в Китаї була заснована стартап-компанія Innotron Memory, яку згодом перейменували в ChangXin Memory Technologies. Вона оголосила себе першим і поки єдиним китайським постачальником DRAM-пам'яті. Днями вона почала відвантаження перших пластин із мікросхемами оперативної пам'яті.

ChangXin Memory Technologies

Зараз її виробничі потужності дозволяють випускати 20 000 пластин на місяць. В її арсеналі є 8-гігабітні мікросхеми LPDDR4 і DDR4-пам'яті, створені на базі технології «10-нм класу». У реальності це 18- або 19-нм техпроцес.

У другому кварталі 2020 року ChangXin Memory Technologies введе в експлуатацію додаткові виробничі лінії і зможе випускати до 40 000 пластин на місяць. Поки компанія напевно обмежиться домашнім ринком, але в майбутньому не виключаємо її вихід на глобальний ринок.

https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

Оригінальна ігрова пам'ять TEAMGROUP T-FORCE XTREEM ARGB із дзеркальним дизайном

Компанія TEAMGROUP представила першу в світі ігрову пам'ять із дзеркальним дизайном, підсвічуванням і підтримкою трьох основних технологій ARGB - T-FORCE XTREEM ARGB. Поки вона представлена ​​двоканальними наборами загальним обсягом 16 ГБ із тактовою частотою 3200, 3600 і 4000 МГц.

TEAMGROUP T-FORCE XTREEM ARGB

TEAMGROUP T-FORCE XTREEM ARGB - це перша на ринку пам'ять з повнорозмірним налаштованим світловим екраном. Він використовує технологію повноекранного спрямованого освітлення для відображення або освітлення навколишніх об'єктів. Дзеркальна поверхня відбиває зовнішній світ, якщо власне підсвічування вимкнене, і пропускає світло при ввімкненні ілюмінації. Для налаштування можна використовувати всі популярні на ринку утиліти.

TEAMGROUP T-FORCE XTREEM ARGB

Мікросхеми пам'яті для нової серії відбираються під строгим контролем. Кожна всебічно тестується на сумісність і стабільність. Також вони отримали вбудований профіль «OC Profile» для розгону в один дотик на платформах AMD і Intel. До продажу новинки надійдуть із довічною гарантією, але їх ціна поки не повідомляється.

TEAMGROUP T-FORCE XTREEM ARGB

Зведена таблиця технічної специфікації пам'яті TEAMGROUP T-FORCE XTREEM ARGB:

Серія

TEAMGROUP T-FORCE XTREEM ARGB

Тип

DDR4 DIMM

Обсяг, ГБ

16 (2 х 8 ГБ)

Частота, МГц

3200

3600

3600

4000

Пропускна здатність, МБ / с

25 600 (PC4 25600)

28 800 (PC4 28800)

28 800 (PC4 28800)

32 000 (PC4 3200)

Таймінги

CL16-18-18-38

CL14-14-14-34

CL14-15-15-35

CL18-22-22-42

CL18-22-22-42

Напруга, В

1,35

1,45

1,35

1,35

Розміри, мм

133,7 х 48,7 х 8,1

Гарантія

Довічна

https://www.teamgroupinc.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

Ціни на оперативну пам'ять у наступному році можуть піднятися на 30%

Зараз ми насолоджуємося періодом низьких цін на оперативну пам'ять, але такий стан речей може змінитися вже в наступному році. Відповідно до джерел авторитетного порталу DigiTimes, середні ціни продажу (Average selling prices (ASP)) у сегменті DRAM у 2020 році можуть зрости на 30%.

DRAM

Головна причина полягає в стабільно високому попиті на оперативну пам'ять у сегменті серверів і мобільних пристроїв. Підіграють такому сценарію і самі виробники ОЗП: вони не поспішають вкладатися в розширення виробничих потужностей. Наприклад, у 2020 році вони збільшать виробництво лише на 12,5% - це найнижчий показник зростання за останні 10 років. Таким чином, якщо попит буде сильно перевищувати пропозицію, то ціни на оперативну пам'ять знову поповзуть вгору. І якщо ви планували розширення ОЗП, то зараз для цього найкращий час.

https://www.tomshardware.com
https://www.dvhardware.net
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

G.SKILL представила нові 4-канальні набори ОЗП для HEDT-платформ AMD і Intel

Компанія G.SKILL розширила асортимент своєї продукції новими 4-канальними наборами оперативної пам'яті серій Trident Z Neo і Trident Z Royal для HEDT-платформ AMD Socket sTRX4 (AMD TRX40) і Intel Socket LGA2066 (Intel X299).

G.SKILL

Йдеться про рішення загальним обсягом 32 ГБ (4 х 8 ГБ), 64 ГБ (4 х 16 ГБ, 8 х 8 ГБ), 128 ГБ (8 х 16 ГБ; 4 х 32 ГБ) і 256 ГБ (8 х 32 ГБ ). Їх тактові частоти знаходяться в межах від 2666 до 4000 МГц при напрузі 1,2 - 1,45 В.

G.SKILL

Найбільш продуктивні набори DDR4-3800 і DDR4-4000 призначені для HEDT-платформи Intel. Для володарів AMD пропонують комплекти з максимальною частотою DDR4-3600. Усі вони підтримують технологію Intel XMP 2.0 і з'являться у продажу в кінці 2019 року.

G.SKILL

https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

Ринок оперативної пам'яті повернувся до зростання після трьох збиткових кварталів

Згідно з останнім з аналітичним звітом DRAMeXchange, попит на ринку оперативної пам'яті повернувся до здорового рівня, що дуже порадувало виробників мікросхем DRAM. Їх загальна виручка в третьому кварталі зросла на 4%, закінчивши тим самим період спаду, який тривав три квартали поспіль. Більш того, три ключових виробники планують збільшити постачання своєї продукції в четвертому кварталі, щоб задовольнити зростаючий попит на ринку.

DRAMeXchange

Samsung поліпшила продажі на 30% і підняла виручку на 5% (до $7,12 млрд) у порівнянні з показниками попереднього кварталу. Головна причина її зростання - активна закупівля мікросхем пам'яті китайськими виробниками смартфонів і відновлення ринку серверів.

Рівень продажів SK Hynix виріс на 20%, а виручка - на 3,5% (до $4,41 млрд). А ось у Micron продажі зросли на 30% порівняно зі слабкими показниками другого кварталу. Виручка досягла $3,07 млрд. Проте загальна частка її ринку впала до 19,9% через зростання показників Samsung і Nanya.

https://press.trendforce.com
Сергій Буділовський

Постійне посилання на новину

Показати ще