Серії ОЗП TEAMGROUP T-FORCE VULCAN Z і DARK Z отримали 32-гігабайтні модулі

Компанія TEAMGROUP порадувала вимогливих користувачів анонсом 32-гігабайтних модулів в ігрових серіях T-FORCE VULCAN Z і T-FORCE DARK Z. Вони будуть доступні в якості окремих планок і в складі двоканальних наборів загальним об'ємом 64 ГБ.

Серія TEAMGROUP T-FORCE VULCAN Z пропонує їх з тактовою частотою DDR4-2666 і DDR4-3000. А в серії TEAMGROUP T-FORCE DARK Z 32-гігабайтні комплекти доступні виключно з частотою DDR4-3000. В обох випадках модулі пам'яті отримали алюмінієві радіатори і профіль O.C. для швидкого і комфортного розгону. У процесі виробництва вони проходять суворе і ретельне тестування на надійність роботи і сумісність з популярними платформами AMD і Intel.

Зведена таблиця технічної специфікації оперативної пам'яті серій TEAMGROUP T-FORCE VULCAN Z і DARK Z:

https://www.teamgroupinc.com
Сергій Буділовський

Новий 256-гігабайтний комплект G.SKILL Trident Z Neo DDR4-3600 для платформи Socket sTRX4

Компанія G.SKILL із гордістю представила новий набір оперативної пам'яті в серії Trident Z Neo DDR4 загальним обсягом 256 ГБ (8 х 32 ГБ), частотою DDR4-3600, таймінгами 16-20-20 і робочою напругою 1,35 В. У першу чергу він призначений для платформи Socket sTRX4, а для тестування використовувалася материнська плата ASUS ROG ZENITH II EXTREME ALPHA і топовий процесор AMD Ryzen Threadripper 3990X.

Кожен модуль у складі цього комплекту створений на базі добірних 16-гігабітних мікросхем пам'яті. За їх ефективне охолодження відповідає стильний алюмінієвий радіатор із барвистим LED-підсвічуванням, яке можна синхронізувати з популярними технологіями (ASUS Aura Sync, ASRock Polychrome Sync, GIGABYTE RGB Fusion 2.0, MSI Mystic Light Sync). Правда, він збільшує висоту модулів, тому перед покупкою слід переконатися у відсутності проблем із сумісністю з габаритними повітряними кулерами.

До продажу новий комплект G.SKILL Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 256 GB (32 GB x8) надійде в другому кварталі поточного року. Вартість не повідомляється.

https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Micron початку поставки першої в світі пам'яті LPDDR5 для високопродуктивних смартфонів

Компанія Micron Technology, Inc. з гордістю повідомила про початок постачань першої в світі пам'яті LPDDR5 для високопродуктивного смартфону Xiaomi Mi 10. Вона збільшує швидкість доступу до даних на 50% і покращує енергоефективність на 20% в порівнянні зі стандартом LPDDR4x. Крім того, нова пам'ять націлена і в інші сегменти, включаючи автомобільну промисловість, клієнтські PC і мережеві системи для 5G і AI.

На даний момент Micron поставляє своїм клієнтам пам'ять LPDDR5 об'ємом 6, 8 і 12 ГБ зі швидкістю 5,5 і 6,4 Гбіт/с. До кінця першої половини поточного року вона інтегрує нові мікросхеми в мультичіповий пакет uMCP5 для використання в смартфонах середнього і високого класу. Завдяки цьому підвищується пропускна здатність пам'яті і знижується навантаження на акумулятор. У результаті продуктивність окремих завдань (наприклад, обробка зображень) підвищується до рівня флагманських смартфонів.

https://www.techpowerup.com
https://www.micron.com
Сергій Буділовський

64-гігабайтний комплект ОЗП GIGABYTE DESIGNARE Memory DDR4-3200 із низькопрофільним радіатором

Серія DESIGNARE компанії GIGABYTE раніше зустрічалася в материнських платах, орієнтованих на творчих людей і творців контенту. Тепер компанія порадувала новим 64-гігабайтним (2 х 32 ГБ) набором оперативної пам'яті - GIGABYTE DESIGNARE Memory DDR4-3200.

Модулі отримали чорний текстоліт, високоякісну друковану плату і низькопрофільний сріблястий алюмінієвий радіатор. Загальна висота модулів становить стандартні 32 мм, тому вони будуть сумісні з більшістю габаритних систем охолодження.

За замовчуванням GIGABYTE DESIGNARE Memory DDR4-3200 працює в режимі DDR4-2666 з таймінгами 19-19-19-43 (Intel) або 20-19-19-43 (AMD). Але в XMP-профілі є режим DDR4-3200 з підвищенням напруги до 1,35 В. У специфікації на офіційному сайті його таймінги складають 16-18-18-38, але на сторінці підтримки вказані 18-19-19-39.

Вартість і дата початку продажів поки не повідомляються. Зведена таблиця технічної специфікації комплекту GIGABYTE DESIGNARE Memory DDR4-3200:

https://www.gigabyte.com
https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

G.SKILL анонсувала 32-гігабайтні модулі з ультранизьким таймінгами

Незабаром серії G.SKILL Trident Z RGB, Trident Z Royal і Trident Z Neo поповняться новими багатоканальними наборами загальним обсягом 256 ГБ (8 х 32 ГБ), 128 ГБ (4 х 32 ГБ) і 64 ГБ (2 х 32 ГБ). У всіх разах використовуються 32-гігабайтні модулі стандарту DDR4-3200 із ультранизьким таймінгами CL14-18-18-38. Самі вони створені на основі 16-гігабітних мікросхем пам'яті.

256-гігабайтні комплекти від G.SKILL націлені на HEDT-платформи Intel Core X 10-четвертого покоління (Cascade Lake-X) і AMD Ryzen Threadripper 3000. У свою чергу 128 і 64-гігабайтні набори серії G.SKILL Trident Z Neo відмінно впишуться до складу топових збірок на AMD X570 (Socket AM4).

Усі доступні новинки підтримують технологію Intel XMP 2.0 для більш зручного розгону і будуть доступні у продажу в першому кварталі 2020 року.

https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Ціни на оперативну пам'ять можуть вирости в другому кварталі 2020 року

Аналітичний підрозділ DRAMeXchange компанії TrendForce повідомила про зміну тенденції на ринку оперативної пам'яті - спотові ціни почали відновлюватися і ціни за контрактами на перший квартал 2020 року припинили своє падіння.

Зараз ситуація така: п'ять кварталів поспіль на ринку зберігався надлишок пам'яті, а це призводило до падіння цін. За прогнозами він повністю зникне не раніше середини 2020 року. Тому в сегменті оперативної пам'яті для ПК і мобільному ринку в першому кварталі 2020 року особливих змін не буде. Ціни навіть можуть трохи впасти. А ось на ринку серверної пам'яті ціни підуть вгору. Спочатку підвищаться контрактні ціни, а потім і роздрібні. У другому кварталі ця тенденція може торкнутися ринок ПК і мобільних пристроїв.

https://press.trendforce.com
Сергій Буділовський

ChangXin Memory Technologies - перший китайський виробник DRAM-пам'яті

У 2016 році в Китаї була заснована стартап-компанія Innotron Memory, яку згодом перейменували в ChangXin Memory Technologies. Вона оголосила себе першим і поки єдиним китайським постачальником DRAM-пам'яті. Днями вона почала відвантаження перших пластин із мікросхемами оперативної пам'яті.

Зараз її виробничі потужності дозволяють випускати 20 000 пластин на місяць. В її арсеналі є 8-гігабітні мікросхеми LPDDR4 і DDR4-пам'яті, створені на базі технології «10-нм класу». У реальності це 18- або 19-нм техпроцес.

У другому кварталі 2020 року ChangXin Memory Technologies введе в експлуатацію додаткові виробничі лінії і зможе випускати до 40 000 пластин на місяць. Поки компанія напевно обмежиться домашнім ринком, але в майбутньому не виключаємо її вихід на глобальний ринок.

https://www.techpowerup.com
Сергій Буділовський

Оригінальна ігрова пам'ять TEAMGROUP T-FORCE XTREEM ARGB із дзеркальним дизайном

Компанія TEAMGROUP представила першу в світі ігрову пам'ять із дзеркальним дизайном, підсвічуванням і підтримкою трьох основних технологій ARGB - T-FORCE XTREEM ARGB. Поки вона представлена ​​двоканальними наборами загальним обсягом 16 ГБ із тактовою частотою 3200, 3600 і 4000 МГц.

TEAMGROUP T-FORCE XTREEM ARGB - це перша на ринку пам'ять з повнорозмірним налаштованим світловим екраном. Він використовує технологію повноекранного спрямованого освітлення для відображення або освітлення навколишніх об'єктів. Дзеркальна поверхня відбиває зовнішній світ, якщо власне підсвічування вимкнене, і пропускає світло при ввімкненні ілюмінації. Для налаштування можна використовувати всі популярні на ринку утиліти.

Мікросхеми пам'яті для нової серії відбираються під строгим контролем. Кожна всебічно тестується на сумісність і стабільність. Також вони отримали вбудований профіль «OC Profile» для розгону в один дотик на платформах AMD і Intel. До продажу новинки надійдуть із довічною гарантією, але їх ціна поки не повідомляється.

Зведена таблиця технічної специфікації пам'яті TEAMGROUP T-FORCE XTREEM ARGB:

https://www.teamgroupinc.com
Сергій Буділовський