ASUS анонсувала DDR5 ROG пам’ять для ентузіастів

ASUS увійшла на ринок оперативної пам’яті з першим комплектом DDR5 під брендом Republic of Gamers.

Модулі створені у співпраці з BIWIN і виконані у чорній та червоній кольоровій схемі з золотими акцентами на честь 20‑річчя ROG. Виробник рекомендує використовувати їх разом із ювілейною материнською платою ROG Crosshair X870E 2006 Edition.

Комплект має обсяг 48 ГБ (2×24 ГБ), працює на частоті DDR5‑6000 із таймінгами 26‑36‑36‑76 та підтримує профілі AMD EXPO і Intel XMP. Додано режим «ROG Mode», який оптимізує роботу на платах ROG Crosshair, Maximus та Strix. Модулі оснащені ARGB‑підсвіткою з підтримкою Aura Sync через Armoury Crate.

ASUS також оголосила програму ROG‑certified memory, яка дозволить іншим виробникам DDR5 випускати модулі з підтримкою ROG Mode та Aura Sync.

У Китаї новинка коштує 5 999 юанів, що дорівнює приблизно 880 доларів США.

videocardz.com
Павлик Олександр

Китайський бренд POWEV виходить на ринок DDR5 із модулями UDIMM, SODIMM та RDIMM

Китайський бренд POWEV виходить на ринок DDR5 із модулями UDIMM, SODIMM та RDIMM обсягом до 64 ГБ і швидкістю 4800–5600 MT/s.

Це підбренд компанії Jiahe Jinwei, який почав масове виробництво пам’яті DDR5 та вже постачає модулі до дата‑центрів у Китаї.

POWEV розділяє свої продукти на «чисто внутрішні» модулі та «індустріальні», що означає використання різних джерел DRAM‑чипів: від китайського CXMT до корейських чи тайванських виробників. UDIMM та SODIMM доступні у варіантах до 32 ГБ, тоді як RDIMM можуть досягати 64 ГБ і підтримують ECC. Усі модулі працюють на напрузі 1,2 В та відповідають стандартам JEDEC.

Особливістю запуску є те, що Jiahe Jinwei не розкриває технологію виробництва DRAM, на відміну від Samsung чи SK hynix, які вказують покоління своїх техпроцесів. Це викликає питання щодо походження чипів, але для користувачів головним залишається відповідність стандартам і стабільність роботи.

Вихід POWEV на ринок збігається з глобальним дефіцитом DRAM, тому додаткові поставки можуть частково знизити тиск на ціни. Компанія вже постачає модулі у китайські дата‑центри, а найближчим часом планує розширення на споживчий сегмент.

techpowerup.com 
Павлик Олександр

У Японії виявили підроблені модулі DDR5 SO DIMM із пластиковими «чипами» та фальшивими етикетками

Вони поширюються через онлайн‑майданчики, зокрема Yahoo Auctions та Mercari, і становлять ризик для покупців, особливо тих, хто купує вживану пам’ять.

Користувач X під ніком TAKI повідомив, що його знайомий придбав модуль DDR5 SO‑DIMM, який зовні виглядав справжнім.

Після розрізання одного з «чипів» з’ясувалося, що всередині немає кремнію — лише пластик або скловолокно. На платі також помітні ознаки підробки: округлені краї PCB, світліший колір текстоліту, інша форма PMIC та невідповідні маркування на корпусах «чипів».

Фальшиві модулі легше розпізнати у ноутбучній пам’яті, де чипи відкриті. У випадку десктопних DDR5 DIMM це складніше, адже більшість комплектів мають радіатори, які приховують PCB та пакети DRAM. Це робить купівлю вживаних або неперевірених комплектів ризикованою, якщо немає можливості порівняти їх із перевіреними фото за конкретним артикулом.

Подібні шахрайські випадки вже траплялися раніше: продавалися комплекти DDR5, які всередині містили старі DDR2 або DDR4 під «маскуванням» сучасних радіаторів. Виробники, зокрема Corsair, навіть змінювали пакування своїх модулів, щоб ускладнити підробки та шахрайські повернення.

videocardz.com 
Павлик Олександр

Team Group додає модулі DDR5‑8000 у серії ELITE PLUS та ELITE DDR5

Team Group оголосила про розширення лінійки пам’яті ELITE PLUS DDR5 та ELITE DDR5 новими модулями, що працюють на частоті до 8000 MT/s при напрузі 1,1 В і таймінгах CL56‑56‑56‑128.

Новинки відповідають стандартам JEDEC і орієнтовані на користувачів, яким потрібна висока швидкість роботи при низькому енергоспоживанні.

Модулі DDR5‑8000 отримали технологію Same‑Bank Refresh та оптимізовану архітектуру IC, що забезпечує стабільність під час багатозадачності й підвищує ефективність системи.

Компанія планує випускати їх у вигляді комплектів 16 ГБ × 2. Старт продажів очікується у червні 2026 року на Amazon у Північній Америці.

Team Group позиціонує нові модулі як рішення для навчання, розваг та високопродуктивних сценаріїв, підкреслюючи зниження енергоспоживання та збільшення терміну служби ПК.

techpowerup.com 
Павлик Олександр

DDR6 готується до виходу у 2028 році, обіцяючи швидкість до 17 600 MT/s

DDR6 готується до виходу у 2028 році, обіцяючи швидкість до 17 600 MT/s, але поки що це лише плани виробників і JEDEC, а реальні споживчі поставки можуть затягнутися до 2029–2030 років.

DDR6 розробляється спільними зусиллями SK hynix, Samsung та Micron під контролем JEDEC. Перші проєкти стандарту з’явилися ще у 2024 році, але досі немає фіналізованих параметрів напруги, сигналів та pinout. Нині виробники прискорили роботу, і вже йдеться про пропускну здатність у 8 800 MT/s із масштабуванням до 17 600 MT/s — майже удвічі більше, ніж у DDR5.

Ключова відмінність DDR6 — архітектура 4×24‑бітних субканалів, що потребує нових рішень для цілісності сигналу. Для подолання фізичних обмежень DIMM‑формату індустрія робить ставку на CAMM2, який може стати стандартом для серверів і ноутбуків. Очікується, що першими DDR6 отримають серверні платформи, а споживчі ПК — лише після масштабного виробництва.

Раніше прогнозували старт у 2027 році, але тепер мова йде про комерційні поставки у 2028‑му. Це збігається з тенденцією витіснення DDR4: її виробництво поступово згортається, щоб звільнити фабрики під DDR5 і майбутній DDR6.

Скептики вже відзначають, що навіть якщо DDR6 з’явиться у 2028 році, для масового ринку він стане доступним не раніше 2029–2030 років, а ціни на старті будуть високими. Тож для більшості користувачів актуальним залишатиметься DDR5, який до того часу досягне швидкостей понад 10 000 MT/s.

techpowerup.com 
Павлик Олександр

Samsung подолала бар’єр 10 нм у DRAM завдяки новій структурі 4F‑cell

Samsung подолала бар’єр 10 нм у виробництві DRAM, представивши нову структуру 4F‑cell, яка збільшує щільність комірок на 30–50% та відкриває шлях до масового виробництва суб‑10 нм пам’яті вже у 2028 році. Це перший у світі робочий кристал DRAM на рівні 9,5–9,7 нм.

Samsung застосувала комбінацію нової квадратної структури 4F та процесу Vertical Channel Transistor (VCT), що дозволило перейти від традиційної 6F‑архітектури до більш компактної. Такий підхід не лише підвищує щільність, а й знижує енергоспоживання. Для збереження даних у надзвичайно вузьких комірках компанія використала матеріал IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), який краще утримує заряд порівняно з кремнієм.

Розробка 10a DRAM має бути завершена цього року, а серійне виробництво заплановане на 2028‑й. Наступні покоління — 10b та 10c — отримають подальші вдосконалення, а 10d стане першим кроком до 3D DRAM у 2029–2030 роках.

Конкуренти, такі як Micron, поки що відкладають впровадження 4F‑структури, роблячи ставку на 3D DRAM. Китайські виробники стикаються з труднощами через відсутність доступу до передових літографічних технологій, хоча схожість із 3D NAND дає їм певну надію.

З огляду на стрімке зростання попиту з боку сегмента ШІ, нова технологія Samsung може стати ключовим фактором у забезпеченні ринку більш ємними та енергоефективними модулями пам’яті.

wccftech.com
Павлик Олександр

Ринок пам’яті завмер: зниження цін очікується лише з кінця 2027 року

Аналітики відзначають, що нинішнє плато цін на пам’ять не означає завершення дефіциту.

У Європі, США та Китаї вже помітні локальні корекції вартості, проте попит з боку дата‑центрів для ШІ залишається високим і продовжує підтримувати ринок у напрузі.

Згідно з прогнозами Sigmaintell, перше відчутне пом’якшення вартості пам’яті відбудеться у IV кварталі 2027 року, коли виробники зможуть частково наростити обсяги. Повне вирівнювання очікується лише до 2030 року, адже запуск нових фабрик і виробничих ліній потребує кількох років.

У Китаї ситуацію частково стабілізують локальні постачальники, які забезпечують не лише внутрішній ринок, а й великі міжнародні бренди. У США ж деякі проєкти дата‑центрів заморожені через проблеми з енергомережами та побоювання інвесторів щодо «ШІ‑бульбашки».

pcworld.com
Павлик Олександр

Samsung, SK Hynix та Micron покривають лише 60% світового попиту на DRAM

Світовий ринок пам’яті DRAM опинився у стані затяжного дефіциту.

Три ключові виробники — Samsung Electronics, SK Hynix та Micron Technology — наразі забезпечують лише близько 60% глобального попиту. Решта виробничих потужностей спрямована на випуск HBM‑пам’яті для ШІ‑чіпів, що ще більше обмежує доступність звичайної DRAM.

Дефіцит розпочався восени 2025 року, а вже у першому кварталі 2026 ціни на DRAM зросли майже на 90%. Це особливо болісно відчули виробники смартфонів та автомобільних компонентів. За прогнозами IDC, продажі смартфонів у 2026 році скоротяться на 13% через високі витрати на пам’ять, яка у бюджетних моделях може становити до 40% собівартості.

Samsung планує запуск нового заводу у Пхьонтхеці у 2026 році, але серійне виробництво стартує не раніше 2027‑го. SK Hynix відкрила підприємство з виробництва HBM у Чхонджу, а другий завод під Сеулом буде завершено у лютому 2027 року. Micron розгортає виробництво у США та Сінгапурі, а також будує завод у Хіросімі, який запрацює у 2028 році.

За оцінками Counterpoint Research, щоб задовольнити попит, галузь має нарощувати виробництво на 12% щороку, проте нинішні плани забезпечують лише 7,5%. Голова SK Group Чхе Тхе Вон припустив, що дефіцит пам’яті для ШІ може тривати аж до 2030 року.

asia.nikkei.com
Павлик Олександр