Комп'ютерні новини

Lexar представила лінійку SSD Ares PRO M.2 Gen 5 з високою швидкістю до 14 ГБ/с

Lexar представила нову лінійку флагманських твердотілих накопичувачів Ares PRO M.2 NVMe, орієнтованих на геймерів та ентузіастів. Новинки використовують інтерфейс PCI-Express 5.0 x4 та оснащені DRAM-кешем.

Накопичувачі доступні в трьох варіантах місткості — 1 ТБ, 2 ТБ та 4 ТБ. Всі моделі забезпечують дивовижну швидкість послідовного читання до 14 ГБ/с. Швидкість послідовного запису відрізняється залежно від моделі: до 11 ГБ/с для версії на 4 ТБ, до 10 ГБ/с для 2 ТБ та до 7,5 ГБ/с для 1 ТБ. Також, продуктивність випадкового доступу (4K IOPS) для старших моделей становить до 2 мільйонів для читання та 1,5 мільйона для запису.

Замість вбудованого радіатора, Ares PRO оснащено плівкою на основі графену для розподілу тепла. Витривалість накопичувачів заявлена на рівні 3000 TBW для моделі на 4 ТБ, 1500 TBW для 2 ТБ і 750 TBW для 1 ТБ. Накопичувачі постачаються з 5-річною гарантією, але ціна та дата виходу поки не розголошуються.

techpowerup.com
Павлик Олександр

ADATA XPG випустила твердотілий накопичувач SPECTRIX S65G

ADATA випустила під своїм ігровим брендом XPG новий твердотілий накопичувач SPECTRIX S65G. Ця модель поєднує інтерфейс PCIe Gen4x4 та вбудоване RGB-підсвічування.

Накопичувач відповідає стандарту NVMe 1.4 та забезпечує швидкість послідовного читання до 6000 МБ/с і запису до 5000 МБ/с. Він сумісний з настільними платформами Intel та AMD, а також може використовуватися для розширення пам'яті консолі PlayStation 5, пропонуючи місткість до 2000 ГБ.

SPECTRIX S65G оснащений системою корекції помилок LDPC та технологією шифрування Pyrite для захисту даних. Накопичувач має фірмовий дизайн з X-подібним світловодом та постачається з 5-річною обмеженою гарантією.

techpowerup.com
Павлик Олександр

Samsung повертає Z-NAND: надшвидка пам’ять для серверів і ШІ

Після семирічної паузи Samsung офіційно підтвердила повернення до Z-NAND — надшвидкої SLC-пам’яті, яка свого часу конкурувала з Intel Optane. Нове покоління Z-SSD обіцяє до 15× вищу продуктивність, на 80 % нижче енергоспоживання та мінімальні затримки завдяки GPU-Initiated Direct Storage Access (GIDS) — технології, що дозволяє графічному процесору напряму звертатися до накопичувача, минаючи CPU і RAM.

Z-NAND — це не нова архітектура, а глибоко оптимізована SLC-пам’ять з низькою латентністю. У 2018 році Samsung вже випускала SSD 983 ZET, який наближався до Optane 900P за швидкістю, але не витримав конкуренції через високу ціну.

Нові Z-SSD призначені виключно для серверного ринку, високопродуктивних обчислень (HPC) та ШІ-навантажень. У звичайних ПК така пам’ять не має сенсу: її виробництво надто дороге, GIDS не підтримується споживчими платформами, а побутові сценарії не потребують настільки низьких затримок. Для користувачів Samsung просуває інші лінійки — 990 PRO, 870 EVO, T9 Portable SSD — оптимізовані під реальні потреби масового ринку.

У сегменті надшвидкої пам’яті Samsung не єдиний гравець. Kioxia готує оновлену XL-Flash з контролером на понад 10 млн IOPS, Phison просуває власну реалізацію SCM під назвою PASCARI, Solidigm і Micron експериментують з SLC-рішеннями для дата-центрів. Паралельно розвиваються інтерфейси PCIe 6.0 і CXL, які можуть змінити саму архітектуру доступу до пам’яті.

Звичайні користувачі не побачать Z-NAND у своїх ПК — принаймні поки що. Але ми сподіваємось, що колись виробники пам’яті почують глас простих споживачів, і ми побачимо накопичувачі на цьому типі пам’яті у масовому сегменті — без серверних цінників і без зайвих компромісів.

tomshardware.com
Павлик Олександр

Silicon Motion анонсувала перший споживчий контролер PCIe 6.0 та новий DRAM-less PCIe 5.0

Silicon Motion на конференції Future of Memory and Storage (FMS) представила перші деталі про свої нові контролери для SSD-накопичувачів. Серед анонсів — перший споживчий контролер PCIe 6.0 під кодовою назвою Neptune, а також новий DRAM-less контролер PCIe 5.0.

Контролер Neptune обіцяє забезпечити послідовну швидкість читання 25 ГБ/с або вище та до 3,5 мільйона IOPS. Однак, така продуктивність досяжна лише за умови використання NAND-пам'яті зі швидкістю 4800 МТ/с у восьмиканальній конфігурації. Його вихід на ринок очікується не раніше 2028 року.

Ще однією новинкою став контролер SM2524XT — DRAM-less рішення для PCIe 5.0. Він демонструє послідовну швидкість читання 14 ГБ/с та 2,5 мільйона IOPS, що відповідає показникам флагманського контролера SM2508. Через чотириканальний NAND-інтерфейс, очікується, що реальна продуктивність перших накопичувачів на його базі буде нижчою. Вихід SM2524XT запланований на наступний рік.

Обидва нові контролери, а також SM2504XT, отримали підтримку Separate Command Architecture (SCA). Ця функція дозволяє паралельно обробляти команди та передавати адреси, що допомагає зменшити затримки та збільшити доступну пропускну здатність NAND-пам'яті.

techpowerup.com
Павлик Олександр

Team Group представила твердотілий накопичувач NV5000 M.2 PCIe 4.0

Team Group анонсувала випуск нової серії NV (від Nova Value) твердотілих накопичувачів, першим представником якої став NV5000 M.2 PCIe 4.0.

Цей високопродуктивний накопичувач початкового рівня призначений для модернізації як настільних комп'ютерів, так і ноутбуків.

Основні характеристики та особливості

• Технології: Накопичувач оснащений флешпам'яттю 3D NAND та відповідає стандарту NVMe 1.4.
• Продуктивність: Забезпечує швидкість читання до 5000 МБ/с при місткості до 2 ТБ.
• Охолодження: Використовує фірмову графенову етикетку товщиною менш як 1 мм для ефективного розсіювання тепла. Ця конструкція не перешкоджає встановленню радіаторів на материнській платі.
• Програмне забезпечення: Підтримує власне програмне забезпечення Team Group для моніторингу стану (SMART).
• Сумісність: Накопичувач повністю сумісний з найновішими платформами Intel та AMD.

Team Group також повідомила, що планує розширити серію NV додатковими моделями.

techpowerup.com
Павлик Олександр

Консорціум NVM Express оновлює специфікації для NVMe-накопичувачів

Консорціум NVM Express анонсував важливі оновлення для 11 своїх специфікацій NVMe, що дозволить цій технології краще відповідати вимогам сучасних додатків зі штучним інтелектом, хмарних сервісів, а також корпоративних і клієнтських систем.

Ключові нововведення

Оновлення охоплюють базову специфікацію NVMe 2.3, специфікації наборів команд (NVM 1.2, ZNS 1.4 та інші), транспорту (NVMe over PCIe, RDMA, TCP) та інтерфейсу керування (NVMe-MI 2.1). Серед ключових функцій, що з'явилися в нових специфікаціях:

• Швидке відновлення після збою: Забезпечує зв'язок з підсистемою NVMe через альтернативні канали, що дозволяє швидко відновити роботу у разі втрати зв'язку з контролером і запобігти втраті даних.
• Конфігурація обмеження потужності: Надає повний контроль над максимальною потужністю NVMe-пристрою, що важливо для старих систем з обмеженими можливостями живлення.
• Звітування про споживання: Дозволяє хосту вимірювати та контролювати потужність і загальне споживання енергії накопичувача протягом усього терміну служби.
• Очищення простору імен: Дає змогу виконати криптографічне очищення окремих просторів імен, не зачіпаючи при цьому всю підсистему NVMe.
• Конфігурований профіль пристрою — підтримує механізми, які дозволяють хосту безпечно змінювати конфігурацію підсистеми NVM, спрощуючи управління інвентарем для постачальників пристроїв.

Нові специфікації та опис функцій доступні для завантаження на офіційному вебсайті NVM Express.

techpowerup.com
Павлик Олександр

Lexar випустила внутрішній SSD PLAY 2280 SE PCIe 4.0 місткістю 4 ТБ для PlayStation 5

Lexar анонсувала внутрішній твердотілий накопичувач Lexar PLAY 2280 SE PCIe 4.0 місткістю 4 ТБ.

Він забезпечує максимальну швидкість читання до 7000 МБ/с та максимальну швидкість запису до 6000 МБ/с, що скорочує час завантаження та забезпечує безперебійний ігровий процес на консолях PlayStation 5.

Характеристики та можливості

Створений як доповнення до PS5, твердотільний накопичувач Lexar PLAY 2280 SE PCIe 4.0 обсягом 4 ТБ покращує ігровий досвід завдяки унікальному радіатору, який допомагає підтримувати оптимальну продуктивність під час інтенсивних ігрових сесій. Завдяки додатковому сховищу обсягом 4 ТБ, накопичувач може вмістити до 100 ігор класу AAA.

Хоча цей накопичувач не має DRAM-буфера, його характеристики, ймовірно, вказують на використання пам'яті типу TLC.

Ціна та доступність

Твердотільний накопичувач Lexar PLAY 2280 SE PCIe 4.0 (4 ТБ) є протестованим та схваленим для консолі PS5. Він доступний ексклюзивно онлайн на Costco.com за рекомендованою роздрібною ціною 224,99 долара США.

Lexar також зазначає, що її накопичувач NM790 M.2 2280 PCIe 4.0 NVMe, відомий швидкістю читання до 7400 МБ/с та оптимізацією енергоефективності, також доступний на Costco.com у версії 4 ТБ за рекомендованою роздрібною ціною 219,99 долара США.

techpowerup.com
Павлик Олександр

Kioxia розпочинає постачання зразків флешпам'яті BiCS FLASH 9-го покоління

Kioxia оголосила про початок пробного постачання зразків флешпам'яті BiCS FLASH 3D 9-го покоління з технологією Triple-Level Cell (TLC) місткістю 512 Гбіт/с. Масове виробництво цих пристроїв планується розпочати у 2025 фінансовому році.

Нові чипи розроблені для додатків, що вимагають високої продуктивності та виняткової енергоефективності, і будуть інтегровані в корпоративні SSD-накопичувачі Kioxia, зокрема ті, що призначені для систем штучного інтелекту.

Стратегія розвитку та ключові покращення

Kioxia дотримується двоосьової стратегії для задоволення різноманітних потреб ринку:

• Продукти BiCS FLASH 9-го покоління: Досягають високої продуктивності за зниженою собівартістю завдяки технології CBA (CMOS безпосередньо приєднаний до масиву), яка інтегрує наявні технології комірок пам'яті з найновішою технологією CMOS.
• Продукти BiCS FLASH 10-го покоління: Включатимуть збільшену кількість шарів пам'яті для майбутніх рішень з більшою місткістю та високою продуктивністю.

Нова TLC-пам'ять BiCS FLASH 9-го покоління на 512 Гбіт/с, розроблена з використанням 120-шарового процесу стекування на основі технології BiCS FLASH 5-го покоління, демонструє значні покращення порівняно з наявними продуктами Kioxia BiCS FLASH такої ж місткості:

• Продуктивність запису: покращення на 61%.
• Продуктивність читання: покращення на 12%.
• Енергоефективність: підвищена на 36% під час запису та на 27% під час читання.
• Швидкість передачі даних: інтерфейс Toggle DDR 6.0 забезпечує 3,6 Гбіт/с. Kioxia також підтвердила, що в демонстраційних умовах 512-гігабітний TLC працює зі швидкістю до 4,8 Гбіт/с.
• Бітова щільність: збільшена на 8% завдяки вдосконаленню планарного масштабування.

Лінійка продуктів BiCS FLASH 9-го покоління буде визначена відповідно до вимог ринку.

techpowerup.com
Павлик Олександр