Комп'ютерні новини
Оперативна пам’ять
CXMT захопила 10% світового ринку DRAM
Частка CXMT на світовому ринку оперативності досягла 10% за підсумками другого кварталу.
Стрімке зростання зумовлене тим, що трійка найбільших гравців перенаправила потужності на випуск HBM для прискорювачів ШІ, утворивши дефіцит стандартних мікросхем.
Основний обсяг постачань припадає на пам'ять DDR5 та LPDDR5X. Вихід придатних кристалів на 17-нм техпроцесі перевищив 90%, що дозволило наростити відвантаження для серверів Alibaba та смартфонів Xiaomi.
Завдяки масштабній державній підтримці та залученню інвестицій CXMT активно нарощує випуск чипів і готується до масового виробництва власної пам'яті HBM3.
techpowerup.com
Павлик Олександр
SK Hynix прогнозує дефіцит пам'яті до 2030 року
Генеральний директор SK Hynix Квак Но Чжон заявив, що поточна нестача чипів пам'яті триватиме щонайменше до кінця 2030 року, відсунувши попередні оцінки щодо стабілізації ринку в 2028 році.
Головною причиною є стрімке зростання попиту на спеціалізовані рішення для систем штучного інтелекту, зокрема HBM та кастомні конфігурації DRAM, через що ринок поступово виходить із традиційного циклу біржових коливань цін.
Для споживчого сектору це означає збереження високих цін на RAM та SSD для ПК, відеокарт і консолей упродовж більшої частини поточного десятиліття.
techpowerup.com
Павлик Олександр
Дефіцит оперативної пам'яті збільшив виручку китайського виробника CXMT майже у 10 разів
Китайський виробник оперативної пам'яті CXMT, відзвітував про зростання виручки в першому півріччі майже у 10 разів — до 150,31 млрд юанів, що становить близько 22,4 млрд доларів США.
Чистий прибуток компанії досяг 77,61 млрд юанів — приблизно 11,6 млрд доларів США, тоді як за аналогічний період минулого року виробник зазнав збитків у розмірі 2,33 млрд юанів.
Стрімке зростання фінансових показників зумовлене світовим дефіцитом DRAM та зростанням цін на пам'ять через підвищений попит з боку сектора ШІ.
Оскільки провідні світові виробники перенаправили значні потужності на випуск пам'яті HBM для ШІ-прискорювачів, на ринку виник брак класичної оперативної пам'яті DDR4, DDR5 та LPDDR. CXMT скористалася цією кон'юнктурою, збільшивши обсяги постачань стандартної DRAM, і вже посіла четверте місце на світовому ринку з часткою близько 7%.
Наразі компанія готує до масового виробництва пам'ять LPDDR6 та розробляє власні рішення HBM.
Постійне посилання на новинуCXMT перейшла на технологію HKMG для переходу до техпроцесу 1a DRAM та нарощування потужностей
Китайський виробник пам'яті CXMT впровадив технологію High-k Metal Gate (HKMG) у транзистори своєї DRAM-пам'яті, замінивши діелектрик із діоксиду кремнію на матеріал на основі оксиду гафнію.
Нововведення застосовано в техпроцесі G4 (клас 1z nm) та чипах LPDDR5X для запобігання витокам струму та підвищення енергоефективності, що усуває головне технічне обмеження для переходу до більш просунутої норми 1a та подальшого розроблення 15-нм технології G5. Одночасно компанія перебуває на стадії ризикового виробництва пам'яті HBM2E за 18-нм техпроцесом G3.
Паралельно CXMT масштабує обсяги випуску кремнієвих пластин: до кінця поточного року обсяг виробництва зросте до 300 тисяч пластин на місяць, а будівництво нових фабрик у Шанхаї та Хефей дозволить збільшити показник до 600 тисяч. Згідно з довгостроковим планом розширення, до 2031 року сукупна потужність компанії має досягти 800 тисяч пластин на місяць.
Постійне посилання на новинуОперативна пам'ять DDR5 на чипах CXMT досягла 9000 МТ/с та 6000 МТ/с при CL28
Оперативна пам'ять стандарту DDR5, побудована на базі мікросхем китайського виробника CXMT, за останні дні підкорила два важливі технологічні рубежі. Розробники та оверклокери змогли зафіксувати як гранично високі частотні показники, так і рекордні значення низьких затримок на реальному залізі.
Першого результату досягла Colorful, яка продемонструвала можливості свого новітнього комплекту iGame Shadow II загальним об'ємом 48 ГБ із двох планок по 24 ГБ. Під час експерименту пам'ять встановили на флагманську материнську плату iGame X870E VULCAN W OC та об'єднали з топовим процесором AMD Ryzen 9 9950X3D. У такій конфігурації систему вдалося стабільно запустити на вражаючій ефективній частоті DDR5-9000.
Друге досягнення стосується оптимізації затримок на стандартних частотах і належить ASUS. Інженери випробували той самий комплект iGame Shadow II від Colorful на власних материнських платах. Під час серії тестів планки продемонстрували впевнену роботу в режимі DDR5-6000 із таймінгами CL30, а після додаткового налаштування та підйому напруги до 1,435 В затримки вдалося зрізати до значення CL28. Це суттєвий крок уперед, адже переважна більшість серійних модулів на базі чипів CXMT досі розрахована лише на таймінги рівня CL36.
Подібні тести показують стрімкий еволюційний стрибок китайської DRAM-індустрії. Мікросхеми від CXMT поступово виходять за межі скромних специфікацій JEDEC і починають впевнено конкурувати з визнаними лідерами ринку в оверклокерському сегменті, показуючи високі результати на платформах AMD та Intel.
videocardz.com
Павлик Олександр
Виробники DRAM отримали 38 млрд доларів США в якості передоплати, але диктувати умови зможуть лише до 2029 року
Найбільші виробники оперативної пам'яті — Samsung, SK Hynix та Micron — кардинально змінили бізнес-модель ринку DRAM.
Щоб убезпечити себе від циклічних падінь попиту та кризи перевиробництва, чипмейкери перейшли на довгострокові контракти з жорсткими фіксованими ціновими порогами та обов'язковими авансовими платежами. Сумарний обсяг отриманих передоплат, застав та закладених депозитів від клієнтів досяг 38 мільярдів доларів США.
Зокрема, Micron вже залучила 18 мільярдів доларів США готівкою у вигляді депозитів від 16 стратегічних партнерів, а Samsung уклала 5-річні угоди з гарантовано зафіксованою передоплатою у розмірі 25% від загальної суми контрактів. Це забезпечило виробникам панівне становище та дозволяє диктувати високі ціни на ринку.
Проте аналітики прогнозують, що контролювати ринок у такому режимі компанії зможуть лише до 2029 року. До цього часу діючі застави та авансові платежі вичерпаються, а нові фабрики, у будівництво яких зараз інвестуються десятки мільярдів доларів США, вийдуть на повну проектну потужність. Суттєве збільшення пропозиції на ринку позбавить трійку гігантів важелів тиску, змусивши їх повернутися до класичних умов конкуренції.
Постійне посилання на новинуNanya інвестує 10,7 мільярда доларів США у нову фабрику DRAM
Тайванський виробник оперативної пам'яті Nanya Technology оголосив про масштабну інвестиційну програму сумою 346,6 мільярда тайванських доларів, що становить приблизно 10,7 мільярда доларів США.
Кошти буде спрямовано на завершення будівництва та оснащення нового заводу Fab 5A у Тайвані. Цей крок став найбільшим інвестиційним проєктом у місцевій індустрії DRAM за останнє десятиліття, а загальні витрати на підприємство у майбутньому можуть зрости до 16 мільярдів доларів США залежно від ринкового попиту.
Нова фабрика розрахована на випуск чипів пам'яті за технологічними нормами класу 10 нм з активним застосуванням літографії у глибокому ультрафіолеті . Наразі компанія вже проводить тестове виробництво чипів за техпроцесом 1C, а також розробляє наступні норми 1D та 1E. Старт обробки кремнієвих пластин заплановано на другу половину 2027 року. Початковий обсяг випуску складе 30 000 пластин на місяць у 2028 році з подальшим збільшенням до 35,900 пластин у 2029 році та виходом на максимальну проектну потужність 45 000 пластин на місяць.
Наразі Nanya займає близько 1,6% світового ринку DRAM і тривалий час фокусувалася на пам'яті попередніх поколінь, де DDR5 становить близько 10% її доходів. Завдяки стрімкому зростанню цін на DDR3 та DDR4 квартальна виручка компанії збільшилася на 60% і перевищила 1,55 мільярда доларів США.
Введення в експлуатацію Fab 5A дозволить тайванському бренду суттєво наростити випуск сучасної пам'яті DDR5 та LPDDR5, а також допоможе послабити загальний дефіцит на світовому ринку напівпровідників.
overclock3d.net
Павлик Олександр
CXMT побудує другий завод із випуску пам'яті в Пекіні
Провідний китайський виробник оперативної пам'яті CXMT планує суттєво розширити свої виробничі потужності.
Згідно з повідомленнями галузевих джерел, компанія готується до будівництва другого великого заводу з випуску мікросхем DRAM у Пекіні. Цей крок є частиною масштабної стратегії Китаю щодо досягнення самодостатності у сфері напівпровідників та зниження залежності від іноземних постачальників на тлі жорстких санкційних обмежень США.
Новий виробничий комплекс буде орієнтований на обробку 300-мм кремнієвих пластин із використанням більш сучасних технологічних процесів. Завдяки розширенню CXMT розраховує не лише наростити обсяги випуску стандартної пам'яті DDR4 та DDR5 для споживчого сегмента, а й прискорити розробку технологій High Bandwidth Memory для прискорювачів штучного інтелекту. Реалізація проекту дозволить значно підвищити сукупну частку китайської оперативної пам'яті на світовому та внутрішньому ринках.
Загальний обсяг інвестицій у будівництво нової фабрики оцінюється в мільярди доларів США, при цьому значна частина фінансування надходить за підтримки державних та регіональних фондів розвитку промисловості.
Постійне посилання на новинуПоказати ще
