Team Group додає модулі DDR5‑8000 у серії ELITE PLUS та ELITE DDR5

Team Group оголосила про розширення лінійки пам’яті ELITE PLUS DDR5 та ELITE DDR5 новими модулями, що працюють на частоті до 8000 MT/s при напрузі 1,1 В і таймінгах CL56‑56‑56‑128.

Новинки відповідають стандартам JEDEC і орієнтовані на користувачів, яким потрібна висока швидкість роботи при низькому енергоспоживанні.

Модулі DDR5‑8000 отримали технологію Same‑Bank Refresh та оптимізовану архітектуру IC, що забезпечує стабільність під час багатозадачності й підвищує ефективність системи.

Компанія планує випускати їх у вигляді комплектів 16 ГБ × 2. Старт продажів очікується у червні 2026 року на Amazon у Північній Америці.

Team Group позиціонує нові модулі як рішення для навчання, розваг та високопродуктивних сценаріїв, підкреслюючи зниження енергоспоживання та збільшення терміну служби ПК.

techpowerup.com 
Павлик Олександр

DDR6 готується до виходу у 2028 році, обіцяючи швидкість до 17 600 MT/s

DDR6 готується до виходу у 2028 році, обіцяючи швидкість до 17 600 MT/s, але поки що це лише плани виробників і JEDEC, а реальні споживчі поставки можуть затягнутися до 2029–2030 років.

DDR6 розробляється спільними зусиллями SK hynix, Samsung та Micron під контролем JEDEC. Перші проєкти стандарту з’явилися ще у 2024 році, але досі немає фіналізованих параметрів напруги, сигналів та pinout. Нині виробники прискорили роботу, і вже йдеться про пропускну здатність у 8 800 MT/s із масштабуванням до 17 600 MT/s — майже удвічі більше, ніж у DDR5.

Ключова відмінність DDR6 — архітектура 4×24‑бітних субканалів, що потребує нових рішень для цілісності сигналу. Для подолання фізичних обмежень DIMM‑формату індустрія робить ставку на CAMM2, який може стати стандартом для серверів і ноутбуків. Очікується, що першими DDR6 отримають серверні платформи, а споживчі ПК — лише після масштабного виробництва.

Раніше прогнозували старт у 2027 році, але тепер мова йде про комерційні поставки у 2028‑му. Це збігається з тенденцією витіснення DDR4: її виробництво поступово згортається, щоб звільнити фабрики під DDR5 і майбутній DDR6.

Скептики вже відзначають, що навіть якщо DDR6 з’явиться у 2028 році, для масового ринку він стане доступним не раніше 2029–2030 років, а ціни на старті будуть високими. Тож для більшості користувачів актуальним залишатиметься DDR5, який до того часу досягне швидкостей понад 10 000 MT/s.

techpowerup.com 
Павлик Олександр

Samsung подолала бар’єр 10 нм у DRAM завдяки новій структурі 4F‑cell

Samsung подолала бар’єр 10 нм у виробництві DRAM, представивши нову структуру 4F‑cell, яка збільшує щільність комірок на 30–50% та відкриває шлях до масового виробництва суб‑10 нм пам’яті вже у 2028 році. Це перший у світі робочий кристал DRAM на рівні 9,5–9,7 нм.

Samsung застосувала комбінацію нової квадратної структури 4F та процесу Vertical Channel Transistor (VCT), що дозволило перейти від традиційної 6F‑архітектури до більш компактної. Такий підхід не лише підвищує щільність, а й знижує енергоспоживання. Для збереження даних у надзвичайно вузьких комірках компанія використала матеріал IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), який краще утримує заряд порівняно з кремнієм.

Розробка 10a DRAM має бути завершена цього року, а серійне виробництво заплановане на 2028‑й. Наступні покоління — 10b та 10c — отримають подальші вдосконалення, а 10d стане першим кроком до 3D DRAM у 2029–2030 роках.

Конкуренти, такі як Micron, поки що відкладають впровадження 4F‑структури, роблячи ставку на 3D DRAM. Китайські виробники стикаються з труднощами через відсутність доступу до передових літографічних технологій, хоча схожість із 3D NAND дає їм певну надію.

З огляду на стрімке зростання попиту з боку сегмента ШІ, нова технологія Samsung може стати ключовим фактором у забезпеченні ринку більш ємними та енергоефективними модулями пам’яті.

wccftech.com
Павлик Олександр

Ринок пам’яті завмер: зниження цін очікується лише з кінця 2027 року

Аналітики відзначають, що нинішнє плато цін на пам’ять не означає завершення дефіциту.

У Європі, США та Китаї вже помітні локальні корекції вартості, проте попит з боку дата‑центрів для ШІ залишається високим і продовжує підтримувати ринок у напрузі.

Згідно з прогнозами Sigmaintell, перше відчутне пом’якшення вартості пам’яті відбудеться у IV кварталі 2027 року, коли виробники зможуть частково наростити обсяги. Повне вирівнювання очікується лише до 2030 року, адже запуск нових фабрик і виробничих ліній потребує кількох років.

У Китаї ситуацію частково стабілізують локальні постачальники, які забезпечують не лише внутрішній ринок, а й великі міжнародні бренди. У США ж деякі проєкти дата‑центрів заморожені через проблеми з енергомережами та побоювання інвесторів щодо «ШІ‑бульбашки».

pcworld.com
Павлик Олександр

Samsung, SK Hynix та Micron покривають лише 60% світового попиту на DRAM

Світовий ринок пам’яті DRAM опинився у стані затяжного дефіциту.

Три ключові виробники — Samsung Electronics, SK Hynix та Micron Technology — наразі забезпечують лише близько 60% глобального попиту. Решта виробничих потужностей спрямована на випуск HBM‑пам’яті для ШІ‑чіпів, що ще більше обмежує доступність звичайної DRAM.

Дефіцит розпочався восени 2025 року, а вже у першому кварталі 2026 ціни на DRAM зросли майже на 90%. Це особливо болісно відчули виробники смартфонів та автомобільних компонентів. За прогнозами IDC, продажі смартфонів у 2026 році скоротяться на 13% через високі витрати на пам’ять, яка у бюджетних моделях може становити до 40% собівартості.

Samsung планує запуск нового заводу у Пхьонтхеці у 2026 році, але серійне виробництво стартує не раніше 2027‑го. SK Hynix відкрила підприємство з виробництва HBM у Чхонджу, а другий завод під Сеулом буде завершено у лютому 2027 року. Micron розгортає виробництво у США та Сінгапурі, а також будує завод у Хіросімі, який запрацює у 2028 році.

За оцінками Counterpoint Research, щоб задовольнити попит, галузь має нарощувати виробництво на 12% щороку, проте нинішні плани забезпечують лише 7,5%. Голова SK Group Чхе Тхе Вон припустив, що дефіцит пам’яті для ШІ може тривати аж до 2030 року.

asia.nikkei.com
Павлик Олександр

ASRock додає підтримку DDR5 HUDIMM для зниження вартості пам’яті на платформах Intel

ASRock додала підтримку нового формату DDR5 HUDIMM (1×32‑bit), який може знизити ціну пам’яті на платформах Intel.  

Технологія дозволяє використовувати модулі з одним підканалом замість стандартних двох, що зменшує кількість чипів на планці та відповідно знижує собівартість.

ASRock оголосила, що її материнські плати серій Intel 600, 700 та 800 тепер підтримують DDR5 HUDIMM, а компактні системи DeskMini — HSODIMM. У стандартних DDR5 UDIMM використовується архітектура 2×32‑bit, яка добре підходить для модулів великої ємності, але не завжди практична для бюджетних систем. Новий формат 1×32‑bit орієнтований на доступні рішення, де важлива ціна.

Партнером ASRock у проєкті стала TEAMGROUP, яка підтвердила, що новий формат дозволяє скоротити кількість чипів удвічі. Це відкриває можливості для дешевших модулів та комбінованих конфігурацій пам’яті. Наприклад, на платі H610M COMBOII комбінація 8 ГБ (1×32‑bit) та 16 ГБ (2×32‑bit) забезпечила більшу пропускну здатність, ніж один модуль 24 ГБ (2×32‑bit).

Intel підтримала ініціативу, зазначивши, що доступніші модулі DDR5 допоможуть зберегти доступність настільних платформ у період зростання цін на пам’ять. BIOS‑оновлення для підтримки HUDIMM вже доступні на сайті ASRock.

videocardz.com
Павлик Олександр

YMTC розширює виробництво NAND і DRAM

За даними Reuters, китайський виробник пам’яті YMTC (Yangtze Memory Technologies Corp) планує побудувати ще два заводи на додачу до третього, який вже майже завершено в Ухані.

Коли всі три нові фабрики запрацюють, загальний обсяг виробництва компанії зросте більш ніж удвічі — з нинішніх 200 000 пластин на місяць до 400 000.

Третій завод, розташований поряд із двома існуючими, вже збудований і зараз оснащується виробничими лініями та технологічним обладнанням. Очікується, що він розпочне роботу пізніше цього року та досягне 50 000 пластин на місяць до 2027 року. Примітно, що понад половину обладнання закуплено всередині країни, включно з інструментами для вертикального укладання шарів — це демонструє, наскільки YMTC покладається на місцевих постачальників після внесення до списку обмежених організацій у грудні 2022 року. Водночас повідомляється, що Бюро промисловості та безпеки США нещодавно виключило YMTC зі списку.

Дві нові фабрики ще не мають підтверджених місць розташування чи дат запуску, але всі три проєкти передбачають виробництво не лише NAND, а й DRAM. YMTC вже розіслала клієнтам зразки LPDDR і очікує відгуків до кінця року, що визначить подальшу стратегію розвитку DRAM.

На ринку NAND YMTC вже займає 11,8% — нарівні з Sandisk і недалеко від SK Hynix (16%), Kioxia (15,9%) та Micron (13,3%), тоді як Samsung лідирує з 30,4%. Аналітики UBS прогнозують, що частка YMTC перевищить 14% до початку 2027 року. Компанія активно просуває свою архітектуру Xtacking 4.0, яку вважають конкурентоспроможною порівняно з рішеннями провідних гравців галузі.

techpowerup.com
Павлик Олександр

Ціни на пам’ять у другому кварталі різко зростуть

Згідно з новим звітом TrendForce, у другому кварталі 2026 року очікується значне підвищення вартості пам’яті.

Ціни на DRAM можуть зрости на 58–63% порівняно з першим кварталом, а NAND Flash — до 75%. Основним чинником називають високий попит на RDIMM для дата‑центрів та систем ШІ, а також обмежену пропозицію GDDR6 і GDDR7 для відеокарт.

Виробники пам’яті перенаправляють виробничі потужності на HBM та серверні рішення, що створює дефіцит у споживчому сегменті. Це може призвести до скорочення обсягів пам’яті у смартфонах та ноутбуках, а також до подорожчання SSD.

Аналітики прогнозують, що дефіцит триватиме щонайменше до 2027–2028 років, коли очікується розширення виробничих ліній. Попит на високопродуктивні SSD та модулі пам’яті для ШІ залишається стабільним, що створює довгостроковий тиск на ринок.

techpowerup.com
Павлик Олександр