Комп'ютерні новини
Оперативна пам’ять
Виробники DRAM отримали 38 млрд доларів США в якості передоплати, але диктувати умови зможуть лише до 2029 року
Найбільші виробники оперативної пам'яті — Samsung, SK Hynix та Micron — кардинально змінили бізнес-модель ринку DRAM.
Щоб убезпечити себе від циклічних падінь попиту та кризи перевиробництва, чипмейкери перейшли на довгострокові контракти з жорсткими фіксованими ціновими порогами та обов'язковими авансовими платежами. Сумарний обсяг отриманих передоплат, застав та закладених депозитів від клієнтів досяг 38 мільярдів доларів США.
Зокрема, Micron вже залучила 18 мільярдів доларів США готівкою у вигляді депозитів від 16 стратегічних партнерів, а Samsung уклала 5-річні угоди з гарантовано зафіксованою передоплатою у розмірі 25% від загальної суми контрактів. Це забезпечило виробникам панівне становище та дозволяє диктувати високі ціни на ринку.
Проте аналітики прогнозують, що контролювати ринок у такому режимі компанії зможуть лише до 2029 року. До цього часу діючі застави та авансові платежі вичерпаються, а нові фабрики, у будівництво яких зараз інвестуються десятки мільярдів доларів США, вийдуть на повну проектну потужність. Суттєве збільшення пропозиції на ринку позбавить трійку гігантів важелів тиску, змусивши їх повернутися до класичних умов конкуренції.
Постійне посилання на новинуNanya інвестує 10,7 мільярда доларів США у нову фабрику DRAM
Тайванський виробник оперативної пам'яті Nanya Technology оголосив про масштабну інвестиційну програму сумою 346,6 мільярда тайванських доларів, що становить приблизно 10,7 мільярда доларів США.
Кошти буде спрямовано на завершення будівництва та оснащення нового заводу Fab 5A у Тайвані. Цей крок став найбільшим інвестиційним проєктом у місцевій індустрії DRAM за останнє десятиліття, а загальні витрати на підприємство у майбутньому можуть зрости до 16 мільярдів доларів США залежно від ринкового попиту.
Нова фабрика розрахована на випуск чипів пам'яті за технологічними нормами класу 10 нм з активним застосуванням літографії у глибокому ультрафіолеті . Наразі компанія вже проводить тестове виробництво чипів за техпроцесом 1C, а також розробляє наступні норми 1D та 1E. Старт обробки кремнієвих пластин заплановано на другу половину 2027 року. Початковий обсяг випуску складе 30 000 пластин на місяць у 2028 році з подальшим збільшенням до 35,900 пластин у 2029 році та виходом на максимальну проектну потужність 45 000 пластин на місяць.
Наразі Nanya займає близько 1,6% світового ринку DRAM і тривалий час фокусувалася на пам'яті попередніх поколінь, де DDR5 становить близько 10% її доходів. Завдяки стрімкому зростанню цін на DDR3 та DDR4 квартальна виручка компанії збільшилася на 60% і перевищила 1,55 мільярда доларів США.
Введення в експлуатацію Fab 5A дозволить тайванському бренду суттєво наростити випуск сучасної пам'яті DDR5 та LPDDR5, а також допоможе послабити загальний дефіцит на світовому ринку напівпровідників.
overclock3d.net
Павлик Олександр
CXMT побудує другий завод із випуску пам'яті в Пекіні
Провідний китайський виробник оперативної пам'яті CXMT планує суттєво розширити свої виробничі потужності.
Згідно з повідомленнями галузевих джерел, компанія готується до будівництва другого великого заводу з випуску мікросхем DRAM у Пекіні. Цей крок є частиною масштабної стратегії Китаю щодо досягнення самодостатності у сфері напівпровідників та зниження залежності від іноземних постачальників на тлі жорстких санкційних обмежень США.
Новий виробничий комплекс буде орієнтований на обробку 300-мм кремнієвих пластин із використанням більш сучасних технологічних процесів. Завдяки розширенню CXMT розраховує не лише наростити обсяги випуску стандартної пам'яті DDR4 та DDR5 для споживчого сегмента, а й прискорити розробку технологій High Bandwidth Memory для прискорювачів штучного інтелекту. Реалізація проекту дозволить значно підвищити сукупну частку китайської оперативної пам'яті на світовому та внутрішньому ринках.
Загальний обсяг інвестицій у будівництво нової фабрики оцінюється в мільярди доларів США, при цьому значна частина фінансування надходить за підтримки державних та регіональних фондів розвитку промисловості.
Постійне посилання на новинуLexar випустила комплект DDR5-7200 на чипах CXMT за 592 долари США
Lexar презентувала для внутрішнього китайського ринку новий комплект оперативної пам'яті THOR RGB DDR5 Gen 2 загальним обсягом 32 ГБ з двох модулів по 16 ГБ.
Головною особливістю новинки стало використання мікросхем DRAM від CXMT. Комплект працює на ефективній частоті 7200 МТ/с із таймінгами CL38-48-48-86 при робочій напрузі 1,40 В. Модулі підтримують профілі автоматичного розгону Intel XMP 3.0 та AMD EXPO. Охолодження забезпечують радіатори з алюмінію з RGB-підсвічуванням.
Заявлено сумісність із материнськими платами ASUS та MSI для обох платформ, а в документації також згадується ще швидший майбутній комплект із частотою 7600 МТ/с.
Офіційна ціна комплекту THOR RGB DDR5-7200 у фірмовому магазині Lexar на майданчику JD становить 592 долари США. Комплект призначений виключно для ринку Китаю, а інформація про можливий глобальний реліз наразі відсутня.
techpowerup.com
Павлик Олександр
Huawei запустить власне виробництво оперативної пам'яті в Китаї
За повідомленнями джерел у напівпровідниковій галузі, Huawei у співпраці з китайським виробником пам'яті SwaySure та за підтримки місцевої влади готується до побудови власного заводу з випуску мікросхем DRAM у Шеньчжені.
Офіційного підтвердження з боку технологічного гіганта поки немає, однак цей крок повністю відповідає стратегії Китаю щодо зменшення залежності від західних технологій та обходу санкційних обмежень США.
В основі проекту лежить фабрика для обробки 300-мм кремнієвих пластин за 28-нанометровим техпроцесом із запланованою потужністю до 140 тисяч пластин на місяць. Головною метою для Huawei є забезпечення власною оперативною пам'яттю своїх ШІ-прискорювачів серії Ascend, які через санкції позбавлені повноцінного доступу до високошвидкісних чіпів HBM від Samsung та SK Hynix. Попри те, що розробка багатошарової пам'яті високої пропускної здатності вимагає значно складніших технологій пакування та високого відсотка виходу придатних кристалів, Huawei вже представить власні розробки під назвою HiBL 1.0, розраховані на інтеграцію з процесорами компанії.
hardwareluxx.de
Павлик Олександр
SK Hynix прогнозує найважчий дефіцит на ринку пам'яті у 2027 році
Виконавчий директор SK Hynix Квак Но Чжун заявив, що найближчі 12 місяців та 2027 рік стануть найважчим періодом в історії напівпровідникової галузі з точки зору постачання.
За його прогнозом, попит на оперативну пам'ять перевищуватиме виробничі потужності компанії щонайменше до 2030 року.
За даними аналітиків TrendForce, у третьому кварталі 2026 року контрактні ціни на звичайну пам'ять DRAM зростуть на 13–18% порівняно з попереднім кварталом, а флешпам'ять NAND подорожчає на 10–15%. У європейському роздрібі це зростання вже відчутне: за даними 3DCenter, середня ціна комплекту оперативної пам'яті DDR5-6000 обсягом 32 ГБ у липні сягнула близько 398 євро, що на 431% більше, ніж роком раніше. Ціни на накопичувачі SSD обсягом 1 ТБ із задієним DRAM-кешем також зросли до 163 євро.
Головним драйвером кризи є не лише випуск спеціалізованої пам'яті HBM для ШІ-прискорювачів, яка потребує складного виробництва та великої площі кремнієвих пластин, а й стрімке зростання попиту на серверний RAM та корпоративні SSD. Через це чипмейкери масово перенаправляють свої потужності з роздрібних продуктів для ПК на більш прибуткові рішення для центрів обробки даних, що унеможливлює швидке розв'язання проблеми дефіциту.
hardwareluxx.de
Павлик Олександр
Китайські виробники пам'яті змінили демпінг на різке підвищення цін
Китайські чіпмейкери CXMT та YMTC, які тривалий час агресивно демпінгували на світовому ринку DRAM та NAND, різко змінили стратегію.
Якщо раніше вони пропонували оперативну та флеш-пам'ять за цінами, що були майже вдвічі нижчими за середньосвітові, то тепер вони переходять до суттєвого підвищення вартості своєї продукції.
Тривалий демпінг дозволив CXMT захопити майже 7,7% світового ринку DRAM, а YMTC — від 11% до 13% ринку NAND. Виробниці змогли закріпитися у ланцюгах постачання таких гігантів, як Corsair, Acer та ASUS, а також привернули увагу постачальників серверного обладнання. Проте стрімкий стрибок попиту на пам'ять для систем ШІ та висока завантаженість виробничих потужностей змусили компанії переглянути цінову політику.
Фахівці зазначають, що через кризу пропозиції та активну модернізацію серверної інфраструктури під потреби ШІ китайські фабрики більше не мають потреби продавати чіпи за собівартістю або з мінімальною маржею. Вартість DRAM і NAND китайського виробництва стрімко наближається до цін світової «трійки» — Samsung, SK hynix та Micron. Це ставить хрест на сподіваннях споживачів щодо дешевих SSD і комплектів RAM у найближчій перспективі.
Постійне посилання на новинуПам'ять Asgard на чипах CXMT підкорила 8800 МТ/с на материнській платі ASUS Z890
Оперативна пам'ять DDR5 на базі китайських чипів CXSH від CXMT продовжує демонструвати вражаючий розгінний потенціал.
Нещодавно на платформі AMD вдалося досягти 8600 МТ/с на материнській платі Colorful, а тепер встановлено новий рекорд уже на платформі Intel. Бренд Asgard продемонстрував розгін комплекту Valkyrie II RGB Special Edition DDR5-6000 до швидкості 8800 МТ/с.
Тестовий комплект об'ємом 48 ГБ складається з двох планок по 24 ГБ, побудованих на 24-гігабітних мікросхемах пам'яті від CXMT. Випробування проводилися у зв'язці з процесором Intel Core Ultra 9 285K на материнській платі ASUS Z890 AYW Gaming WiFi W з версією BIOS 3021. Примітно, що цю плату важко назвати рішенням для оверклокерів-ентузіастів, адже вона оснащена чотирма слотами DIMM у конфігурації 2DPC, яка поступається в ефективності розгону двослотовим платам 1DPC.
Попри це, 48-гігабайтний комплект пам'яті зміг стабільно працювати на частоті 8800 МТ/с із таймінгами CL46-56-56-132. Такий результат на масовій материнській платі свідчить про значний потенціал чипів CXSH для подальшого зростання швидкостей на платформі Intel.
Постійне посилання на новинуПоказати ще
