Комп'ютерні новини
Оперативна пам’ять
Lexar прогнозує чергове двократне подорожчання оперативної пам'яті
Регіональний менеджер торгової марки Lexar по Австралії та Новій Зеландії Кріс Ся виступив із попередженням, що ціни на оперативну пам'ять DRAM подвояться до кінця поточного року.
Головною причиною чергової хвилі здорожчання залишається масштабне будівництво дата-центрів для систем ШІ, яке буквально поглинає світові запаси мікросхем напівпровідникової пам'яті та змушує провідних виробників перенаправляти майже всі свої потужності на випуск високосмугової пам'яті HBM.
Поточна стабілізація роздрібних цін на DDR5 та періодичні знижки у магазинах є тимчасовим явищем, оскільки дистриб'ютори та ритейлери просто намагаються максимально швидко розпродати старі складські запаси для звільнення місця под нові партії товару, які закуповуватимуться вже за значно вищою вартістю. Глибока криза на ринку напівпровідників уже призвела до суттєвого скорочення поставок комп'ютерів, падіння продажів материнських плат на 25%, а також створила фінансові проблеми для багатьох виробників споживчої електроніки.
Експерти зазначають, що падіння цін не варто чекати в найближчі роки, оскільки навіть у разі потенційного здуття інвестиційної бульбашки навколо ШІ, більшість великих брендів пов'язані довгостроковими контрактами на постачання сировини за поточними надвисокими тарифами.
overclock3d.net
Павлик Олександр
SK Hynix планує потроїти виробництво кремнієвих пластин для мікросхем пам'яті до 2034 року
Голова SK Group Че Тхэ Вон в інтерв'ю журналістам заявив про суттєве прискорення масштабного проєкту з розширення виробничих потужностей.
Згідно з новими розрахунками, обсяг випуску напівпровідникових пластин для чипів DRAM та NAND Flash подвоїться протягом найближчих п'яти років, а до 2034 року загальний обсяг виробництва зросте втричі відносно поточного рівня. Настільки агресивний темп нарощування потужностей зумовлений колосальним дефіцитом і постійно зростаючим попитом на передову пам'ять з боку дата-центрів та розробників систем ШІ.
Початковий план розвитку південнокорейського напівпровідникового кластера в Йон'іні, який передбачає будівництво чотирьох великих багатоповерхових заводів, був розрахований до 2045 року. Проте через гостру кризу постачання та чотирикратне зростання цін на пам'ять за останній рік, терміни завершення будівництва вдалося скоротити на ціле десятиліття.
Керівництво наголошує, що поточний графік із фінальною точкою у 2034 році є максимально можливим сценарієм і рухатися ще швидше фізично не вдасться. Окрім внутрішнього ринку, після завершення розгортання домашніх фабрик розглядається варіант будівництва додаткових потужностей за кордоном, де пріоритетним кандидатом є Японія завдяки розвиненій інфраструктурі постачання хімікатів та обладнання. Хоча анонсоване розширення є позитивним сигналом для індустрії в довгостроковій перспективі, поточну кризу дефіциту та високих цін на роздрібному ринку SSD та оперативної пам'яті воно найближчим часом не вирішить.
Постійне посилання на новинуМіф про дешеву китайську DDR5 розвінчано: ціни на чипи CXMT зрівнялися з лідерами ринку
Надія геймерів та збирачів ПК на те, що китайська компанія ChangXin Memory Technologies (CXMT) завалить ринок дешевою оперативною пам'яттю DDR5 і змусить конкурентів знизити цінники, виявилася міфом.
Як розповіли представники брендів на виставці Computex 2026, закупівельні ціни на кремнієві пластини та чипи від CXMT практично зрівнялися з прайсами «великої трійки» в особі Samsung, SK Hynix та Micron. Китайський виробник не планує займатися демпінгом чи вести цінові війни.
Попри відсутність низьких цін, залізо від CXMT все одно масово з'являється у роздрібних модулях пам'яті серед відомих брендів. Головний козир компанії зараз — це банальна наявність вільних обсягів кремнію. Поки Samsung, SK Hynix та Micron віддають пріоритет надприбутковим замовленням на HBM-пам'ять для ШІ-прискорювачів і майже повністю завантажили свої потужності під потреби ШІ-індустрії, CXMT зосередилася на класичній споживчій DRAM.
CXMT поки не може наздогнати світових гігантів за тонкістю техпроцесів, проте її продукція вже освоїла масовий сегмент зі швидкостями аж до 8000 МТ/с. Саме доступність чипів на складах, а не їхня вартість, робить китайського постачальника рятівним колом для виробників ОЗП в епоху дефіциту.
Постійне посилання на новинуG.Skill презентувала EXPO-ULL оперативну пам'ять DDR5-6000 із таймінгами CL26
На виставці Computex 2026 G.Skill продемонструвала свої перші комплекти оперативної пам'яті, які підтримують щойно анонсований компанією AMD стандарт профілів розгону EXPO-ULL (ultra-low latency).
Головною зіркою стенда став екстремальний набір DDR5-6000, що працює з безпрецедентно низькими затримками CL26. Цей комплект функціонує за формулою таймінгів 26-36-36-32 CR1.
Також у лінійці з'являться версії з формулами CL28 та CL30. Усі вони забезпечують значно вищу швидкодію порівняно зі стандартними специфікаціями JEDEC для DDR5-6000, де затримки зазвичай сягають рівня 38-44-44.
Через підвищену напругу та високий нагрів топовий модуль оснащено двослотовою системою активного охолодження, розробленою спільно з Cooler Master.
Через велику товщину цього кулера власнику ПК знадобиться материнська плата із зазором мінімум в один слот між каналами пам'яті.
Модифікації з таймінгами CL28 та CL30 збережуть класичний дизайн і поповнять оверклокерські лінійки Trident Z5 Neo та Trident Z5 Royal Neo. Офіційний запуск новинок заплановано на другу половину 2026 року.
techpowerup.com
Павлик Олександр
AMD представила новий стандарт EXPO‑ULL
AMD оголосила на Computex 2026 про EXPO‑ULL (Ultra Low Latency), який забезпечує наднизькі затримки для пам’яті DDR5‑6000 та DDR5‑6400 у системах Ryzen.
Це розширення SPD‑профілю, подібне до Intel XMP та оригінального EXPO, але з акцентом на максимально жорсткі таймінги. Оскільки процесори Ryzen 7000 та 9000 обмежені у частотах пам’яті порівняно з платформами Intel, AMD вирішила компенсувати це зменшенням затримок.
Раніше виробники продавали модулі DDR5‑6000 та DDR5‑6400 із типовими таймінгами, маркуючи їх як EXPO‑сумісні. Тепер у рамках EXPO‑ULL вони постачатимуть ті ж швидкості, але з істотно зменшеними таймінгами, що дає реальний приріст продуктивності для ентузіастів.
AMD повідомила, що EXPO‑ULL забезпечує середній приріст FPS на рівні 4 %, а в окремих іграх — до 13 %.
Серед партнерів програми — G.Skill, Kingston, Klevv, Lexar, Team Group, V‑Color та ADATA XPG. Очікується, що перші модулі з підтримкою EXPO‑ULL з’являться на ринку протягом 2026 року.
techpowerup.com
Павлик Олександр
G.SKILL показала комплект DDR5 9200 CU-DIMM на 1,1 В
G.SKILL анонсувала новий набір пам’яті DDR5‑9200 CU‑DIMM обсягом 32 ГБ (2×16 ГБ), який працює на стандартній напрузі 1,1 В.
Це рішення демонструє потенціал нового формфактора CU‑DIMM, що забезпечує стабільність сигналу та дозволяє досягати екстремальних частот без підвищення енергоспоживання.
Комплект має таймінги CL74‑74‑74‑148 і був протестований на платформі Intel Core Ultra 7 270K Plus у поєднанні з материнською платою MSI MEG Z890 GODLIKE. Завдяки інтегрованому драйверу тактового сигналу CU‑DIMM забезпечує кращу цілісність сигналу порівняно з традиційними UDIMM, що відкриває шлях до нових рекордів швидкості.
Пам’ять буде представлена на виставці Computex 2026 у Тайбеї, стенд G.SKILL у Nangang Exhibition Center Hall 1 (TaiNEX 1), I0818. Відвідувачі зможуть ознайомитися з демонстрацією та іншими інноваціями пам’яті наступного покоління.
techpowerup.com
Павлик Олександр
Silicon Power показала сертифіковану ROG оперативну пам’ять DDR5 Cyclone R
Silicon Power представила ігрову пам’ять XPOWER Cyclone R DDR5, сертифіковану ROG, із швидкістю до 6000 MT/s та підтримкою AMD EXPO.
Новинка дебютує на виставці COMPUTEX 2026 і стане частиною ювілейної програми ASUS ROG.
Модулі Cyclone R створені у співпраці з ASUS та пройшли тестування в екосистемі ROG, що гарантує сумісність і стабільність роботи на платформах преміум‑класу. Пам’ять підтримує технології on‑die ECC та розширене керування живленням, що підвищує надійність під навантаженням.
XPOWER Cyclone R орієнтована на геймерів та ентузіастів, які потребують високої пропускної здатності та стабільності. Пам’ять сумісна з платформами на базі Ryzen і підтримує AMD EXPO для спрощеного розгону.
Оновлений дизайн включає чорний алюмінієвий радіатор із рельєфними лініями, натхненними кіберспортом. Модулі підтримують ASUS Aura Sync та інші популярні системи RGB‑підсвічування, що дозволяє синхронізувати освітлення з іншими компонентами ПК.
Cyclone R постачається з обмеженою довічною гарантією та стане частиною розширеної лінійки XPOWER, спрямованої на високопродуктивні ігрові системи.
techpowerup.com
Павлик Олександр
Micron розширює виробництво у Вірджинії, щоб у чотири рази збільшити випуск DDR4
Micron інвестує близько 2 млрд доларів США у модернізацію підприємства у Вірджинії, з яких 275 млн доларів США надійшли від американської влади в рамках «Закону про чипи».
Нові лінії дозволять компанії використовувати техпроцес 1α, що підвищує щільність транзисторів на 40% порівняно з попереднім поколінням і обходиться дешевшою DUV‑літографією замість дорогого EUV.
Випуск DDR4 на нових лініях стартує до кінця 2026 року. Це важливий крок, адже попит на DDR4 залишається високим у промисловості, телекомунікаціях, обороні та навіть авіакосмічній сфері, попри те що споживчий і серверний сегменти вже переходять на DDR5. Micron планує протягом наступних 20 років інвестувати близько 200 млрд доларів США у розширення виробництва в США, зокрема у Нью‑Йорку та Айдахо, а у Вірджинії також буде розташоване підприємство з пакування HBM‑пам’яті.
tomshardware.com
Павлик Олександр
Показати ще
